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인쇄 / 소결 방법에 의한 CdS 광전도 셀 제작과 특성
정태수,김택성,정철훈,이훈,신영진,홍광준,유평렬 ( Tae Soo Jeong,Taek Sung Kim,Cheol Hoon Jeong,Hoon Lee,Yeong Jin Shin,Kwang Joon Hong,Pyeong Yeol Yu ) 한국센서학회 1998 센서학회지 Vol.7 No.5
We fabricated a photoconductive cell made of polycrystalline CdS thick film which has high photo-sensitivity using a print/sintering method. The resultant grain size is about 4 ㎛. When CuCl₂ of 0.06 to 0.12 mg is added, the sensitivity and the ratio of photocurrent to dark current are 0.8 and 10³, respectively. The response wavelength is 511 nm. The rise and decay response times are 50 and 20 ms, respectively. In addition, the maximum power dissipation is beyond 80 mW. We noticed that the addition of CuCl₂ between 0.06 and 0.12 mg to 1g of CdS results in a reliable formation of photoconductive sensor.
II-VI족 화합물 반도체의 결정성장과 센서개발 : CdS, CdSe(I)
신영진,양동익,정태수,신현길,유기수,김택성,강석일,유평렬,홍광준,최용대 순천대학교 기초과학연구소 1990 基礎科學硏究誌 Vol.1 No.-
Sublimation을 사용한 수직 2단의 전기로에서 성장한 CdS 단결정은 육방정으로 성장했고 격자상수 a_0과 c_0은 외삽법으로 구해 각각 4.1386Å과 6.7176Å임을 알 수 있다. Electron beam으로 중착한 CdS 박막도 육방정계이고, 이 박막을 Ar 분위기에서 열처리한 결과 grain size가 1㎛ 정도로 성장되었다. Van der pauw 방법으로 구한 Hall data로부터 CdS 단결정의 carrier density는 상온에서 ∼10^17㎝^-3정도이고 이동도는 3×10^2㎠/V·sec 정도이다. 이동도는 33K에서 130K까지 불순물 산란에 기인하는 T^(3/2)에 따라 증가하는 경향이 있고 130K에서 상온까지는 격자산란에 기인하는 T^(-3/2)에 따라 감소한 경향이 나타났다. The CdS single crystal was grown from sublimation method in vertical electric furnace. Crystal was found to be of a hexagonal structure. The lattice contants of grown CdS single crystal were measured to be a_0=4.1386Å and c_0=6.7176Å. The CdS thin film evaporized by Electron-beam method was a hexagonal structure. Grain size of CdS thin film annealed in Ar atmosphere was grown to 1㎛. The electron carrier density and hall mobility of CdS single crystal were measured using the Van der Pauw method at room temperature and their values are about ∼10^17㎝^-3 and about 3×10^2㎠/V·sec respectively. The Hall mobility of single crystal increases from 33K to 130K by T^(3/2) due to impurity scattering and decreases from 130K to room temperature by T^3/2 due to lattice scattering.
Iodine을 촉매로 하는 화학적 수송방법에 의한 CdS 단결정의 성장과 그 특성에 관한 연구(I)
신영진,박병호,정태수,서영우,유기수,김택성,강석일,유평렬 순천대학교 기초과학연구소 1990 基礎科學硏究誌 Vol.1 No.-
Iodine을 촉매제로 하는 화학적 수송방법으로 CdS분말 3g을 증발함에서 결정화함으로 수송하는데 96∼154시간이 소요되었다. 이렇게 성장한 CdS 단결정은 X-선 회절기에 의해서 육방정계임을 알게되었다. 전자현미경으로 Cd, S 및 iodine의 X-선을 찾아보았더니 iodine 성분의 X-선을 찾아 볼 수 없었다. Van der pauw 방법으로 측정한 Hall 효과로부터 CdS 단결정은 n형이고 carrier 농도는 ∼10^17㎝^-3정도이며 활성화에너지 E_d값은 0.63eV 정도임을 알게되었다. The time required to transport CdS powder 3 gram in the vaporization chamber into the crystallization chamber by the method of chemical vapor transport which was used iodine as a transporting agent was 96-154 hours. The single crystal grown by the above method was found hexagonal system using X-ray diffractometer. Cd and S, iodine characteristic X-rays were examine by eletron microscope but there was no iodine characteristic X-ray. This single crystal was found n-type and the activation energy, E_d, was about 0.63eV. The carrier density was about ∼10^17㎝^-3. These results was followes by effect using Van der Pauw method.
Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체의 결정성장과 센서개발 : CdS, CdSe(Ⅰ) CdS, CdSe(Ⅰ)
신영진,양동익,정태수,신형길,유기수,김택성,강석일,유평렬,홍광준,최용대 全北大學校 基礎科學硏究所 1991 基礎科學 Vol.14 No.2
Sublimation을 사용한 수직 2단의 전기로에서 성장한 CdS 단결정은 육방정으로 성장했고 격자상수 a_o와 c_o는 외삽법으로 구해 각각 4.1386Å과 6.7176Å임을 알 수 있다. Electron beam으로 증착한 CdS 박막도 육방정계이고, 이 박막을 Ar 분위기에서 열처리한 결과 grain size가 1㎛ 정도로 성장되었다. Van der Pauw 방법으로 구한 Hall data로부터 CdS 단결정의 carrier density는 상온에서 ∼10^17㎝^-3 정도이고 이동도는 3×10^2㎠/V·sec 정도이다. 이동도는 33K에서 130K까지 불순물 산란에 기인하는 T^(3/2)에 따라 증가하는 경향이 있고 130K에서 상온까지는 격자산란에 기인하는 T^(-3/2)에 따라 감소한 경향이 나타났다. The CdS single crystal was grown from sublimation method in vertical electric furnace. Crystal was found to be of a hexagonal structure. The lattice contants of grown CdS single crystal were measured to be a_o=4.1386Å and c_o=6.7176Å. The CdS thin film evaporized by Electron-beam method was a hexagonal structure. Grain size of CdS thin film annealed in Ar atmosphere was grown to 1㎛. The electron carrier density and Hall mobility of CdS single crystal were measured using the Van der Pauw method at room temperature and their values are about ∼10^17㎝^-3 and about 3×10^2㎠/V·sec respectively. The Hall mobility of single crystal increases from 33K to 130K by T^(3/2) due to impurity scattering and decreases from 130K to room temperature by T^(-3/2) due to lattice scattering.