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ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ

ا ب ت ث ج ح خ د ذ ر ز س ش ص ض ط ظ ع غ ف ق ک ل م ن ه و ی

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동시증착에 의한 Si(111) - 7×7 기판 위에 TiSi₂ 에피택셜 성장

최치규(Chi Kyu Choi),류재연(Jai Yon Ryu),오상식(Sang Shik Oh),염병렬(Byung Ryul Ryum),박형호(Hyung Ho Park),조경의(Kyoung Ik Cho),이정용(Jeong Yong Lee),김건호(Kun Ho Kim) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.4
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  DBpia
  
  ScienceON
초고진공에서 기판 Si(111)-7×7 위에 Ti : Si = 1 : 1 또는 1:2 의 조성비로 Ti와 Si을 동시 증착한 후 in situ 열처리하여 TiSi₂ 박막을 에피택셜 성장시켰다. XRD와 XPS 분석결과 동시증착된 혼합 층에서 C49-TiSi₂ 박막의 성장은 핵형성에 의함을 확인하였으며, 양질의 C49-TiSi₂ 박막은 Ti를 증착한 후 Ti와 Si를 동시 증착한 (Ti+2Si)/(Ti)/Si(111)-7×7 구조의 시료를 초고진공에서 500℃에서 열처리하여 얻을 수 있었다. 형성된 C49-TiSi₂/Si(111)의 계면은 깨끝하였고, HRTEM 분석 결과 C49-TiSi₂/Si(111)의 계면은 약 10℃의 편의를 가지면서 TiSi₂[211]││Si[110], TiSi₂(031)││Si(111)의 정합성을 가졌으며, 시료의 전 영역에 에피택셜 성장되었다. TiSi₂ film was grown epitaxially on the Si(111) substrate by means of the coevaporation of Ti and Si (Ti : Si= 1 : 1 to 1 : 2) on Si(111)-7×7 surface followed by in situ annealing in ultrahigh vacuum. X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy showed that silicide formation was initiated by the nucleation of C49-TiSi₂ crystallites in the deposited layer. High-quality epitaxial C49-TiSi₂ layer was obtained by in situ annealing (Ti+2Si)/Ti/Si(111)-7×7 sample at 500℃ for 10 min in UHV. TiSi₂/Si(111) interface was clear and the orientation relationship between the C49-TiSi₂ and the Si(111) substrate deduced from the HRTEM lattice image was TiSi₂[211]││Si[110], TiSi₂(031)/Si(111) with a misorientation angle of 10˚. The whole area of the sample was covered with the epitaxial C49 structure.
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PVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 공정개발

최치규(Chi-Kyu Choi),강민성(Min-Seoung Kang),박형호(Hyung-Ho Park),염병렬(Byung-Ryul Ryum),서경수(Kyung-Soo Suh),이종덕(Jong Duk Lee),김건호(Kun-Ho Kim),이정용(Jeong-Yong Lee) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.3
- 원문보기 2
  DBpia
  
  ScienceON
Ar과 N₂-가스가 혼합된 분위기에서 반응성 스퍼터링 방법에 의하여 TiN 박막을 증착하였다. N₂ 가스의 농도는 화학양론적으로 TiN이 형성되는 조건에 맞도록 조절하였으며, 기판의 온도는 실온에서 부터 700℃의 범위내로 유지하였다. (111) texture 구조를 가지면서 화학양론적으로 Ti_(0.5)N_(0.5)인 박막은 기판의 온도가 600℃ 이상에서 형성되었고, 기판의 온도가 600℃ 이하에서는 형성된 박막은 N-과다형이었다. XRD, XPS 및 RBS 분석 결과 TiN 박막의 조성비는 기판의 온도에 다소 의존하였으나 약 5% 이내에 불과하였다. TiN 박막의 면저항은 기판온도의 증가에 따라 감소하였고, 기판온도가 600℃에서 증착된 TiN 박막의 면저항은 14.5Ω/□ 였고, Ar-가스 분위기에서 700℃로 30초간 열처리한 후는 8.9Ω/□이었다. 따라서 반응성 스퍼터링방법에 의하여 형성되는 양질의 TiN 박막은 기판온도가 600℃이상이 최적조건임을 알았다. Titanium nitride (TiN) films were prepared by reactive sputter deposition in mixed gas of Ar +N₂. The volume percentage of N₂ in the working gas was chosen so as to grow stoichiometric TiN films and the substrate temperature during film growth was set from room temperature to 700℃. Stoichiometric Ti_(0.5)N_(0.5) films with (111) texture were grown at temperatures over 600℃, while films prepared at temperatures below 600℃ showed N-rich TiN. The composition x and y in the Ti_xN_y films determined by XPS and RBS varied within 5% with the substrate temperature. The sheet resistance of the TiN films decreases as the substrate temperature increased. TiN film prepared at 600℃ showed 14.5 Ω/□, and it decreased to 8.9 Ω/□ after the sample was annealed at 700℃, 30 sec in Ar-gas ambient by RTA. By far, high quality stoichiometric TiN films by reactive sputtering in the mixed gas ambient could be prepared at substrate temperature over 600℃.
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PVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 공정개발

염병렬,박형호,최치규,이종덕,김건호,이정용,서경수,강민성 濟州大學校基礎科學硏究所 1997 基礎科學硏究 Vol.10 No.2
- 원문보기
Ar과 N₂?가스가 혼합된 분위기에서 반응성 스퍼터링 방법에 의하여 TiN 박막을 증착하였다. N₂ 가스의 농도는 화학양론적으로 TiN이 형성되는 조건에 맞도록 조절하였으며, 기판의 온도는 실온에서 부터 700℃의 범위내로 유지하였다. (111) texture 구조를 가지면서 화학양론적으로 Ti??N??인 박막은 기판의 온도가 600℃ 이상에서 형성되었고, 기판의 온도가 600℃ 이하에서는 형성된 박막은 N-과다형이었다. XRD, XPS 및 RBS 분석 결과 TiN 박막의 조성비는 기판의 온도에서 다소 의존하였으나 약 5% 이내에 불과하였다. TiN 박막의 면저항은 기판온도의 증가에 따라 감소하였고, 기판온도가 600℃에서 증착된 TiN 박막의 면저항능 14.5Ω/□ 였고, Ar―가스 분위기에서 700℃로 30초간 열처리한 후는 8.9Ω/□ 이었다. 따라서 반응성 스퍼터링방법에 의하여 형성되는 양질의 TiN 박막은 기판온도가 600℃이상이 최적조건임을 알았다. Titanium nitride (TiN) films were prepared by reactive sputter deposition in mixed gas of Ar+N₂?. The volume percentage of N₂ in the working gas was chosen so as to grow stoichiometric TiN films and the substrate temperature during film growth was set from room temperature to 700℃. stoichiometric Ti??N?? films with (111) texture were grown at temperatures over 600℃, while films prepared at temperatures below 600℃ showed N-rich TiN. The composition x and y in the Ti??N?? films determined by XPS and RBS varied within 5% with the substrate temperature. The sheet resisstance of the TiN films decreases as the substrate temperature increased. TiN film prepared at 600℃ showed 14.5Ω/□, and it decreased to 8.9Ω/□ after the sample was annealed at 700℃, 30 sec in Ar-gas ambient by RTA. By far, high quality stoichiometric TiN films by reactive sputtering in the mixed gas ambient could be prepared at substrate temperature over 600℃.