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SRAM 이중-포트를 위한 내장된 메모리 BIST IP 자동생성 시스템 개발
심은성,이정민,이찬영,장훈,Shim Eun-Sung,Lee Jung-Min,Lee Chan-Young,Chang Hoon 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.2
In this paper, we develop the common CAD tool that creates the automatically BIST IP by user settings for the convenient test of embedded memory. Previous tools have defect that when memory model is changed, BIST IP must re-designed depending on memory model because existing tools is limited the widely used algorithms. We develop the tool that is created automatic BIST IP. It applies the algorithm according to the memory model which user requests We usually use the multi-port asynchronous SRAM needless to refresh as the embedded memory. However, This work researches on the dual-port SRAM. 본 논문에서는 내장된 메모리의 테스트를 편리하게 하기 위하여 간단한 사용자 설정에 의해 자동으로 BIST IP를 생성해 내는 범용 CAD 툴을 개발하였다. 기존의 툴들은 널리 사용되고 있는 알고리즘에 국한되어 있어 메모리의 모델이 변하게 되면 다시 메모리 모델에 따라 BIST IP를 설계해야 하는 번거로움이 있었다. 하지만 본 논문에서는 사용자가 원하는 메모리 모델에 따라 알고리즘을 적용해 자동으로 BIST IP를 생성해 주는 툴을 개발하였다. 내장된 메모리로는 리프레쉬가 필요 없는 다중-포트 비동기식 SRAM이 가장 많이 사용되며, 본 연구에서는 이중-포트 SRAM에 대하여 연구 하였다.
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심은성,장훈,Shim Eun sung,Chang Hoon 한국통신학회 2005 韓國通信學會論文誌 Vol.30 No.4A
본 논문에서는 내장된 메모리의 자체 테스트를 통한 메모리 고장 유무 확인과 더불어 메인 메모리의 고장난 부분을 여분의 메모리로 재배치하여 사용자로 하여금 고장난 메모리를 정상적인 메모리처럼 사용할 수 있도록 BISR(Build-In Self Repair) 설계 및 구현을 하였다. 메인 메모리를 블록 단위로 나누어 고장난 셀의 블록 전체를 재배치하는 방법을 사용하였으며, BISR은 BIST(Build-In Self Test) 모듈과 BIRU(Build-In Remapping Unit) 모듈로 구성된다. 실험결과를 통해 고장난 메모리를 여분의 메모리로 대체하여 사용자가 메모리를 사용함에 있어서 투명하게 제공하는 것을 확인 할 수 있다. bIn this paper, built-in self-repair(BISR) is proposed for semiconductor memories. BISR is consisted of BIST(Buit-in self-test) and BIRU(Built-In Remapping Uint). BIST circuits are required not oがy to detect the presence of faults but also to specify their locations for repair. The memory rows are virtually divided into row blocks and reconfiguration is performed at the row block level instead of the traditional row level. According to the experimental result, we can verify algorithm for replacement of faulty cell.
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플래시 메모리를 이용한 내장 메모리 자가 복구의 재배치 데이타 사용 기술
심은성(Eun Sung Shim),장훈(Hoon Chang) 한국정보과학회 2007 정보과학회논문지 : 시스템 및 이론 Vol.34 No.7·8
최근 VLSI 회로 직접도가 급속도로 증가함에 따라 하나의 시스템 칩에 고밀도와 고용량의 내장 메모리가 구현되고 있다. 고장난 메모리를 여분의 메모리로 재배치함으로써 메모리 수율 향상과 사용자에게 메모리를 투명하게 사용할 수 있도록 제공할 수 있다. 본 논문에서는 고장난 메모리 부분을 여분의행과 열 메모리로 효율적인 재배치를 위해 재배치 알고리즘을 제안하고자 한다. 재배치 정보는 고장난 메모리를 매번 테스트 해야만 얻을 수 있다. 매번 테스트를 통해 재배치 정보를 얻는 것은 시간적 문제가 발생한다. 이것을 막기 위해 한번 테스트해서 얻은 재배치 정보를 플래시 메모리에 저장해 해결할 수 있다. 본 논문에서는 플래시 메모리를 이용해 재배치 정보의 활용도를 높인다. With the advance of VLSI technology, the capacity and density of memories is rapidly growing. In this paper, We proposed a reallocation algorithm for faulty memory part to efficient reallocation with row and column redundant memory. Reallocation information obtained from faulty memory by only every test. Time overhead problem occurs geting reallocation information as every test. To its avoid, one test resulted from reallocation information can save to flash memory. In this paper, reallocation information increases efficiency using flash memory.
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고장 모델 기반 메모리 BIST 회로 생성 시스템 설계
이정민,심은성,장훈,Lee Jeong-Min,Shim Eun-Sung,Chang Hoon 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.2
본 논문에서는 사용자로부터 테스트하고자 하는 고장 모델을 입력받아 적절한 much 테스트 알고리즘을 만들고 BIST 회로를 생성해 주는 Memory BIST Circuit Creation System(MBCCS) 을 제안하고 있다. 기존의 툴들은 널리 사용되고 있는 알고리즘에 국한되어 메모리의 사양이 변할 경우 거기에 맞는 BIST 회로를 다시 생성해주는 번거로움이 있었다. 하지만 본 논문에서 제안한 툴에서는 다양해진 메모리 구조에 적합한 메모리 BIST 회로를 사용자 요구에 맞는 알고리즘을 적용해서 자동적으로 생성하게 하였고, 임의적으로 선택된 고장 모델에 대한 알고리즘을 제안된 규칙에 따라 최적화함으로 해서 효율성을 높였다. 또한 다양한 크기의 폭을 갖는 주소와 데이터를 지원하며 IEEE 1149.1 회로와의 인터페이스도 고려하였다. In this paper, we propose a memory BIST Circuit Creation System which creates BIST circuit based on user defined fault model and generates the optimized march test algorithm. Traditional tools have some limit that regenerates BIST circuit after changing the memory type or test algorithm. However, this proposed creation system can automatically generate memory BIST circuit which is suitable in the various memory type and apply algorithm which is required by user. And it gets more efficient through optimizing algorithms for fault models which is selected randomly according to proposed nile. In addition, it support various address width and data and consider interface of IEEE 1149.1 circuit.
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가상 구역에 따른 메모리 자가 치유에 대한 분석 알고리즘
박재흥(Jae-Heung Park),심은성(Eun-Sung Shim),장훈(Hoon Chang) 大韓電子工學會 2009 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.46 No.12
With the advance of VLSI technology, the capacity and density of memories are rapidly growing. In this paper we proposed MRI (Memory built-in self Repair Imagination zone) as reallocation algorithm. All faulty cells of embedded memory are reallocated into the row and column spare memory. This work implements reallocation algorithm and BISR to verify its design. 최근 VLSI 회로 직접도가 급속도로 증가함에 따라 하나의 시스템 칩에 고밀도와 고용량의 내장 메모리(Embedded Memory)가 구현되고 있다. 고장난 메모리를 여분 메모리(Spare Memory)로 재배치함으로써 메모리 수율 향상과 사용자에게 메모리를 투명하게 사용할 수 있도록 제공할 수 있다. 본 논문에서는 고장난 메모리 부분을 여분 메모리의 행과 열 메모리 사용으로 고장난 메모리를 고장이 없는 메모리처럼 사용할 수 있도록 여분 메모리 재배치 알고리즘인 MRI를 제안하고자 한다.
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내장 메모리를 위한 프로그램 가능한 자체 테스트와 플래시 메모리를 이용한 자가 복구 기술
홍원기(Won-Gi Hong),최정대(Jung-Dai Choi),심은성(Eun-Sung Shim),장훈(Hoon Chang) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.45 No.2
메모리 기술이 발달함에 따라 메모리의 집적도가 증가하게 되었고, 이러한 변화는 구성요소들의 크기를 작아지게 만들고, 고장의 감응성이 증가하게 하였다. 그리고 고장은 더욱 복잡하게 되었다. 또한, 칩 하나에 포함되어있는 저장 요소가 늘어남에 따라 테스트 시간도 증가하게 되었다. 본 논문에서 제안하는 테스트 구조는 내장 테스트를 사용하여 외부 테스트 환경 없이 테스트가 가능하다. 제안하는 내장 테스트 구조는 여러 알고리즘을 적용 가능하므로 높은 효율성을 가진다. 또한 고장 난 메모리를 여분의 메모리로 재배치함으로써 메모리 수율 향상과 사용자에게 메모리를 투명하게 사용할 수 있도록 제공할 수 있다. 본 논문에서는 고장 난 메모리 부분을 여분의 행과 열 메모리로 효율적인 재배치가 가능한 복구 기술을 포함한다. 재배치 정보는 고장 난 메모리를 매번 테스트 해야만 얻을 수 있다. 매번 테스트를 통해 재배치 정보를 얻는 것은 시간적 문제가 발생한다. 이것을 막기 위해 한번 테스트해서 얻은 재배치 정보를 플래시 메모리에 저장해 해결할 수 있다. 본 논문에서는 플래시 메모리를 이용해 재배치 정보의 활용도를 높인다. The density of Memory has been increased by great challenge for memory technology, so elements of memory become smaller than before and the sensitivity to faults increases. As a result of these changes, memory testing becomes more complex. The number of storage elements is increased per chip, and the cost of test becomes more remarkable as the cost per transistor drops. Proposed design doesn't need to control from outside environment, because it integrates into memory. The proposed scheme supports the various memory testing algorithms. Consequently, the proposed one is more efficient in terms of test cost and test data to be applied. Moreover, we proposed a reallocation algorithm for faulty memory parts. It has an efficient reallocation scheme with row and column redundant memory. Previous reallocation information is obtained from faulty memory every each tests. However proposed scheme avoids to this problem. because onetime test result from reallocation information can save to flash memory. In this paper, a reallocation scheme has been increased efficiency because of using flash memory.
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