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Jang, J.W.,Ko, S.Y.,Byoun, M.S.,Sung, H.W.,Lim, C.S. Elsevier Science 2015 Journal of clinical virology Vol.73 No.-
Background: Rapid identification and subtype determination of influenza virus is important in managing infected patients. Rapid influenza diagnostic tests (RIDTs) are widely used in this manner, but most can only detect influenza A and B viruses without subtyping. A new RIDT, GENEDIA Multi Influenza Ag Rapid Test (GENEDIA), was developed for detection of influenza A and B viruses and also subtyping of influenza A to H1, H3, H5 which has not been possible with other RIDTs. Objectives: Assess the performance of GENEDIA. Study design: Nasopharyngeal swabs were collected from 274 clinically suspected patients (influenza A/H1N½009 (n=50), influenza A/H3 (n=50), influenza B (n=73) and influenza-negative (n=101)) and analyzed with the real-time RT-PCR, GENEDIA, SD Bioline Influenza Ag, and Alere BinaxNow Influenza A&B Card. Also, 46 fecal specimens (H5N2 (n=3), H5N3 (n=3)) of spot-billed duck were analyzed with RT-PCR and GENEDIA. Results: Compared to real-time RT-PCR, the sensitivities of GENEDIA, SD Bioline Influenza Ag, and Alere BinaxNow Influenza A&B Card were 73.0%, 57.0%, 58.0% for influenza A, respectively, and 68.5%, 65.8%, 57.5% for influenza B, respectively. Specifically, the sensitivity of GENEDIA was 70.0% for influenza A/H1N½009 and 76.0% for influenza A/H3. From the avian influenza samples, GENEDIA detected all six H5 subtype without any cross-reactions. Conclusion: The GENEDIA Multi Influenza Ag Rapid Test was sensitive in detecting influenza viruses compared with other commercial RIDTs and also useful for rapid subtype determination of influenza A.
Glass / p μc-Si:H 특성에 따른 i μc-Si:H 층 및 태양전지 특성변화 분석
장지훈(Jang, J.H.),이지은(Lee, J.E.),김영진(Kim, Y.J.),정진원(Jung, J.W.),박상현(Park, S.H,),조준식(Cho, J.S.),윤경훈(Yoon, K.H.),송진수(Song, J.),박해웅(Park, H.W.),이정철(Lee, J.C.) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.06
PECVD를 이용하여 제조된 미세결정질 p-i-n 실리콘 박막 태양전지에서, p 층은 태양전지의 윈도우 역할 및 그 위에 증착될 i {mu}c-Si:H 층의 'seed'층 역할을 수행하기 때문에, p층의 구조적 및 전기적, 광학적 특성은 태양전지의 전체 성능에 큰 영향을 미칠 수 있다. 본 연구에서는 SiH₄ 농도를 변화시켜 각기 다른 결정 특성을 갖는 p {mu}c-Si:H층을 제조하고 그 위에 i {mu}c-Si:H 층을 증착하여 p층의 결정 특성변화와 그에 따른 i {mu}c-Si:H 층 및 'superstrate' p-i-n 미세결정질 실리콘 박막 태양전지의 특성 변화를 조사하였다. P층의 경우, SiH₄ 농도가 증가함에 따라 결정분율 (Xc)이 감소하여 비정질화되었으며 그에 따라 dark conductivity가 감소하는 경향을 나타내었다. 각기 다른 결정분율을 가지는 p 'seed' 층 위에 증착된 태양전지는, p 'seed' 층의 결정분율이 증가함에 따라 개방전압, 곡선인자, 변환효율이 경향적으로 감소하였다. 이는 p 층 결정분율 변화에 따른 p/i 계면특성 저하 및 그 위에 증착되는 i {mu}c-Si:H 층의 결함밀도 증가 등에 따른 태양전지 특성 감소 때문인 것으로 판단되며, 이를 분석하기 위하여 i {mu}c-Si:H 층의 전기적, 구조적 특성 분석 및 태양전지의 dark I-V 특성 등을 분석하고자 한다.
Kim, W.,Jang, B.,Lee, H.S.,Lee, W. Elsevier Sequoia 2016 Sensors and actuators. B Chemical Vol.224 No.-
H<SUB>2</SUB> sensors composed of Pd films of 10nm thickness were prepared on a compliant poly(dimethylsiloxane) (PDMS) substrate, using a combination of an initial H<SUB>2</SUB> concentration of 0.5% and mechanical elongation of the samples by 50% of their original length. The initial feed of hydrogen gas was controlled for the PDMS/Pd films, and then an on-off switching response was measured with H<SUB>2</SUB> concentrations ranging from 0.01% to 0.5%. The Pd films exhibited a nanogap width of less than 50nm. The sensors exhibited slightly degraded sensing performances in humidified H<SUB>2</SUB> in a N<SUB>2</SUB> environment, whereas their performance, in terms of their saturation current, showed little variation in an ambient atmosphere. This may be the result of a retarding effect caused by water adsorption on the Pd film surface, which decreases the number of active sites available for H<SUB>2</SUB> adsorption. The sensor was exposed to several toxic gases such as CO, NO, NO<SUB>2</SUB>, and NH<SUB>3</SUB>, after a single cycle of H<SUB>2</SUB> exposure. The nanogaps in the multi-nanogap structure exhibited selective reactivity with H<SUB>2</SUB> but showed no response to the other gases to which they were exposed or no resulting degradation.
CAN통신을 이용한 H-브릿지 멀티레벨 인버터의 PWM 동기화 및 위상전이 방법
박영민(Y.M.Park),유한승(H.S.Yoo),장성영(S.Y.Jang),이현원(H.W.Lee),이세현(S.H.Lee),서광덕(K.D.Seo) 전력전자학회 2004 전력전자학술대회 논문집 Vol.- No.-
H-브릿지 멀티레벨 인버터는 여러 개의 단상 Power Cell을 직렬로 연결함으로써 저전압 전력용 반도체를 사용하여 고전압을 얻을 수 있고, 정현파에 가까운 출력전압 파형을 얻을 수 있는 멀티레벨 인버터 토폴로지이다. 본 토폴로지는 출력전압 레벨에 비례하여 Power Cell의 수가 증가하므로, 주제어기의 연산능력에 대한 부담증가와 신호선의 많아지는 단점이 있다. 따라서 Power Cell제어를 직접적인 PWM 신호가 아닌 통신을 사용함으로써 이러한 단점을 극복할수 있으며, 신뢰성 측면이나 보수/유지 측면에서도 유리하다. 본 논문은 산업현장에서 신뢰성을 인정받아 많이 사용되고 있는 직렬통신 방식의 일종인 CAN통신 인터럽터를 이용한 H-브릿지 멀티레벨 인버터 Power Cell의 PWM 동기화 및 위상전이 방법에 관한 것이다. 제안된 방법의 주요 장점은 주제어기와 셀 제어기 사이에 직렬통신(CAN)을 사용함으로써 주제어기와 셀 제어기의 신호선의 단순화, 주제어기의 부담 감소, Power Cell의 모듈화, 셀 단위의 보호동작 용이, 확장성 향상 그리고 제어 신호 및 Power Cell의 신뢰성을 향상에 있다. 13레벨로 구성된 H-브릿지 멀티레벨 인버터 시험을 통해 제안된 방법의 타당성과 신뢰성을 입증하였다.
N₂/ CH₄가스비에 따른 Hydrogenated Amorphous Carbon Nitride 박막의 특성
장홍규(H. K. Jang),김근식(G. S. Kim),황보상우(S. W. Whangbo),이연승(Y. S. Lee),황정남(C. N. Whang),유영조(Y. Z. Yoo),김효근(H. G. Kim) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.3
DC saddle-field-plasma-enhanced chemical-vapor deposition(PECVD) 장치를 이용하여 상온에서 p-type Si (100) 기판위에 hydrogenated amorphous carbon nitride [a-C:H(N)]박막을 증착하였다. 원료가스인 CH₄과 N₂의 전체압력은 90 mTorr로 고정하고 N₂/CH₄비를 0에서 4까지 변화하면서 제작한 a-C:H(N) 박막의 미세 구조의 변화를 연구하였다. 진공조의 도달 진공도는 1×10^(-6) Torr이고, 본 실험시 CH₄+N₂가스의 유량은 5 sc㎝으로 고정하고 배기량을 조절하여 진공조의 가스 압력을 90 mTorr로 고정하였으며 기판에 200 V의 직류 bias 전압을 인가하였다. α-step과 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용한 분석결과 N₂/CH₄비가 0에서 0.5로 증가함에 따라 박막 두께는 4840 Å에서 2600 Å으로 급격히 감소하였으며, 박막내의 탄소에 대한 질소함유량(N/C비)는 N₂/CH₄비가 4일때 최대 0.25로 증가하는 것을 확인하였다. 또한 XPS 스펙트럼의 fitting 결과 N₂/CH₄비가 증가할수록 CN결합이 증가하였다. Fourier Transformation Infrared (FT-IR) 분석결과 N₂/CH₄비가 증가함에 따라 박막내의 C-H 결합은 감소하고, N-H, C≡N 결합은 증가하였다. Optical bandgap 측정 결 과 N₂/CH₄비가 0에서 4로 증가함에 따라 a-C:H(N)박막의 bandgap 에너지는 2.53 eV에서 2.3 eV로 감소하는 것을 확인하였다. Hydrogenated amorphous carbon nitride[a-C:H(N)] films were deposited on p-type Si(100) at room temperature with substrate bias voltage of 200 V by DC saddle-field plasma-enhanced chemical vapor deposition. Effects of the ratio of N₂to CH₄(N₂/CH₄), in the range of 0 and 4 on such properties as optical properties, microstucture, relative fraction of nitrogen and carbon, etc. of the films have been investigated. The thickness of the a-C:H(N) film was abruptly decreased with the addition of nitrogen, but at N₂/CH₄> 0.5, the thickness of the film gradually decreased with the increase of the N₂/CH₄. The ratio of N to C(N/C) of the films was saturated at 0.25 with the increase of N₂/CH₄. N-H, C≡N bonds of the films increased but C-H bond decreased with the increase of N₂/CH₄. Optical band gap energy of the film decreased from 2.53 eV deposited with pure methane to 2.3 eV at the ratio of N₂/CH₄=4.