오원화합물 반도체 GaxIn1-xPySbzAs1-y-z/GaSb의 전자적 특성

심규리 한국물리학회 2010 새물리 Vol.60 No.5

The electronic band gaps and the lattice-matching conditions for the pentanary alloy GaxIn1−xPySbzAs1−y−z lattice-matched to GaSb in the mid-infrared (MIR) spectral region were calculated by using the universal tight binding method. The calculation suggested that the alloy GaxIn1−xPySbzAs1−y−z/GaSb in 0.1 ≤ Sb ≤ 0.2 was suitable for the MIR spectral region from 3 to 5 ㎛ (i.e., band gaps of 0.41 eV - 0.25 eV). With increasing z from 0.09 to 0.21, the lattice-matching x and y regions became broader, and the band gap and the valence band maximum (VBM) also increased. This implies that the interface the between GaxIn1−xPySbzAs1−y−z and the GaSb is a type-I semiconductor. Our theoretical band gaps were compared with experimental band gap data for four samples of GaxIn1−xPySbzAs1−y−z/GaSb. GaSb 기판에 격자 정합시킨 오원화합물 반도체 GaxIn1−xPySbzAs1−y−z의 격자정합조건과 에너지 밴드갭등 전자적 특성을 범용적밀접결합 방법을 이용하여 구하였다. 계산 결과 파장대가 3-5 ㎛ (즉, 밴드갭이 0.41 eV - 0.25 eV)인 증적외선영역의 밴드갭은 주로 0.1 < Sb < 0.2 에서 형성되었다. Sb를 0.09 부터 0.21까지 0.02 씩 증가시켜 계산한 결과, Sb가 증가 할 수록 GaSb에 격자정합 시킬 수 있는 x와 y의 범위가 넚어지며, 밴드갭과 가전자띠 최대값도 증가함을 알 수 있었다. 또한 증적외선영역의 GaxIn1−xPySbzAs1−y−z와 GaSb 기판 사이의 접합면에서는 제1형반도체가 됨을 알 수 있었다. 최근 결정성장된 네개의 샘플 GaxIn1−xPySbzAs1−y−z/GaSb에 대한 밴드갭 실험치와 비교해 본 결과 잘 일치하였다.

Principal energy band gaps for the in(1-x)ga(x)as(1-y)p(y) alloy

심규리 경기대학교연구교류처 1998 論文集 Vol.41 No.2

Ga_xIn_(1-x)Sb_yAs_(1-y)의 전자적 구조: UTB 방법에 의한 밴드정렬상태

심규리 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.6

The valence band maximum and the conduction band miminum of GaAs, GaSb, InAs, and InSb (constituent binaries of the quaternaty alloy Ga_xIn_(1-x)Sb_yAs_(1-y)) are calculated by using TB analytical approach method. The band alignment types of their heterojunctions are determined directly from their relative position of band edges (VBM and CBM). For example, the GaAs/InAs, GaAs/InSb, and GaSb/InSb are in a type-I, the GaAs/GaSb in a type-II, and the GaSb/InAs and InSb/InAs in a type-III, respectively. The composition dependent VBM and CBM for the Ga_xIn_(1-x)Sb_yAs_(1-y) alloy are obtained by using the univeral tight binding method. For the alloyed heterojunctions, the band alignments can be controlled by changing the composition which induce a band type transition. For the alloy Ga_xIn_(1-x)Sb_yAs_(1-y) lattice mathced to GaSb, the type-II band alignment in the region of x ≤ 0.15 is changed to the type-III in the region of x ≥ 0.81. On the other hand, the alloy Ga_xIn_(1-x)Sb_yAs_(1-y) lattice mathced to InAs has the type-II band alignment in the region of x ≤ 0.15 and the type-III band alignment in the region of x ≥ 0.81, respectively. 사원화합물 반도체 Ga_xIn_(1-x)Sb_yAs_(1-y)을 구성하는 네 가지 이원화합물 반도체 GaAs, GaSb, InAs, InSb의 최고 가전자띠 준위와 최저 전도띠 준위를 밀접결합방법에 근거한 해석적 근사법으로 계산하였다. 이들을 이종 접합시켰을 때 경계면에서의 밴드정렬상태를 구한 결과, GaAs/InAs와 GaAs/InSb, GaSb/InSb는 제 I형, GaAs/GaSb는 제 II형, GaSb/InAs, InSb/InAs는 제 III형의 밴드 정렬 형태를 갖는다는 것을 알 수 있었다. 또한 범용적 밀접결합을 이용하여 사원화합물 반도체 Ga_xIn_(1-x)Sb_yAs_(1-y)의 성분비 x와 y에 따른 최고 가전자 띠와 최저 전도 띠 준위변화를 구하였다. Ga_xIn_(1-x)Sb_yAs_(1-y)을 GaSb와 InAs 격자 정합 시켜 경계면에서의 밴드정렬상태를 구해 본 결과 성분비에 따라 제 II형과 제 III형 사이의 밴드정렬형태의 전이가 일어남을 알 수 있었다. Ga_xIn_(1-x)Sb_yAs_(1-y)를 GaSb에 격자 정합 시켰을 때 x ≥ 0.15에서 제 III형 밴드정렬이었던 것이 x ≥ 0.81에서는 제 II형의 밴드정렬 상태로 전이되며, 이와 반대로 Ga_xIn_(1-x)Sb_yAs_(1-y)를 InAs에 격자정합 시켰을 때 x ≥ 0.15에서 제 II형 밴드정렬이 x ≥ 0.81에서 제 III형 밴드정렬로 전이됨을 알 수 있었다.

Ga_xIn_1-xSb_yAs_1-y의 전자적 구조: UTB 방법에 의한 밴드정렬상태

심규리,Shim, Kyu-Rhee 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.6

사원화합물 반도체 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$을 구성하는 네 가지 이원화합물 반도체 GaAs, GaSb, InAs, InSb의 최고 가전자띠 준위와 최저 전도띠 준위를 밀접결합방법에 근거한 해석적 근사법으로 계산하였다. 이들을 이종 접합시켰을 때 경계면에서의 밴드정렬상태를 구한 결과, GaAs/InAs와 GaAs/InSb, GaSb/InSb는 제 I형, GaAs/GaSb는 제 II형, GaSb/InAs, InSb/InAs는 제III형의 밴드 정렬 형태를 갖는다는 것을 알 수 있었다. 또한 범용적 밀접결합을 이용하여 사원화합물 반도체 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$의 성분비 x와 y에 따른 최고 가전자 띠와 최저 전도 띠 준위변화를 구하였다. $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$을 GaSb와 InAs 격자 정합시켜 경계면에서의 밴드정렬상태를 구해 본 결과 성분비에 따라 제 II형과 제 III형 사이의 밴드정렬형태의 전이가 일어남을 알 수 있었다. $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$를 GaSb에 격자 정합 시켰을 때 $x{\geq}0.15$에서 제 III형 밴드정렬이었던 것이 $x{\geq}0.81$에서는 제 II형의 밴드정렬 상태로 전이되며, 이와 반대로 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$를 InAs에 격자정합 시켰을 때 $x{\geq}0.15$에서 제 II형 밴드 정렬이 $x{\geq}0.81$에서 제 III형 밴드정렬로 전이됨을 알 수 있었다. The valence band maximum and the conduction band miminum of GaAs, GaSb, InAs, and InSb (constituent binaries of the quaternaty alloy $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$) are calculated by using TB analytical approach method. The band alignment types of their heterojunctions are determined directly from their relative position of band edges (VBM and CBM). For example, the GaAs/InAs, GaAs/InSb, and GaSb/InSb are in a type-I, the GaAs/GaSb in a type-II, and the GaSb/InAs and InSb/InAs in a type-III, respectively. The composition dependent VBM and CBM for the $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$ alloy are obtained by using the univeral tight binding method. For the alloyed heterojunctions, the band alignments can be controlled by changing the composition which induce a band type transition. For the alloy $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$ lattice mathced to GaSb, the type-II band alignment in the region of $x{\leq}0.15$ is changed to the type-III in the region of $x{\geq}0.81$. On the other hand, the alloy $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$ lattice mathced to InAs has the type-II band alignment in the region of $x{\leq}0.15$ and the type-III band alignment in the region of $x{\geq}0.81$, respectively.

Al이 도핑된 GaInAsSb/GaSb의 경계면에서의 밴드정렬

심규리,Shim, Kyurhee 한국결정성장학회 2016 韓國結晶成長學會誌 Vol.26 No.6

GaSb 기판위에 Al이 도핑된 GaInAsSb(Al-GaInAsSb)에 대한 최고 가전대 준위(VBM)와 최저 전도대 준위(CBM) 변화를 범용적 밀접결합방법에 근거한 해석적 근사법을 이용하여 계산하였다. GaSb와 Al-GaInAsSb 의 상대적 VBM과 CBM 준위에 따라 경계면에서의 밴드정렬 타입과 가전자대 오프셋(VBO)과 전도대 오프셋(CBO)이 결정된다. 본 논문에서는 Al 도핑이 GaInAsSb의 양이온 자리에 치환된다는 가정하에 이론이 전개 되었으며, Al은 부식등으로 결정의 질을 떨어트릴 수 있는 요인이 되므로 20 %까지 제한하였다. Al 도핑 결과, 전 구간에서 제 II 형의 밴드정렬형태를 갖게 되며, 밴드갭이 증가되는 반면 VBO와 CBO 는 감소됨을 알수 있었다. CBO 에 대한 감소비율 VBO 보다 더 크므로, Al 도핑은 경계면에서의 전자 콘트롤에 더 효율적으로 작용함을 알 수 있었다. Al-GaInAsSb은 전 구간에서 $E({\Gamma})$가 E(L)이나 E(X)보다 낮은 직접 갭을 나타 내고 있지만, Sb 성분이 많아지면(70~80 % 이상) E(L)과 E(X)이 $E({\Gamma})$에 가까워져서 전자 이동도에 영향을 주어 광학적 효율이 다소 떨어질 수 있음을 알 수 있었다. The valence band maximum (VBM) and conduction band minimum (CBM) of Al-doped GaInAsSb alloys substrated on GaSb are calculated by using an analytic approximation based on the tight binding method. The relative positions of the VBM and CBM between Al-GaInASSb and GaSb determine band alignement type, valence band offset (VBO) and conductin band offset (CBO) for the heterojunctions. In this study, aluminium doping is assumed to be substituted in the cation site and limited up to 20 % because it can easily oxidize and degrade materials. It is found that the Al-doped alloys exhibit type-II band alignments over the entire composition range and make the band gaps increase, whereas the VBO and CBO decrease. The decreasing rate of VBO is higher than that of CBO, which implies the Al components play a decisive role in controlling electrons at the interface. The Al-dopled GaInAsSb alloy has a direct band gap induced by $E({\Gamma})$ with a considerable distance from the E(L) and E(X), however, $E({\Gamma})$ approaches to E(L) and E(X) in the high Sb concentration (Sb > 0.7-0.8) which might affect the electron mobility and degrade the optical quality.

NH투자증권의 체험형 팝업스토어 브랜드 경험 연구

심규리,김승인 차세대컨버전스정보서비스학회 2023 차세대컨버전스정보서비스기술논문지 Vol.12 No.2

Recently, the number of experiential specialized stores that provide differentiated brand experiences is increasing due to the consumption culture that values experience rather than ownership. As consumers' needs increase due to the development of science and technology, it is necessary to stimulate their senses and provide new consumption experiences. This study selected NH Super Stock Market as an example of providing a differentiated brand experience and conducted in-depth interview with visitors in their 20s~30s. As a result of the study, NH Super Stock Market took advantage of the spatial characteristics of the pop-up store to break away from new experiences and the aging image of the existing Nong-Hyup in a short period of time and gave a novel brand perception. By providing the design elements of the pop-up store and unique content, five experience elements were evenly distributed and formed overall. As a result, it was derived that it was an effective example that increased access to stock investment and reflected the culture and style of people in their 20~30s. Based on this study, it is expected that if brands in various industries utilize the five factors of Strategic Experiential Modules(SEMs) as differentiated marketing strategies, they will provide consumers with positive feelings and feelings for a specific brand. 최근 소유보다 경험을 중시하는 소비문화로 차별화된 브랜드 경험을 제공하는 체험형 특화매장이 증가하고 있다. 과학기술의 발달로 소비자의 욕구가 높아지면서 감각을 자극하고 새로운 소비 경험을 시켜주는 것이 필요하다. 본 연구는 기존 증권사에서 차별화된 브랜드 경험을 제공한 사례로 NH슈퍼스톡마켓을 선정하여 20~30대 방문객을 대상으로 심층 인터뷰를 진행하였다. 연구 결과, NH슈퍼스톡마켓은 팝업스토어의 공간적 특성을 활용하여 단기간에 새로운 경험과 기존 농협의 노후한 이미지를 탈피하고 참신한 브랜드 인식을 주었다. 팝업스토어의 디자인 요소와 독특한 콘텐츠를 제공함으로써 5가지 체험 요소가 고르게 분포되어 총체적으로 이루고 있었다. 이로 인해 복잡한 주식 투자에 대한 접근성을 높이고 20~30대의 문화와 스타일을 반영한 효과적인 사례임을 도출하였다. 본 연구를 바탕으로 다양한 산업 분야의 브랜드가 전략적 체험 모듈(SEMs)의 5가지 요소를 차별화된 마케팅 전략으로 활용한다면 소비자에게 브랜드에 대한 긍정적인 감정과 느낌을 전달할 것이라고 기대한다.

수원시 전문여성인력 조사 연구

심규리 경기대학교 여학생문화원 여성학연구실 2006 여성논총 Vol.8 No.-

해밀토니안 인코딩/디코딩

심규리 한국물리학회 2007 새물리 Vol.55 No.5

The Hamiltonian encoding/decoding technique with a Fourier modulating function was introduced to identify the contribution details associated with the Hamiltonian matrix elements on eigenvalues, and was applied to a $2 \times 2$ Hamiltonian matrix in order to examine the contribution of off-diagonal Hamiltonian matrix elements, H$_{12}$, on the lower energy level. Modulating $H_{ij}$ was found to reveal the hierarchical details associated with that matrix element and provide the relative significance of each order and an overall picture of the extent of coupling interactions. 본 논문에서는 주어진 에너지 상태에 대한 해밀토니안 행렬요소들의 기여정보를 알아낼 수 있는 방법으로 퓨리에 변조함수를 이용한 해밀토니안 인코딩/디코딩 방법을 소개한다. 이 방법의 적용을 보여주기위해, 가장 간단한 2 $\times$ 2 해밀토니안 행렬에서 낮은에너지 준위에 대한 비대각선행렬요소인 $H_{12}$의 기여도를 조사하였다. 해밀토니안 행렬요소를 변조시킴으로써, 에너지 고유값에 대한 이들 행렬요소들의 서열적 기여도라든지, 이들 행렬요소들간의 상대적 상호작용에 대한 정보를 구할 수 있다는 것을 밝혔다.

소셜 네트워크 재검색 시스템의 설계

심규리(Gyu Ri Sim),김동현(Dong Hyun Kim) 한국컴퓨터정보학회 2022 한국컴퓨터정보학회 학술발표논문집 Vol.30 No.2

소리감각 기반의 디자인 인스피레이션 서비스 툴

심규리(Gyuri Sim),이민영(Minyoung Lee),안성희(Sunghee Ahn) 한국디자인학회 2019 한국디자인학회 학술발표대회 논문집 Vol.2019 No.11