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アァカサザタダナハバパマヤャラワヮンイィキギシジチヂニヒビピミリウゥクグスズツヅッヌフブプムユュルエェケゲセゼテデヘベペメレオォコゴソゾトドノホボポモヨョロヲ ―

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ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ

ا ب ت ث ج ح خ د ذ ر ز س ش ص ض ط ظ ع غ ف ق ک ل م ن ه و ی

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고상 에피택셜 성장에 의한 PtSi 박막의 형성

최치규(Chi Kyu Choi),강민성(Min Seoung Kang),이개명(Kae Myoung Lee),김상기(Sang Gi Kim),서경수(Kyung Soo Suh),이정용(Jeong Yong Lee),김건호(Kun Ho Kim) 한국진공학회(ASCT) 1995 Applied Science and Convergence Technology Vol.4 No.3
- 원문보기 2
  DBpia
  
  ScienceON
초고진공에서 Si(100)-2×1 기판 위에 Rt를 약 100Å의 두께로 증착한 후 in-situ로 열처리하는 고상에피택셜 성장법으로 PtSi 박막을 형성시켰다. XRD와 XPS 분석 결과 200℃로 열처리한 시료에서는 Pt₃Si, Pt₂Si와 PtSi의 상이 섞여 있었으나 500℃로 열처리한 시료에서는 PtSi의 단일상만 확인되었으며, 형성된 PtSi박막은 주상구조와 판상구조의 이중구조를 나타내었다. 기판 온도를 500℃로 유지하면서 Rt를 증착한 후 750℃에서 열처리한 경우에는 판상구조를 갖는 양질의 PtSi 박막이 에피택셜 성장되었다. HRTEM 분석 결과 에피택셜 성장된 PtSi와 기판 Si(100)의 계면은 RSi[110]//Si[110], RtSi(110)//Si(100)의 정합성을 가졌다. 판상구조를 갖는 PtSi 상의 에피택셜 방향은 기판과 열처리 온도에는 의존하나 열처리 시간에는 무관한 것으로 나타냈다. Solid-phase epitaxial growth of the thin PtSi films were obtained by deposition of a thin Pt(100Å) film on a Si(100)-2×1 substrate in ultra-high vacuum followed by in-situ annealing. X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy showed that Pt₃Si, Pt₂Si and PtSi phases coexisted in the samples annealed at 200℃. However, at 500℃, only the PtSi phase was formed as a bilayered film with a columnar and planar structure. For the Pt(100Å)/Si(100)-2×1 sample which was prepared by deposition of Pt at 500℃ followed by in situ annealing at 750℃ for 10 min, on the other hand, high-quality epitxial PtSi with planar structure was gown. The orientation relationship between the epitaxail PtSi film and the Si(100) substrate from thee HRTEM lattice image is PtSi[110]//Si[110], PtSi(110)//Si(100) without a misorientation angle. It was found out that the epitaxial orientation of the PtSi phase with a planar stucture were mainly depending on the substrate and annealing temperature, not on me annealing time.
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PVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 공정개발

최치규(Chi-Kyu Choi),강민성(Min-Seoung Kang),박형호(Hyung-Ho Park),염병렬(Byung-Ryul Ryum),서경수(Kyung-Soo Suh),이종덕(Jong Duk Lee),김건호(Kun-Ho Kim),이정용(Jeong-Yong Lee) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.3
- 원문보기 2
  DBpia
  
  ScienceON
Ar과 N₂-가스가 혼합된 분위기에서 반응성 스퍼터링 방법에 의하여 TiN 박막을 증착하였다. N₂ 가스의 농도는 화학양론적으로 TiN이 형성되는 조건에 맞도록 조절하였으며, 기판의 온도는 실온에서 부터 700℃의 범위내로 유지하였다. (111) texture 구조를 가지면서 화학양론적으로 Ti_(0.5)N_(0.5)인 박막은 기판의 온도가 600℃ 이상에서 형성되었고, 기판의 온도가 600℃ 이하에서는 형성된 박막은 N-과다형이었다. XRD, XPS 및 RBS 분석 결과 TiN 박막의 조성비는 기판의 온도에 다소 의존하였으나 약 5% 이내에 불과하였다. TiN 박막의 면저항은 기판온도의 증가에 따라 감소하였고, 기판온도가 600℃에서 증착된 TiN 박막의 면저항은 14.5Ω/□ 였고, Ar-가스 분위기에서 700℃로 30초간 열처리한 후는 8.9Ω/□이었다. 따라서 반응성 스퍼터링방법에 의하여 형성되는 양질의 TiN 박막은 기판온도가 600℃이상이 최적조건임을 알았다. Titanium nitride (TiN) films were prepared by reactive sputter deposition in mixed gas of Ar +N₂. The volume percentage of N₂ in the working gas was chosen so as to grow stoichiometric TiN films and the substrate temperature during film growth was set from room temperature to 700℃. Stoichiometric Ti_(0.5)N_(0.5) films with (111) texture were grown at temperatures over 600℃, while films prepared at temperatures below 600℃ showed N-rich TiN. The composition x and y in the Ti_xN_y films determined by XPS and RBS varied within 5% with the substrate temperature. The sheet resistance of the TiN films decreases as the substrate temperature increased. TiN film prepared at 600℃ showed 14.5 Ω/□, and it decreased to 8.9 Ω/□ after the sample was annealed at 700℃, 30 sec in Ar-gas ambient by RTA. By far, high quality stoichiometric TiN films by reactive sputtering in the mixed gas ambient could be prepared at substrate temperature over 600℃.
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PVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 공정개발

염병렬,박형호,최치규,이종덕,김건호,이정용,서경수,강민성 濟州大學校基礎科學硏究所 1997 基礎科學硏究 Vol.10 No.2
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Ar과 N₂?가스가 혼합된 분위기에서 반응성 스퍼터링 방법에 의하여 TiN 박막을 증착하였다. N₂ 가스의 농도는 화학양론적으로 TiN이 형성되는 조건에 맞도록 조절하였으며, 기판의 온도는 실온에서 부터 700℃의 범위내로 유지하였다. (111) texture 구조를 가지면서 화학양론적으로 Ti??N??인 박막은 기판의 온도가 600℃ 이상에서 형성되었고, 기판의 온도가 600℃ 이하에서는 형성된 박막은 N-과다형이었다. XRD, XPS 및 RBS 분석 결과 TiN 박막의 조성비는 기판의 온도에서 다소 의존하였으나 약 5% 이내에 불과하였다. TiN 박막의 면저항은 기판온도의 증가에 따라 감소하였고, 기판온도가 600℃에서 증착된 TiN 박막의 면저항능 14.5Ω/□ 였고, Ar―가스 분위기에서 700℃로 30초간 열처리한 후는 8.9Ω/□ 이었다. 따라서 반응성 스퍼터링방법에 의하여 형성되는 양질의 TiN 박막은 기판온도가 600℃이상이 최적조건임을 알았다. Titanium nitride (TiN) films were prepared by reactive sputter deposition in mixed gas of Ar+N₂?. The volume percentage of N₂ in the working gas was chosen so as to grow stoichiometric TiN films and the substrate temperature during film growth was set from room temperature to 700℃. stoichiometric Ti??N?? films with (111) texture were grown at temperatures over 600℃, while films prepared at temperatures below 600℃ showed N-rich TiN. The composition x and y in the Ti??N?? films determined by XPS and RBS varied within 5% with the substrate temperature. The sheet resisstance of the TiN films decreases as the substrate temperature increased. TiN film prepared at 600℃ showed 14.5Ω/□, and it decreased to 8.9Ω/□ after the sample was annealed at 700℃, 30 sec in Ar-gas ambient by RTA. By far, high quality stoichiometric TiN films by reactive sputtering in the mixed gas ambient could be prepared at substrate temperature over 600℃.