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선박 해양 구조물의 Zigbee(IEEE 802.15.4)기반의 WSN 적용을 위한 HW/SW 플랫폼 개발
최시영(Choi, S.Y.),김상진(Kim, S.J),김대석(Kim, D.S.),이경호(Lee, G.H) (사)한국CDE학회 2010 한국 CAD/CAM 학회 학술발표회 논문집 Vol.2010 No.1
Nowadays wireless sensor network technology has been adapted many areas. From personal to society environment sensor networking field has been being larger with a wide range of applications, also many technologies are embodying a wireless sensor network. In this report we are taking one of wireless technologies to ship building industry. Shipbuilding industry is one of the comprehensive industries also there are a lot of applications of technology and a lot of sensors are used in that. For that reason, these days wireless sensor network technology has been needed in maritime transportation. This study proposes that a USN based pipline maintenances system in maritime constructor especially we make a prototype using zigbee and Atmega128 AVR system.
최시영(S.Y. Choi),김래영(R.Y. Kim),권형남(H.N. Kwon),송종환(J.W. Song) 전력전자학회 2003 전력전자학술대회 논문집 Vol.2003 No.7(2)
분산전원용 계통연계 인버터가 효율적인 분산전 원으로 사용되기 위해서는 기존 계통과 협조 운전이 필요하다. 따라서 전류제어 외에 무효전력의 제어, 계통과 연계시의 PLL 제어, 단독운전 방지 제어 등의 다양한 <br/> 기능이 필요하다 그러나 단상 시스템의 경우, 3상 시스템과 달리 교류전력을 다뤄야 하므로, 제어 시 위상 지연이 발생하게 되고 무효전력을 제어하기 어려운 문제점등이 발생된다. 따라서 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 dq 모델을 단상시스템에 적용하여 단상 제어의 문제점을 보완하였다
Co / Si 시스템에서 capping layer에 따른 코발트 실리사이드 박막의 형성에 관한 연구
김해영(H. Y. Kim),김상연(S. Y. Kim),고대홍(D. H. Ko),최철준(C. J. Choi),김철성(C. S. Kim),구자흠(J. H. Ku),최시영(S. Y. Choi),Kazuyuki Fujihara(K. Fujihara),강호규(H. K. Kang) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
코발트 실리사이드 형성에 있어서 Capping layer로써의 Ti의 역할에 대한 연구를 수행하였다. 실리콘 산화막이 제거된 Si(100) 기판과 H₂SO₄에 의한 chemical oxide를 형성한 Si(100) 기판 위에 Co와 Ti를 증착한 후 열처리 온도 증가에 따른 계면반응과 상변화 등의 미세구보와 면저항 특성의 변화를 four point prove, XRD, TEM, SIMS등의 분석을 통하여 TiN capping, capping layer가 없는 경우에 대하여 비교하였다. 실리콘 산화막이 제거된 Si 기판 상에서 Ti capping의 경우 TiN capping, capping layer가 없는 경우보다 높은 온도에서 CoS₂상이 형성되었으며, chemical oxide가 형성된 Si 기판 상에서는 Ti capping의 경우 코발트 실리사이드 박막을 형성 할 수 있었다. 이것은 capping layer인 Ti가 1차 RTA(Rapid Thermal Annealing 동안 Si 기판 방향으로 확산 침투하여 Co와 Si 사이에 존재하는 실리콘 산화막을 분해하는 역할을 하기 때문이다. We investigated the role of the capping layers in the formation of the cobalt silicide in Co/Si systems with TiN and Ti capping layers and without capping layers. The Co/Si interfacial reactions and the phase transformations by the rapid thermal annealing (RTA) processes were observed by sheet resistance measurements, XRD, SIMS and TEM analyses for the clean silicon substrate as well as for the chemically oxidized silicon substrate by H₂SO₄. We observed the retardation of the cobalt disilicide formation in the Co/Si system with Ti capping layers. In the case of Co/SiO₂/Si system, cobalt silicide was formed by the Co/Si reaction due to with the dissociation of the oxide layer by the Ti capping layers.
Si₃N₄상에 PECVD법으로 형성한 텅스텐 박막의 특성
이찬용(C. Y. Lee),배성찬(S. C. Bae),최시영(S. Y. Choi) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.2
Si₃N₄상에 PECVD법으로 W 박막을 증착하였다. 기판온도와 소스가스의 유량비가 텅스텐 박막에 미치는 영향을 조사하였다. 150℃~250℃의 온도 범위 내에서 텅스텐 박막의 증착은 표면반응에 의하여 제한되었으며, 기판온도와 SiH₄/WF_6 유량비 변화에 따라 150~530 Å/min의 증착률과 0.85~14.35×10^9 dynes/㎠ 의 스트레스 값을 나타내었다. SiH₄/WF_6 유량비 변화는 W 박막의 증착률과 스트레스에 영향을 주었고, 특히 과도한 SiH₄가스는 W 박막의 구조, 화학적 결합, 스트레스등을 급격히 변화시켰다. TiN, Ti, Mo, NiCr, Al 등 여러 가지 부착층 상에 텅스텐 박막을 증착시킨 결과, Al이 가장 좋은 부착특성을 보였다. The W thin films were deposited on Si₃N₄ by a PECVD technique. The effects of substrate temperature and gas flow ratio on the properties of the W films were investigated. The deposition of W films were limited by surface reaction at the temperature range of 150~250℃, W films had the deposition rate of 150~530 Å/min and stress of 0.85~14.35×10^9 dynes/㎠ at various substrate temperatures and SiH₄/WF_6 flow ratios. SiH₄/WF_6 flow ratio affected the deposition rate and stress of the W films, expecially, excessive flow of SiH₄ abruptly changed the structure, chemical bonding, and stress of the W films. Among the deposited W films on TiN, Ti, Mo, NiCr, and Al adhesion layer, the one on the Al had the best adhesion property.
고주파 마그네트론 스펏터링법으로 제조한 PLT 박막의 특성
최병진,박재현,김영진,최시영,김기완 ( B. J . Choi,J . H . Park,Y . j . Kim,S . Y . Choi,K . W . Kim ) 한국센서학회 1995 센서학회지 Vol.4 No.3
The PLT thin films on MgO substrate have been fabricated by RF magnetron sputtering and the dependence of properties on fabrication conditions have been studied. The PbO-rich target was used and the optimum fabrication conditions of the PLT thin films were such that substrate temperature, working pressure, Ar/O₂ ratio, and rf payer was 640℃, 10 mTorr, 10 1, and 1.7 W/㎠, repectively. In these conditions, the PLT thin film showed the deposition rate of 62.5Å/min, the Pb/Ti ratio of 1/2, and the dielectric constant of 200. The FLT thin film showed good c-axis orientation and crystalinity acording to XRD and SEM analysis.
PLT(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3타켓의 제조 및 rf - magnetron sputtering 법으로 박막형성
정재문,조성현,박성근,최시영,김기완 ( J . M . Jung,S . H . Cho,S . G . Park,S . Y . Choi,K . W . Kim ) 한국센서학회 1997 센서학회지 Vol.6 No.1
Using a rf-magnetron sputtering method, highly c-axis oriented La modified PbTiO₃ (PLT) ferroelectric thin films with compositions of (Pb_(1-x)La_x)Ti_(1-x)₄O₃, where x=0.05, x=0 and x=0.15, have been obtained on (100)MgO single crystal substrate under conditions of low gas pressure. The degree of c-axis orientation of PLT films decreases with increasing gas pressure and with increasing La contant. These films were characterized by X-ray diffraction and SEM. PLT thin films of x=0.05, 0.1 and 0.15 show a low dielectric constant of 218, 246 and 3f 1 at 1 kHz and remanent polarization(Pr) of 9μC/㎠, 8μC/㎠ and 7μC/㎠.
권형남(H.N. Kwon),김래영(R.Y. Kim),최시영(S.Y. Choi),정홍주(H.J. Hong),최대식(T.S. Choi),송종환(J.W. Song) 전력전자학회 2003 전력전자학술대회 논문집 Vol.2003 No.7(2)
오늘날 청정에너지 중에서 많은 주목받고 있는 것으로 연료전지를 들수 있다 그러나 연료전지의 경우 저전압 대전류의 특성으로 인하여 상용전원에 전원을 공급하기 위해서는 승압 및 상용주파수로 변환해야하는 중간 과정을 거쳐야 한다. 이러한 전력변환장치로 1.5kW를 제작하고 실험으로서 전력 변환장치의 타당성을 검증 하고자 한다.<br/>