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대향타켓식 스퍼터법으로 증착된 ZnO / Glass 박막의 결정학적 특성에 관한 연구
금민종(M. J. Keum),성하윤(H. Y. Seong),손인환(I. H. Son),김경환(K. H. Kim) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
SiO₂/Si 기판과 비정질 slide glass 기판 위에 대향타켓식스퍼터법 (FTS법)을 이용하여 sputtering current 0.1~0.8 A, 방전 가스압 0.5~3 mTorr, 기판온도 R.T~400℃에서 ZnO 박막을 증착하였다. sputtering current 0.4A, 가스압력 0.5 mTorr, 기판온도 300℃에서 증착된 ZnO/glass 박막과 ZnO/SiO₂/Si 박막의 △θ_(50)은 3.8˚와 2.98˚를 각각 나타내었다. 이러한 조건에서 FTS법은 비정질 slide glass 기판 위에서도 우수한 c-축 배향성을 갖는 ZnO 박막을 제작할 수 있다는 것을 알 수 있었다. ZnO thin films were deposited on amorphous slide glass and SiO₂/Si substrates by Facing Targets Sputtering method with sputtering current 0.1~0.8 A, working pressure 0.5~3 mTorr and substrate temperature R.T~400℃. When the sputtering current was 0.4 A, working pressure was 0.5 mTorr and substrate temperature was 300℃, △θ_(50) value of ZnO/glass and ZnO/SiO₂/Si thin film was 3.8° and 2.98°, respectively. In these conditions, we knew that ZnO thin fillm were deposited with good c-axis orientation on amorphous slide glass by FTS system.