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고속전단 시험을 이용한 Sn-37Pb BGA solder joints의 기계적 신뢰성 특성 평가
장진규,하상수,하상옥,이종근,문정탁,박재현,서원찬,정승부,Jang, Jin-Kyu,Ha, Sang-Su,Ha, Sang-Ok,Lee, Jong-Gun,Moon, Jung-Tak,Park, Jai-Hyun,Seo, Won-Chan,Jung, Seung-Boo 한국마이크로전자및패키징학회 2008 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.15 No.4
본 연구에서는 BGA(Ball Grid Array) 솔더 접합부에 high impact가 가해졌을 경우 접합부의 기계적 특성에 대해서 연구하였다. 시편은 ENIG(Electroless Nickel Immersion Gold) 표면 처리된 FR-4 기판 위에 직경이 500 ${\mu}m$인 Sn-37Pb 솔더볼을 BGA 방식으로 배열하고 리플로우(Reflow)를 통하여 제작하였다. HTS(High Temperature Storage) 테스트를 위해, 시편을 일정한 온도의 $120^{\circ}C$에서 250시간 동안 시효처리(Aging)를 실시하였다. 시효처리 후, 각각의 시편은 고속 전단 시험기(Dage-4000HS)를 이용하여 속도 변수는 0.01, 0.1, 1, 3 m/s로 설정하여 고속전단 시험을 실시하였다. 전단시험 후, 솔더 접합 계면과 파면을 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)을 통하여 관찰하였다. 솔더 접합 계면에는 $Ni_3Sn_4$의 금속간 화합물이 성장하였으며, 시효처리 후, 솔더 접합 계면에 생성된 금속간 화합물의 두께가 증가하는 것을 관찰 할 수 있었다. 전단 시험 결과, 전단 속도가 빨라짐에 따라 전단 강도값은 증가하는 경향을 나타내었다. 솔더 접합부의 파단은 전단 속도와 시효처리 시간에 따라 다양한 파괴 모드로 진행됨을 알 수 있었다. 또한, 파괴 모드는 연성파괴 형상을 보이다가 전단속도가 증가함에 따라 취성 파괴 형상으로 변하는 것을 알 수 있었다. The mechanical shear strength of BGA(Ball Grid Array) solder joints under high impact loading was investigated. The Sn-37Pb solder balls with a diameter of $500{\mu}m$ were placed on the pads of FR-4 substrates with ENIG(Electroless Nickel Immersion Gold) surface treatment and reflowed. For the High Temperature Storage(HTS) test, the samples were aged a constant testing temperature of $120^{\circ}C$ for up to 250h. After the HTS test, high speed shear tests with various shear speed of 0.01, 0.1, 1, 3 m/s were conducted. $Ni_3Sn_4$ intermetallic compound(IMC) layer was observed at the solder/Ni-P interface and thickness of IMC was increased with aging process. The shear strength increased with increasing shear speed. The fracture surfaces of solder joints showed various fracture modes dependent on shear speed and aging time. Fracture mode was changed from ductile fracture to brittle fracture with increasing shear speed.
장진규(Jin Kyu Jang),장영범(Young Beom Jang) 大韓電子工學會 2011 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.48 No.8
이 논문에서는 Extended QRD-RLS 등화기의 성능을 분석한다. Extended QRD-RLS 등화기는 시스톨릭 어레이(Systolic Array) 구조를 사용하여 구현되므로 이 구조의 등화기에 여러 가지 길이의 송신 신호를 보내어 등화기 성능을 분석하였다. 분석 방법은 채널의 주파수 응답과 등화기의 주파수 응답을 곱하여 전체 시스템의 주파수 응답에 대한 편평도를 관찰하는 방식을 사용하였다. 송신 신호의 길이를 8, 16, 32, 64개로 변화시키며 4 탭 등화기의 편평도를 관찰하였으며, 5 탭 등화기에 대하여도 같은 실험을 반복하였다. 각각의 탭 수에 대하여 공통으로 16개의 송신 신호 길이일 때에 편평도가 현저히 향상됨을 관찰할 수 있었다. In this paper, performances of the extended QRD-RLS equalizer is analyzed. Since the extended QRD-RLS equalizer is efficiently implemented by systolic array architecture, we analyze performances of this structure with signals of different lengths. By multiplying the frequency responses of the unknown channel and proposed equalizer, we observed the flatness of the overall system function. Through the simulation, it is shown that the performance of the extended QRD-RLS equalizer is remarkably increased with input signals of length 16.
Ag 중간층이 SnO₂ 박막의 광학적, 전기적 특성에 미치는 영향
장진규(Jin-Kyu Jang),김현진(Hyun-Jin Kim),최재욱(Jae-Wook Choi),이연학(Yeon-Hak Lee),허성보(Sung-Bo Heo),김유성(Yu-Sung Kim),공영민(Young-Min Kong),김대일(Daeil Kim) 한국표면공학회 2021 한국표면공학회지 Vol.54 No.3
SnO₂ single layer and SnO₂/Ag/SnO₂ (SAS) tri-layered films were deposited on the glass substrate by RF and DC magnetron sputtering at room temperature and then the effect of Ag interlayer on the opto-electrical performance of the films were considered. As deposited SnO₂ films show a visible transmittance of 85.5 % and a sheet resistance of 1.2⨉10⁴ Ω/□, the SAS films with a 15 nm thick Ag interlayer show a lower resistance of 18.8 Ω/□ and a visible transmittance of 70.6 %, respectively. The figure of merit based on the optical transmittance and sheet resistance revealed that the Ag interlayer in the SnO₂ films enhances the opto-electrical performance without substrate heating or annealing process.
전자빔 표면 조사에 따른 SnO₂/Ag/SnO₂ 박막의 특성 연구
장진규(Jin-Kyu Jang),김현진(Hyun-Jin Kim),최재욱(Jae-Wook Choi),이연학(Yeon-Hak Lee),공영민(Young-Min Kong),허성보(Sung-Bo Heo),김유성(Yu-Sung Kim),김대일(Daeil Kim) 한국표면공학회 2021 한국표면공학회지 Vol.54 No.6
SnO₂ 30/Ag 15/SnO₂ 30 ㎚(SAS) tri-layer films were deposited on the glass substrates with RF and DC magnetron sputtering and then electron beam is irradiated on the surface to investigate the effect of electron bombardment on the opto-electrical performance of the films. electron beam irradiated tri-layer films at 1000 eV show a higher figure of merit of 2.72×10<SUP>-3</SUP> Ω<SUP>-1</SUP> than the as deposited films due to a high visible light transmittance of 72.1% and a low sheet resistance of 14.0 Ω/□, respectively. From the observed results, it is concluded that the post-deposition electron irradiated SnO₂ 30/Ag 15/SnO₂ 30 ㎚ tri-layer films can be used as a substitute for conventional transparent conducting oxide films in various opto-electrical applications.
CIC 데시메이션 필터를 이용한 Sigma-Delta A/D 변환기 이득 최적화 방식
장진규(Jin Kyu Jang),장영범(Young Beom Jang) 大韓電子工學會 2010 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.47 No.4
이 논문에서는 Sigma-Delta A/D 변환기의 새로운 이득 최적화 방식을 제안한다. 제안된 방식에서는 변조기의 SNR을 최대화하는 다수개의 이득 값 후보군을 먼저 선정한 후에 CIC 데시메이션 필터를 통과시켜 가장 작은 MSE를 보이는 이득 값을 결정하는 방식이다. 실험에 사용된 변조기는 단순화를 위하여 1차의 단일 비트 변조기를 사용하였다. 모의실험을 통하여 변조기의 후보군 중 2위를 기록한 이득 값이 가장 작은 MSE를 보였다. 제안된 방식은 변조기의 SNR을 최대화하는 기존의 아이디어와 데시메이션 필터로 사용되는 CIC 필터의 샘플 합 특성을 이용하여 최적의 이득 값을 결정하는 방식이다. In this paper, we propose a new gain optimization technique for Sigma-Delta A/D converters. In the proposed scheme, multiple gain set candidates showing maximum SNR in the modulator block are selected, and then multiple gain set candidates are investigated for minimum MSE in decimation block. Through CIC decimation filter simulation, it is shown that second SNR ranking candidate in modulation block is the best gain set.
전자빔 표면조사에 따른 ZnO/Ag/ZnO 박막의 전기광학적 완성도 연구
김현진(Hyun-Jin Kim),이연학(Yeon-Hak Lee),장진규(Jin-Kyu Jang),최재욱(Jae-Wook Choi),최수현(Su-Hyeon Choe),허성보(Sung-Bo Heo),김준호(Jun-Ho Kima),김대일(Daeil Kim) 한국생산제조학회 2023 한국생산제조학회지 Vol.32 No.1
Transparent ZnO/Ag/ZnO tri-layered films were deposited on a glass substrate using radio frequency and direct current magnetron sputtering. The thicknesses of the ZnO and Ag films were maintained at 30 and 10 nm, respectively, to consider the effects of electron irradiation on the optoelectrical properties of the films. XRD spectra revealed that post-deposition electron irradiated films exhibited characteristic peaks of ZnO (002) and Ag (111), respectively. The observed grain sizes of ZnO (002) and Ag (111) increased to 7.1 and 8.4 nm, respectively, under an irradiation condition of 900 eV, and the surface roughness of the electron irradiated films at 900 eV was reduced to 1.29 nm. The as-deposited films showed a figure of merit, indicating the optoelectrical performance of the films, of 4.1×10<SUP>-3</SUP> Ω<SUP>-1</SUP>, whereas the films electron irradiated at 900 eV showed a higher figure of merit of 1.1×10<SUP>-2</SUP> Ω<SUP>-1</SUP>.
김도훈(Kim, Do-Hoon),장진규(Jang, Jin-Kyu),홍대기(Hong, Dae-Ki) 한국산학기술학회 2008 한국산학기술학회 학술대회 Vol.- No.-
본 논문에서는 다중부호 신호(multi-code signal)를 정진폭으로 전송하는 정진폭 다중 부호 트랜스 이 진직교 변조방식에서 사용될 수 있는 오류 제어 부호를 제안한다. 격자부호를 사용하여 시스템의 비트 오율 성능을 높이는 방식이 정진폭 다중 부호 트랜스 이진직교 변조 방식에 적합함을 보인다. 정진폭 다중 부호 트랜스 이진직교 변조방식에서는 정진폭을 유지하기 위해 세로축의 패리티 비트를 사용하 여 신호를 부호화 하게 된다. 제안된 시스템에서는 정진폭을 유지하기 위해 사용되는 세로축의 패리티 비트외에 추가적으로 부호화를 수행하여 가로축의 패리티 비트를 부가하되 격자구조가 되도록 하여 비트오율 성능의 개선을 최대화 한다. 제안된 시스템은 시스템 복잡도의 증가가 거의 없으며 복호기도 매우 간단하게 구현될 수 있다. 실험결과에 의하면 제안된 시스템은 격자구조를 사용하지 않은 시스템 에 비해 성능의 개선이 있음을 알 수 있다.