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Cu도핑이 CdS / CdTe 태양전지의 후면전극의 거동에 미치는 영향
안호균(Hokyun Ahn),윤세왕(Sewang Yoon),김동환(Donghwan Kim) 한국태양에너지학회 2000 한국태양에너지학회 학술대회논문집 Vol.- No.-
CdTe 태양전지에 Cu로 도핑된 carbon paste를 배면전극으로 사용했을 때의 전지 성능과 photoluminescence (PL) 특성을 고찰하였다. 배면전극으로는 CuCl₂가 첨가된 Cu-doped carbon paste와 진공증착된 Cu/Au가 사용되었다. Cu로 도핑된 배면전극의 최적 열처리조건은 120℃에서 30분이었으며, PL로 부터 defect band의 감소를 확인하였다. 열처리 온도를 300℃ 이상 증가시키면 defect band는 더 크게 감소하였는데, 전지의 성능은 저하되었다. CuCl₂로 도핑된 CdTe에서는 donor-acceptor pair(DAP) transition(1.55ev)이 관찰되지 않았으나, AgNO₃로 Cl을 제거한 경우에는 DAP transition이 관찰되어졌다. Cl을 제거한 경우 전극과 CdTe사이의 접착상태가 불량하였으며, 따라서 전지의 성능이 저하되었다. CuCl₂ 첨가시 열처리 온도를 낮추어서 CdTe 표면에 도핑하는 것이 중요하며, Cl이 전지의 전기적, 광학적 거동에 영향을 미친다는 것을 PL을 통해 확인하였다.
S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성
장우진(Woo-Jin Chang),안호균(Hokyun Ahn),임종원(Jong-Won Lim),문재경(Jae-Kyoung Mun),윤형섭(Hyung-Sup Yoon),민병규(Byoung-Gue Min),지홍구(Hong-Gu Ji),강동민(Dong-Min Kang),김해천(Haecheon Kim),남은수(Eun Soo Nam) 대한전자공학회 2010 대한전자공학회 학술대회 Vol.2010 No.6
The fabrication method and the performance of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) for S/X-band Applications were presented. The fabricated AlGaN/GaN HEMT with a gate length of 0.5um and a total gate width of 300um exhibited a maximum transconductance of 305mS/mm and a drain saturation current of 180mA, respectively. The cut-off frequency(fT) and the maximum frequency of oscillation (fmax), measured at Vds = 8V, were 31GHz and 53GHz, respectively. The AlGaN/GaN HEMT also shows a maximum output power density of 2.3W/mm at 2.4GHz and 1.8W/mm at 10GHz. For the fabricated AlGaN/GaN HEMT with a gate length of 0.25um and a total gate width of 100um, the cut-off frequency(fT) and the maximum frequency of oscillation (fmax), measured at Vds = 8V, were 39GHz and 120GHz, respectively.
이송시스템이 결합된 비접촉 전력전송 시스템용 고주파 코일 형상 설계 및 해석에 관한 연구
김태규(TaeKue Kim),주창대(ChangDae Joo),안호균(HoKyun Ahn) 한국산업정보학회 2021 한국산업정보학회논문지 Vol.26 No.1
기존의 제조업 기반의 현장에서 적용되고 있는 로봇 및 이송시스템의 선형 전동기 활용에 있어서, 케이블을 통한 전력공급으로 인해 작업 환경 개선 및 기술적 고도화에 어려움을 겪고 있다. 따라서, 본 논문에서는 이러한 문제점의 해결을 위해 적용될 수 있는 비접촉 전력전송 시스템에 대해서 FEM 기반의 물리해석 프로그램을 활용하여, 2D와 3D의 자계 해석을 바탕으로 비접촉 전력 전송 시스템용 고주파 코일 형상 및 전력변환 시스템에 관한 특성을 연구하였다. There is a difficulty in improving the working environment and technological advancement due to power supply through cables in the application of linear motors of robots and transfer systems applied in the existing manufacturing industry. We have studied the shape of the high-frequency coil for contactless power transmission system and characteristics of power conversion system, based on the magnetic field analysis of 2D and 3D, using the FEM-based physical analysis program.
1.2㎾ 고분자 전해질 연료전지 시스템용 Full Bridge Phase Shift ZVS(Zero Volt Switching)을 적용한 DC-DC 컨버터의 설계 및 제어
서정욱(JungWook Seo),박승규(SeungKyu Park),안호균(HoKyun Ahn),곽군평(GunPuyng Kwak) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7
In this paper, the proposed power supply is based on a modified version of the zero-voltage switching(ZVS) full-bridge phase-shift DC-DC converter, which incorporates commutation auxiliary inductors to provide ZVS for the entire load range as well as a commutation aid circuit to clamp the output diode voltage. The control strategy is based on two control loops operating in cascade mode. The complete operating principles and simulation results in presented.
AlGaN/GaN 이종접합 구조의 게이트 영역 미세 조절 리세스를 이용한 상시불통형 전계효과 트랜지스터
김진식(Zin-Sig Kim),이형석(Hyung-Seok Lee),배성범(Sung-Bum Bae),안호균(Hokyun Ahn),이상흥(Sang-Heung Lee),임종원(Jong-Won Lim),강동민(Dong Min Kang) 대한전자공학회 2019 대한전자공학회 학술대회 Vol.2019 No.11
In this work, we fabricated normally-off FETs using gate recess techniques with extremely low rate dry etching conditions. We report also, a relationship between the Vth-shift and the recess depth under the gate area of FETs on AlGaN/GaN heterostructure. We confirmed also extremely low etching rate of 0.025 nm/s or 1.5 nm/min using Cl₂-based inductively coupled plasma etching process. Devices with different recess depths were fabricated, and determined the dependence of recess depth on Vth-shift. Without any etching-stop layers, it was achieved well targeted and good controlled recess depth under the gate region. With the extremely low rated dry etching conditions, we fabricated normally-off AlGaN/GaN FETs with high positive Vth of +5.64 V and the off-state leakage current as ~10<SUP>-6</SUP> A/mm.