http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
LDD 구조의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 특성과 최적화
황한욱,황성수,김용상 명지대학교 대학원 1998 대학원논문집 Vol.2 No.-
We have fabricated a LDD structured polysilicon thin film transistor with low leakge current and be optimized LDD length has been obtained. The device performance is improved by hydrogen passivation process. The on/off current ratio of poly-Si TFT's with 0.5㎛ and 1.0㎛ LDD length is much higher than that of conventional structured device due to the decrease of leakage current. The optimized LDD length may be 0.5㎛ from the experimental data such as on/off current ratio, threshold voltage and hydrogenation effect.
수소화를 고려한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 전기적 스트레스의 영향
황성수,황한욱,김용삼 명지대학교 대학원 1999 대학원논문집 Vol.3 No.-
We have investigated the effects of electrical stress on poly-Si TFTs with different hydrogen passivation conditions. The amounts of threshold voltage shift of hydrogen passivated poly-Si TFTs are much larger than those of as-fabricated devices both under the gate bias stressing and under the gate and drain bias stressing. Also, we have quantitatively analyzed the degradation phenomena using by analytical method we have suggested that the electron trapping in the gate dielectric is the dominant degradation mechanism in only gate bias stressed poly-Si TFT while the creation of defects in the channel region and poly-Si/SiO_2 interface is prevalent in gate and drain bias stressed device.
누설전류 특성이 향상된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제작 및 특성에 관한 연구
황한욱,황성수,김동진,김용상 명지대학교 대학원 1997 대학원논문집 Vol.1 No.-
We have fabricated a LDD structured polysilicon thin film transistor with low leakge current and the optimized LDD length has been obtained. The device performance is improved by hydrogen passivation process. The on/off current ratio of poly-Si TFT's with 0.5 ㎛ and 1.0 ㎛ LDD length is much higher than that of conventional structured device due the decrease of leakage current. The optimized LDD length may be between 0.5 ㎛ and 1.0 ㎛ from the experimental data such as on/off current ratio, threshold voltage and hydrogenation effect.
순차적으로 도우핑한 드레인을 가지는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 특성 및 수소화 효과
황성수,김동진,황한욱,김용상 명지대학교 대학원 1997 대학원논문집 Vol.2 No.-
We have fabricated a novel gradually doped drain(GDD) structured poly-Si thin-film transistor. The GDD poly-Si TFTs reduce a fabrication process step, compared with the conventional LDD poly-Si TFT. without LDD implant by employing taper etched Si0_2 film instead of LDD implantation mask. The leakage current of GDD device is reduced two orders of magnitude from 21.52×10 exp (-9) A to 0.14×10 exp (-9) A in OFF state while keeping the ON current to be almost identical to that of the non-LDD poly-Si TFT's After 5 hours hydrogen passivation, the ON/OFF current ratio is increased by four times of magnitude, and the device characteristics, such as threshold voltage, subthreshold slope and leakage current, are improved remarkably.
Hwang, Han-Wook,Ahn, Yung-Kyum,Soh, Chin-Thack INSTITUTE OF TROPICAL MEDICINE YONSEI UNIVERSITY 1979 YONSEI REPORTS ON TROPICAL MEDICINE Vol.10 No.1
간흡충 예방사업에 있어 자연계에서 생활사의 일부분을 차단할 목적으로 제 1중간 숙주인 왜우렁(Parafossarulus manchouricus)이나 유충으로서의 cercaria(有尾幼?) 박멸을 시도, 많은 연구가 실시되어 왔으나 큰 성과를 보지 못하고 있는 실정이다. 西本(1958)는 농촌에서의 농약사용은 그 성분의 하천유입으로 魚貝類의 사멸을 초래케한다 하였고 李·孔(1958) 및 金 (1965)은 洛東江 지류인 금호강에서 과수원에서 사용한 농약의 유입으로 제 1 중간숙주인 왜우렁과 제 2중간숙주인 담수어의 被囊幼? 감염률이 감소됨을 관찰하였다. 본 연구는 최근 농약사용량이 많아짐에 따라 점차 왜우렁의 서식도가 현저하게 감소되고 있는 점을 고려하여 농약의 cercaria에 대한 살충작용과 제 1중간숙주인 왜우렁에 대한 살패작용을 조사하여 생활사에 미치는 영향을 추구하였다. 농약은 현재 널리 사용되고 있는 것 중 殺菌劑로서 ① Bla-S2%(1:1,000), ②Polyramcombi 80%(1:800), ③ Oscodide 50% (1:400)를, 殺?劑로서 ④ Diazinon 34%(1:1,000) ⑤ Sevin 50%(1:800), ⑥ Cartap 50%(1:1,000)를, 除草劑로서 ⑦ 2, 4 - D 40%(1:1,500), ⑧ Simanex 50%(1:1,000)를 선택하였다 (%는 주성분 함량, 괄호내는 실제 농촌에서 사용희석 배수). 왜우렁은 자연계에서 농약의 영향을 받지 않은 섬진강 상류 산간지역인 全北 任實郡 江津面에서 완전 성숙한 것을 채집하였으며 cercaria는 자연 감염된 왜우렁에서 自然遊出法 (natural emerging)으로 수집하여 사용하였다. 농약의 희석은 실제 농촌에서 사용시의 稀釋常用濃度를 기준하여 倍加稀釋(2배, 4배, 8배 …)하였으며 각 희석에 따른 농약성분 함량은 ㎎/㎖로 산출하였다. 모든 실험은 실험실 내에서 행하여 졌으며 cercaria에 대한 살충작용은 실온 25°±2℃, 왜우렁에 대한 살패작용은 실온 21°∼25℃였다. 그 결과는 다음과 같다. 1. Cercaria에 대한 殺具作用 가) 가가 희석액에서 10∼20분 간격으로 관찰하였으며 총체적으로 1시간 이내에 살충효과를 나타내는 희석배수 (괄호내는 주성분 함량)와 생존가능시간은 ① Bla-S 2배 (0.01㎎/㎖) 30분 ② Polyramcombi 16배(0.025㎎/㎖) 40분, ③ Oscodide 128배 (0.0098㎎/㎖) 20분, ④ Diazinon 32배(0.0106㎎/㎖) 40분, ⑤ Sevin 8배(0.0775㎎/㎖) 30분, ⑥ Cartap 128배(0.0039㎎/㎖) 10분, ⑦ 2, 4 - D 실제사용농도(0.2667㎎/㎖) 60분간 생존, ⑧ Simanex 128배(0.0039㎎/㎖) 40분이었다. 나) 실제사용농도의 희석배수에 의한 살충효과(실제농촌에서의 효율)는 Cartap, Osocide, Diazinon, Polyramcombi, Sevin 및 Bla-S의 순이다. 그리고 제초제 (2,4-D, Simanex)는 살충작용의 효율이 아주 저조하였다. 2. 왜우렁에 대한 殺貝作用 가) 각 희석농도 내에서 24시간, 48시간 노출시키고 완전 사멸되었을 때의 희석 배수와 농도는 다음과 같다. ① Bla-S 24시간 - 8배 (0.0o250㎎/㎖), 48시간 - 24시간과 동일 ② Polyramcombi 24시간 - 32배 (0.0313㎎/㎖), 48시간 - 24시간과 동일, ③ Oscodide 24시간 - 16배 (0.0781㎎/㎖), 48시간 - 32배 (0.0097㎎/㎖), ④ Diazinon 24시간 - 128배(0.0027㎎/㎖), 48시간 - 256배(0.0013㎎/㎖), ⑤ Sevin 24시간 - 64배(0.0097㎎/㎖), 48시간 - 256배 (0.0024㎎/㎖), ⑥ Cartap 24시간 - 1,024배 (0.0005㎎/㎖), 48시간 - 2,048배 (0,00024㎎/㎖), ⑦⑧ 2,4-D 및 Simanex 실제 사용농도에서 24, 48시간 공히 생존하였다. 이번 실험에 사용농약중 Cartap은 살충, 살패작용이 가장 우수한 농약임을 알 수 있었다. 이상과 같이 농약별로 효율의 차이는 있으나 전반적으로 아주 저농도에서도 살충, 살패작용을 나타내고 있음을 알 수 있었다. 농약의 사용은 7∼9월이 가장 많이 사용되는 시기이고 주로 살포농약은 살충제와 살균제이다. 농약살포 시기는 왜우렁에서 유출되는 cercaria의 最多期와도 일치한다. 이러한 사실들은 최근 농약의 사용빈도와 양이 증가됨에 따라 담수중에 서식하는 중간숙주인 패류의 발육, 번식에의 영향은 물론 cercaria의 활동저해 또는 사멸을 초래케 할 것이다.