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오영훈,한상환,이리형 대한건축학회 1998 大韓建築學會論文集 : 構造系 Vol.14 No.4
일반적으로 구조물의 내진설계는 탄성적인 거동에 필 요한 설계밑면전단력을 강도감소계수(strength reduction factor)로 나누어 준 비탄성 설계강 도(inelastic strength demand)에 대하여 설계되고 있다. 강도감소계수는 주로 연성능력과 보 유내력에 의해서 산정될 수 있지만 본 연구에서는 연성능력에 의존하는 강도감소계수를 우 선적으로 평가하였다. 연성능력에 의존하는 강도감소계수는 고유주기, 변위연성비 빛 항복후 강성의 크기를 다르게 해가면서 평가하였다. 구해된 강도감소계수에 대한 통계적인 분석으 로부터 강도감소계수의 산정식도 제시되고 있다.
Kommunikationsmodelle im Radikalen Konstruktivismus
오영훈 한국독어독문학교육학회 2003 獨語敎育 Vol.26 No.-
1. Einleitung 급진적 구성주의의 의사소통모델
오영훈,박철호,손영구,Oh, Young-Hun,Park, Chul-Ho,Son, Young-Guk 한국세라믹학회 2005 한국세라믹학회지 Vol.42 No.9
To investigate the possibility of the $ZrO_2$ buffer layer as the insulator for the Metal-Ferroelectric-Insulator-semiconductor (MFIS) structure, $ZrO_2$ and $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT) thin films were deposited on the P-type Si(111) wafer by the R.F. magnetron-sputtering method. According to the process with and without the post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer and SBT thin film, the diffusion amount of Sr, Bi, Ta elements show slight difference through the Glow Discharge Spectrometer (GDS) analysis. From X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) results, we could confirm that the post-annealing process affects the chemical binding condition of the interface between the $ZrO_2$ thin film and the Si substrate. Compared to the MFIS structure without the post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer, memory window value of MFlS structure with post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer were considerably improved. The window memory of the Pt/SBT (260 nm, $800^{\circ}C)/ZrO_2$ (20 nm) structure increases from 0.75 to 2.2 V under the applied voltage of 9 V after post-annealing.