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이용욱,김윤영,이호철,Lee, Yong-Uk,Kim, Yun-Yeong,Lee, Ho-Cheol 대한기계학회 2000 大韓機械學會論文集A Vol.24 No.4
Perhaps, this is the first attempt which applies the wavelet transform to the fundamental vibration mode for damage detection in a beam. Contrary to most existing detection methods on mode shapes, the present method directly works only with the fundamental mode of a damaged beam: no vibration mode shape of a undamaged beam is necessary. Applying the concept of vanishing moments of wavelet functions, we show that wavelet functions are effective damage detectors. Both numerical and experimental results confirm the effectiveness of the present method.
이용욱,Lee, Yong Uk 한국진공학회 2014 진공 이야기 Vol.1 No.2
Display is a key component in electronic devices. OLED is growing very fast recently due to the explosion of the smart phone market although still LCD is the dominating display technology in the display market at the moment. Also needs for the large area and high resolution TVs and flexible displays are increasing these days. Especially flexible display is expected to be one of the key technologies in mobile devices requiring small device size and large display size. Contrary to the conventional displays, flexible display requires organic materials for the substrate, the active driving element and also for the display element. Plastic film as a substrate, organic semiconductor as an active component of the transistor and organic light emitting materials or electronic paper as a display element are studied actively. In this article, mainly backplane technologies such as substrates and the transistor materials for flexible display will be introduced.
용액 공정형 ZTO 박막트랜지스터의 활성층에 대한 열처리 온도 영향
이용욱(Yong-Uk Lee),이정수(Jeong-Soo Lee),한민구(Min-Koo Han) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.7
용액공정형 ZTO 막과 ZTO TFTs를 제작하여, 다양한 열처리 온도 하에서 ZTO 막의 TFTs의 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 용액공정형 ZTO TFT의 열처리 온도가 300℃에서 500℃로 증가함에 따라 문턱전압은 16.89V 에서 -0.23V 로 감소하였다. 그러나 온도가 550℃가 되면서 문턱전압은 1.64V 로 다시 증가하였다. 문턱전압의 변화원인은 전자 농도의 증감으로 볼 수 있으며, 550℃에서 다시 증가하는 이유로서 중금속 양이온이 형성되고 탄화되는 것을 확인할 수 있었다. 열처리 온도가 증가함에 따라 이동도는 0.18㎠/V-sec에서 2.26㎠/V-sec로 증가하였고, S.S 는 1.35 V/decade에서 0.37 V/decade로 감소하였다. 마찬가지로 이는 온도 증가에 따라 중금속 양이온의 형성과 함께, 고체화 및 결정화로부터 기인한다.
다중 메모리 모델의 CLUMP 시스템을 이용하기 위한 병렬 프로그래밍 기법과 성능 평가
이용욱(Yong-Uk LEE),라마크리쉬나(R. S. Ramakrishna) 한국정보과학회 2000 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.27 No.2Ⅲ
클러스터를 구성하는 단위 노드로 SMP가 새로운 대안으로 시장에 등장하였다. 이러한 멀티프로세서 클러스터(CLUMP)는 하나의 시스템에 다중 메모리 구조를 가지는데, CLUMP가 가지는 다중 메모리 구조를 효과적으로 사용하기 위해서 본 논문에서는 중첩된 병렬화 프로그램의 모델을 제안하였다. 중첩된 병렬화 모델은 중첩된 루프 레벨의 병렬화, 중첩된 태스크 레벨의 병렬화, 그리고 다중 중첩된 병렬화로 나뉜다. 본 논문에서는 중첩된 루프 레벨의 병렬화를 실험대상으로 하여 그 성능을 평가하고 단일 메모리 구조의 병렬화 프로그램과 성능을 비교하였다. 실험 결과 시험한 중첩된 병렬화 모델이 단일 메모리 구조의 병렬화 프로그램에 비하여 좋은 성능을 나타내었지만, 실험대상이 된 루프 레벨 병렬화의 잠재적인 특징으로 인해 실행에 참여하는 노드 수가 많아질수록 성능 향상 폭이 감소하는 결과를 보았다. 프로그램의 성능 향상 폭과 확장성은 문제 크기가 클수록 좋은 특성을 보였다.