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- 저자 : 정희준(HeeJun Jeong) (검색결과 6 건)
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ATC/ATO 운영환경에서의 무인운전(DTO/UTO)방식 도입을 위한 열차운행 시스템에 대한 기술적 고려사항 연구
전형구(HyungGu Jeon),이덕규(DukGyu Lee),유근규(GuenGyu Yoo),송용훈(YongHoon Song),정희준(HeeJun Jeong),김구식(GooSik Kim),임소희(SoHui Lim) 한국철도학회 2013 한국철도학회 학술발표대회논문집 Vol.2013 No.11
도시철도에 대한 사회적 필요성 증가와 신속·정확한 이동을 요구하는 고객의 니즈를 충족하고, 경제적이면서 보안 및 안전성이 강화된 도시철도 운영이 절실히 요구되는 현실에 직면하고 있다. 현재 서울도시철도는 저렴한 투자비용과 효율적인 운영을 위하여 8호선 완전자동운전 시험을 통해 ATC/ATO 운영환경에서 새로운 열차 운행 및 통제를 위한 개선방안을 연구하고 있다. 본 논문에서는 ATC/ATO 시스템에서 무인운전(UTO/DTO)운영에 대한 최적의 운영과 활용방안을 열차운행 차상/지상 시스템 관점에서 고찰하고자 한다. The urban transit railway is facing the challenge to increase the social demand for metro, to satisfy the rapid and punctual movement, and to operate economically enhanced security and safety train. This paper discusses upgrading new train control system with ATC/ATO for low costs and effective operations in Seoul Metropolitan Rapid Transit through Driverless train operation test in the Seoul 8 line. This paper also presents the best operability and availability of driverless operation(UTO/DTO) with ATC/ATO in view of onboard and wayside systems.
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산탄잡음 측정을 이용한 n형 갈륨비소 다중 양자우물의 터널링 메커니즘 분석
김영상,정희준 한양대학교 이학기술연구소 2009 이학기술논문지 Vol.13 No.-
갈륨비소 다중 양자우물에서 터널링 전송 메커니즘을 알아보기 위해 산탄잡음특성을 측정하였다. 낮은 전압영역과 높은 전압영역 각각에서 나타나는 sub-Poissonian과 super-Poissonian을 관찰하였다. sub-Poissonian은 이웃하는 양자우물의 에너지 준위의 연결과 음성 전하 상호작용 때문에 발생하고 super-Poissonian은 높은 전압영역에서 전계방출과 열적요동이 수반된 터널링 효과가 감소되며 avalanche multiplication 효과에 의해 나타남을 알 수 있었다. We measured the shot noise characteristics to probe the tunneling transport mechanism in GaAs multiple quantum wells. We observed the sub- and the super-Poissonian processes which are emerged in the low and the high bias region, respectively. We were known that the sub-Poissonian is occurred due to the negative charge correlation on the emitter barrier and the coupling of the energy level between neighbor QWs, and the super-Poissonian process is occurred due to the avalanche multiplication in the high bias region with suppressing the field emission and thermally assisted tunneling.
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단결정과 다결정 GaN Nanowire의 저주파 노이즈 특성
김동우,정희준 한양대학교 이학기술연구소 2008 이학기술논문지 Vol.12 No.-
Nanowire 구조에서 noise는 전기적인 소자에 대한 응용에 있어서 해결해야할 중요한 문제이다. 그렇기 때문에 본 연구에서는 단결정과 다결정 구조의 GaN nanowire를 이용한 전계효과 트랜지스터를 각각 제작하여 GaN nanowire의 저주파 noise 특성을 분석하였다. 저주파에서는 l/f noise와 Generation-recombination (G-R) noise를 확인 할 수 있었으며, l/f^(α) noise 기울기 α 값의 분석을 통하여, 1/f noise의 기울기가 1.8 - 2.1 까지 drain 전압에 따라 증가하는 경향이 있음을 알게 되었으며, 또한 단결정 GaN nanowire는 다결정에 비하여 저주파에서 noise fluctuation이 발생하는 것이 관찰되었다. Noise in nanostructures is important problems its applications in electronic devices. So we investigated that low-frequency noise characteristics of GaN nanowire and made field effect transistors about single crystalline and poly crystalline GaN nanowire. 1/f noise and Generation-recombination (G-R) noise is observed at low frequency. Low frequency noise suppression is explained by the illumination changing the occupancy of traps responsible for noise.
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E-beam Lithography를 이용한 3차원 Air-bridge 구조의 제작기법
박준우,정희준 한양대학교 이학기술연구소 2008 이학기술논문지 Vol.12 No.-
본 실험에서는 E-Beam lithography 기술을 이용해서 3차원 구조물인air-bridge를 제작해 보았다. wafer에 서로 다른 민감도를 지닌 PMMA를 다층구조로 쌓아올린 후 다양한 dose 값의 노광을 통해 bridge 형태의 구조를 제작하였다. 또한 설계된 디자인으로 patterning후에 한번의 Au, Cr 증착을 통해 bridge를 완성하였다. 본 연구에서 사용된 제작 방법을 통해 기존의 방법보다 빠른 진행과정으로 보다 신뢰성 있는 air-bridge를 완성하였으며 다양한 형태의 복잡한 구조물에 응용 가능함을 알게 되었다. In this study the three-dimensional air-bridge structures are fabricated using Electron Beam Lithography. A bridge structure is formed by projecting electrons to PMMA multi-layers with varying dose values. Each PMMA layer is differently reacted to incident electrons. The air-bridge structures are fabricated with patterning and evaporating gold (Au) and chrome (Cr). Our fabrication method can be applied to various complex nano-scale structures. Likewise we are known that our process is faster than the previous method and is more reliable for fabricating air-bridge structures.
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전자빔 리소그래피에서의 레지스트 내부 에너지 분포에 대한 전산모사 프로그램의 제작
정인구,정희준 한양대학교 이학기술연구소 2007 이학기술논문지 Vol.10 No.-
전자소자의 집적화에 대한 계속적인 요구를 해결할 수 있는 반도체 소자 미세 패턴 제작의 핵심은 lithography 기술이다. 여러 가지 패턴형성 방법 중에 가장 강력한 나노패터닝 기술인 electron beam lithography 방법의 경우 복잡하고 반복적인 전자와 resist 구성 원자의 산란을 고려해야 하므로 최종적인 패턴의 정확한 예측 및 노광 조건의 최적화에 힘든 문제가 있다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 보완할 수 있는 Monte Carlo method를 이용하여 electron beam lithography 에서의 resist 내부 에너지 분포 형상에 대한 전산모사 프로그램을 제작하였다. 결과로서 전자빔의 가속전압, 전자빔의 입사량, 기판과 기판위에 입혀진 resist 구성 원자의 종류 및 밀도에 따른 resist 내부 에너지 분포의 변화를 알 수 있었다. As one of key technological lithography tools, electron beam lithography requires considerably complicated multiple electron scattering process to predict the final pattern formation and the corresponding processing condition. In this paper, we developed a simulation software to show the energy distribution inside resist materials by employing Monte Carlo method The simulation information renders us to predict the pattern shapes and its modification as a function of electron acceleration voltage, beam dose and resist material composition.
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