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강성수,김영철 진주산업대학교 1991 論文集 Vol.29 No.-
컴퓨터과학을 전공하는 학생에서 컴퓨터의 기본 동작 구조에 대한 이해와 실험을 가능하게 하는 것은 중요한 의미를 가진다. 이를 위해 간단한 가상 모의시스템인 ASSESS를 구현하였다. 본 고에서는 ASSESS의 구조를 내부 구성요소와 그들 사이의 자료 흐름을 살펴본 후, 구현된 어셈블러의 실험환경, 운영 및 형식과 목표 구조의 측면에서 서술하였다. ASSESS 어셈블러는 컴퓨터시스템 개론 과목의 실험환경의 확장을 도모함과 동시에, 시스템 프로그래밍 개론 과목과 어셈블러 교육을 위한 기본 모형으로 활용되어 질 수 있다. 그리고, 부과적으로 XENIX환경을 직접 호출하는 shell기능을 추가하였다. ASSESS는 시스템 소프트웨어 교육의 초보 단계의 이해를 위해 구성되었다. 따라서 실제 컴퓨터 구조에 가까운 구조의 이해를 효과적으로 제공하기 위해, 다음의 확장을 위한 방법이 앞으로의 연구 과제이다. 1) BOE console의 그래픽 환경 2) 다양한 주소지정 방식 3) 구조적 프로그래밍을 위해 부프로그램을 위한 구조 4) 프로그램 실행과정을 추적하기 위한 도구 5) 사용방법 및 실험진행에 관련된 문서화 교육적 목적이외에도 현대적 시스템에서 고려되고 있는 멀티프로세서 시스템, 분산시스템, RISC구조 등에 대한 모의시스템 연구가 ASESS의 확장을 통해 진행된다면, 앞으로의 시스템 구조에 관한 연구 활동에도 많은 효과가 기대된다. It is important for beginning students who major in computer science to understand the basic operation structure of computers and take a laboratory. As a method to obtain the merits in views of laboratory environment and educational effects. we implemented ASSESS which simulates a simple hypothetical computer. After this paper in introduced ASSESS architecture through internal components, flows, and implemented ASSESS assembler is described in the environment of operation, and format and operation of assembler and target architecture. ASSESS assembler have set about expansion a laboratory environment in the course of introducing computer system, and a fundamental model for simulator implementation project in the course of introducing systems programming and for education on basic assembly language
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康聖洙,李原鎭,成德鏞 대구산업정보대학 1996 논문집 Vol.10 No.2
The quenching conductivity reverse was observed in RF glow-discharged a-Si:H by successive annealing above sample preparation temperature and then quenching at 250 ℃. The conductivity reverse was accompanied with the decrease of thermal equilibrium temperature. In the state of quenched conductivity> annealed state, the Fermi level of quenched state is higher than that of annealed state, and vice versa. The defect density induced by quenching was independent of annealing temperature. But it was decreased with measurement temperature and was thermally equilibrated at 180 ℃. From our data, we suggest that the quenching effect in intrinsic a-Si:H was induced by the position change of D˚ states.
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