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RF 파워에 따른 상온에서 합성한 AZO 투명전도막의 특성분석
서재근(Jae Keun Seo),고기한(Ki-Han Ko),김재광(Jae Kwang Kim),이종환(Jong Hwan Lee),이유성(You Sung Lee),최원석(Won Seok Choi) 대한전기학회 2009 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.7
In this study, transparent and conductive Al-doped zinc oxide (AZO) films were prepared on glass substrate by RF magnetron sputtering method using an Al-doped ZnO target (Al: 2wt.%) at room temperature as the thickness of 150 ㎚. We investigated the effects of the RF power between 100~350 W in the steps of 50 W on structural, electrical and optical properties of AZO films. The thickness and cross-sectional images of films were observed by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and all of the films were kept to be constant about 150 ㎚ on glass substrate. The grain size of AZO films figured out X-ray diffraction (XRD) on using the Scherrer' equation and their electrical properties investigated Hall effect electronic transport measurement system. Moreover, we measured transmittance of AZO films by UV/VIS spectrometer.
마이크로웨이브 PECVD로 유리 기판위에 합성된 금속 프리 탄소나노튜브
서재근(Jae Keun Seo),고기한(Ki-han Ko),김재광(Jae Kwang Kim),안창호(Chang ho Ahn),이상준(Sang-Joon Lee),김유진(You Jin Kim),박문기(Mungi Park),최원석(Won Seok Choi) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.7
본 연구에서는 금속 프리(Metal-free)한 탄소나노튜브(Carbon nanotubes: CNTs)를 성장시키기 위하여 마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착법(Microwave Plasma Ehanced Chemical Vapor Deposition: MPECVD)을 사용하였으며, 공정조건에 따른 CNTs의 수직 성장 특성을 조사하였다. 비정질 탄소(amorphous catalyst: a-C)층을 금속 프리 CNTs로 성장시키기 위한 촉매로 사용하였다. a-C은 99.99%순도의 탄소타겟(Carbon target)을 활용하여 RF 마그네트론 스퍼터링방법을 이용하여 유리 기판에 합성하였다. CNTs는 메탄가스(CH₄)와 수소가스(H₂)를 반응가스로 활용하여 MPECVD법으로 합성하였다. 촉매층의 활성화를 위해 600℃에서 H₂를 첨가하여 3분 동안 전처리를 하였고, CNTs는 a-C층의 두께에 따라 600℃에서 30분 동안 성장시켰다. 또한 최적화된 두께의 a-C층에서 성장시간에 따라 CNTs의 특성에 대해서 연구하였다.
Selective emitter를 이용한 태양전지 효율 향상
홍근기(Hong, Kuen-Kee),조경연(Cho, Kyeong-yeon),서재근(Seo, Jae-Keun),오동준(Oh, Dong-Joon),심지명(Shim, Ji-Myung),이현우(Lee, Hyun-Woo),김지선(im, Ji-Sun),신정은(Shin, Jeong-Eun),김지수,이은주(Lee, Eun-Joo),이수홍(Lee, Soo-Hong),이해석 한국태양에너지학회 2011 한국태양에너지학회 학술대회논문집 Vol.2011 No.11
The process conditions for high efficiency industrial crystalline Si solar cells with selective emitter were optimized. In the screen printed solar cells, the sheet resistance must be 50-60V/sq. because of metal contact resistance. But the low sheet resistance causes the increase of the recombination and blue response at the short wavelength.Therefore, the screen printed solar cells with homogeneous emitter have limitations of efficiency, and this means that the selective emitter must be used to improve cell efficiency. This work demonstrates the feasibility of a commercially available selective emitter process, based on screen printing and conventional diffusion process. Now,we improved cell efficiency from 18.29% to18.45% by transition of heavy emitter pattern and shallow emitter doping condition.