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1×1 ㎟ 대면적 녹색 LED의 전기 광학적 특성 분석
장이운(L. W. Jang),조동섭(D. S. Jo),전주원(J. W. Jeon),안태영(Tae-Young Ahn),박민주(M. J. Park),안병준(B. J. Ahn),송정훈(J. H. Song),곽준섭(J. S. Kwak),김진수(Jin-Soo Kim),이인환(I. -H. Lee),안행근(H. K. Ahn) 한국진공학회(ASCT) 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.4
본 논문은 InGaN/GaN 다중양자우물 구조를 가지는 녹색 발광다이오드의 활성층 내 인듐(In) 조성비와 piezoelectric field에 대한 전계 흡수 현상을 연구하였다. 활성층 내 결정학적 성질과 In 조성비는 double crystal X-ray diffraction 측정으로 분석하였으며, 1×1 ㎟ 대면적 칩을 제작하여 발광특성을 조사하였다. 또한, 활성층 내 piezoelectric field는 electro-reflectance spectroscopy로부터 측정한 compensation voltage를 이용해 계산하였고, 인가전압에 따른 photocurrent의 변화를 측정함으로써 녹색 발광 소자의 전기 광학적 특성을 분석하였다. We investigated the effects of piezoelectric field on the electro-absorption characteristics in InGaN/GaN multiple-quantum well (MQW) green light emitting diodes (LED). Double crystal X-ray diffraction measurement was performed to study the crystalline property and indium (In) composition in the MQW active layer. To measure the electro-luminescence and electro-reflectance (ER) spectroscopy, we fabricated the 1×1 ㎟ large-area green LED chip. The piezoelectric field inside the LED structure was evaluated from the Vcomp in active layer by the ER spectra. Finally, we analyzed the electro-absorption characteristics of the green LED by using the photo-current spectroscopy.
1×1 mm<sup>2</sup> 대면적 녹색 LED의 전기 광학적 특성 분석
장이운,조동섭,전주원,안태영,박민주,안병준,송정훈,곽준섭,김진수,이인환,안행근,Jang, L.W.,Jo, D.S.,Jeon, J.W.,Ahn, Tae-Young,Park, M.J.,Ahn, B.J.,Song, J.H.,Kwak, J.S.,Kim, Jin-Soo,Lee, I.H.,Ahn, H.K. 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.4
본 논문은 InGaN/GaN 다중양자우물 구조를 가지는 녹색 발광다이오드의 활성층 내 인듐(In) 조성비와 piezoelectric field에 대한 전계 흡수 현상을 연구하였다. 활성층 내 결정학적 성질과 In 조성비는 double crystal X-ray diffraction 측정으로 분석하였으며, $1{\times}1\;mm^2$ 대면적 칩을 제작하여 발광특성을 조사하였다. 또한, 활성층 내 piezoelectric field는 electro-reflectance spectroscopy로부터 측정한 compensation voltage를 이용해 계산하였고, 인가전압에 따른 photocurrent의 변화를 측정함으로써 녹색 발광 소자의 전기 광학적 특성을 분석하였다. We investigated the effects of piezoelectric field on the electro-absorption characteristics in InGaN/GaN multiple-quantum well (MQW) green light emitting diodes (LED). Double crystal X-ray diffraction measurement was performed to study the crystalline property and indium (In) composition in the MQW active layer. To measure the electro-luminescence and electro-reflectance (ER) spectroscopy, we fabricated the $1{\times}1\;mm^2$ large-area green LED chip. The piezoelectric field inside the LED structure was evaluated from the Vcomp in active layer by the ER spectra. Finally, we analyzed the electro-absorption characteristics of the green LED by using the photo-current spectroscopy.