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지홍구,장동필,신동환,염인복,Ji, H.G.,Chang, D.P.,Shin, E.H.,Yom, I.B. 한국전자통신연구원 2011 전자통신동향분석 Vol.26 No.4
이동통신 및 위성통신 분야에 있어서 무선통신기술은 무선환경에서 신호를 보내고 받는 기능을 수행하는 중요한 분야이다. 이러한 무선통신 분야에서 송수신단을 구성하는 송수신 부품은 RF 시스템의 성능을 좌우한다. 특히, 위성통신 분야에서 신뢰성을 획득하기 위해서는 고집적화와 소형화를 통한 경쟁력 확보가 필수적인데 이를 위한 기술이 MMIC이다. MMIC 기술이란 반도체 공정을 이용하여 RF 부품을 설계하고 제작하는 기술로써 본 고에서는 MMIC 기술 소개와 이동통신 및 위성분야에서의 MMIC 기술 동향과 개발 현황, 앞으로의 전망을 개괄적으로 서술하고자 한다.
지홍구,오대곤,김도영,황대환,차재선,김정태,최윤호,Ji, H.K.,Oh, D.K.,Kim, D.Y.,Hwang, D.H.,Cha, J.S.,Kim, J.T.,Choi, Y.H. 한국전자통신연구원 2019 전자통신동향분석 Vol.34 No.2
Korea has pursued economic development based on ICT through R&D policy incorporating CDMA. However, the future society of the Fourth Industrial Revolution is expected to include a new type of industrial development that combines ICT with the non-ICT industry, making it impossible to secure national competitiveness without the source technology of the ICT industry. Therefore, in this thesis, we examine the ICT industry and ICT R&D policy from the point of view of the current ICT as a future source technology source of Korea, and identify strategies to determine ICT as a future technology source through a SWOT analysis.
5G FR2 밴드 기지국용 GaN 평형 전력증폭기 MMIC
지홍구,정준형,강동민 한국전자파학회 2023 한국전자파학회논문지 Vol.34 No.6
In this study, a power amplifier, which is an essential component, was implemented for an RF system of a 5G FR2 band base station. The design was verified using NP15-00 0.15-μm-gate GaN-on-SiC HEMT process (Win Semiconductors, Taiwan) with a high power density and excellent frequency characteristics for use in 5G base stations. The manufactured power amplifier integrated circuit was measured in the form of a balanced amplifier using a Lange coupler to improve the input and output reflection characteristics. The measurement results were a small signal gain of 18 dB, output power of 9 W, power-added efficiency of 25 %, and a size of 3.6 mm×3.0 mm2 within the frequency range of 27∼29 GHz.
Ka 대역 위성통신 하향 링크를 위한 GaN 전력증폭기 집적회로
지홍구(Ji, Hong-Gu) 한국산학기술학회 2015 한국산학기술학회논문지 Vol.16 No.12
본 논문은 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크대역인 주파수 19.5 GHz ∼ 22 GHz대역에서 사용가능한 8W급 전력증 폭기를 3단으로 설계 및 제작하여 특성 평가한 과정을 기술하였다. 제작된 전력증폭기 GaN MMIC는 3단으로 구성된 HEMT(High Electron Mobility Transistor)들로 이루어 졌으며 증폭기의 첫 번째단 게이트 폭은 8×50×2 um, 두 번째단 게이트 폭은 8×50×4 um, 마지막단인 출력단의 게이트 폭은 8×50×8 um의 구조로 이루어 졌다. 0.15 um GaN 공정으로 제작된 전력 증폭기 MMIC의 사이즈는 3,400×3,200 um2 이고 주파수 19.5 GHz ∼ 22 GHz대역에서 입력 전압 20 V 일 때, 소신호 및 대신 호 측정 결과 소신호 이득 29.6 dB 이상, 입력정합 최소 -8.2 dB, 출력정합 - 9.7 dB, 최소 39.1 dBm의 출력전력, 최소 25.3 %의 전력 부가 효율을 나타내었다. 따라서 설계 및 제작된 전력증폭기 MMIC는 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크에 사용이 가능할 것으로 판단된다. In this paper presents the design and demonstrate 8 W 3-stage HPA(High Power Amplifier) MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits) for Ka-band down link satellite communications payload system at 19.5 GHz ~ 22 GHz frequency band. The HPA MMIC consist of 3-stage GaN HEMT(Hight Electron Mobility Transistors). The gate periphery of 1st stage, 2nd stage and output stage is determined 8×50×2 um, 8×50×4 um and 8×50×8 um, respectively. The fabricated HPA MMIC shows size 3,400×3,200 um2, small signal gain over 29.6 dB, input matching –8.2 dB, output matching –9.7 dB, output power 39.1 dBm and PAE 25.3 % by using 0.15 um GaN technology at 20 V supply voltage in 19.5~22 GHz frequency band. Therefore, this HPA MMIC is believed to be adaptable Ka-band satellite communication payloads down link system.