http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
《침구태성(鍼灸大成)》<책(策)>편(篇)의 분석(分析)을 통(通)한 양계주(楊繼洲)의 의학사상(醫學思想)에 관(關)한 연구(硏究)
이수홍,윤종화,김갑성,Lee, Su-Hong,Yoon, Jong-Hwa,Kim, Kap-Sung 대한침구의학회 2000 대한침구의학회지 Vol.17 No.2
We have known that $\ll$Zhen Jiu Da Cheng, 鍼灸大成$\gg$ had been written by Yang Ji Zhou(楊繼洲) in Ming(明) dynasty. And it had been the only textbook of acupuncture & moxibustion for over 300years. This book is composed of 10 chapters dealing almost all the medical theories of that times. This book is so enormous that it is hard to understand essential ideas of the author. But, Yang Ji Zhou revealed his ideas and medical theories in some parts of this book. This part is named <Ce, 策> that composed of 4 small subjects. These are <Zhu Jia De Shi Ce, 諸家得失策>, <Tou Bu Duo Jiu Ce, 頭不多灸策>, <Xue You Ji Zheng Ce, 穴有奇正策> and <Zhen You Shen Jian Ce, 鍼有深淺策> In this study, I analyze the relation of $\ll$Zhen Jiu Da Cheng, 鍼灸大成$\gg$ and $\ll$Wei Sheng Zhen Jiu Xuan Ji Bi Yao, 衛生鍼灸玄機秘要$\gg$ and then I study <Ce, 策> further by comparing with other parts of $\ll$Zhen Jiu Da Cheng, 鍼灸大成$\gg$ and other important oriental medical textbooks.
이수홍,Lee, S.H.,Queisser, H.J. The Korea Association of Crystal Growth 1994 한국결정성장학회지 Vol.4 No.3
보로실리케이트 유리기판과 석영기판을 사용하여 $800^{\circ}C~520^{\circ}C$의 온도 범위에서 용액 성장법에 의한 다결정 실리콘 박막의 성장에 관해 조사 하였다. 기판상에는 용애과의 젖음성을 좋게 해주기 위해 박막의 알루미늄츠오가 실리콘층이 증착되었으며, 용매로는 알루미늄과 실리콘옥사이드와의 반응에 의해서 일어난다. 결정립 크기가 수백 마이크론까지 이르는 실리콘을 얻을 수 있었으며, 석영기 판의 경우에는 보르실리 케이트 유리기판보다 강한 (111) 우선 성장 방향을 보여주고 있다. We investigated solution growth of silicon on borosilicate and quartz glass substrates in the temperature range of $800^{\circ}C~520^{\circ}C$. A thin Al-Si layer evaporated onto the substrate serves to improve the wetting between the substrate and the Al/Ga solvent. Nucleation takes place by a reaction of Al with $SiO_2$ from the substrate. We obtained silicon deposits with a grain size up to a few 100 $\mu\textrm{m}$. There was a perferential (111) orientation for the case of quartz glass substrates while there is a strong contribution of other orientations for the deposition of Si on borosilicate glass substrates.