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기존의 MHEMT와 InP 합성 채널 MHEMT의 소자의 항복 특성 분석 및 비교 연구
최석규(Seok Gyu Choi),백용현(Yong-Hyun Baek),한민(Min Han),방석호(Seok Ho Bang),윤진섭(Jin Seob Yoon),이진구(Jin Koo Rhee) 대한전자공학회 2007 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.44 No.12
본 논문에서 기존에 사용하고 있는 metamorphic high electron transistor (MHEMT)의 채널에 InP를 추가하여 제작 하였다. InP는 In0.53Ga0.47As와 비교하여 낮은 충돌 이온화 계수를 가지고 있다. 그런 특성을 MHEMT의 문제점 중의 하나인 낮은 항복전압의 개선에 이용하였다. 우리는 기존의 MHEMT와 InP 합성 채널 MHEMT의 항복 특성과 주파수 특성을 비교 하였다. 본 논문에서 InP 합성 채널 MHEMT의 on-state와 off-state 항복전압이 각각 2.4와 5.7 V가 측정 되었고 또한 cut-off 주파수와 maximum oscillation 주파수는 각각 160 ㎓와 230 ㎓가 측정 되었다. 위의 결과는 InP 합성 채널 MHEMT가 밀리미터파 대역의 전력용 소자에 이용되는데 큰 장점을 갖는 소자임을 알 수 있다. In this study, we have performed the channel modification of the conventional MHEMT (metamorphic high electron mobility transistor) to improve the breakdown characteristics. The Modified channel consists of the InxGa1-xAs channel and the InP sub channel instead of the InxGa1-xAs channel. Since InP has the lower impact ionization coefficient in comparison with In0.53Ga0.47As, we have adopted the InP-composite channel in the modified MHEMT. We have investigated the breakdown mechanism and the RF characteristics for the conventional and the InP- composite channel MHEMTs. From the measurement results, we have obtained the enhanced on and off-state breakdown voltages of 2.4 and 5.7 V, respectively. Also, the increased RF characteristics have brought about the decreased output conductance for the InP-composite channel MHEMT. The cut-off frequency (fT) and the maximum oscillation frequency (fmax) for the InP-composite channel MHEMT were 160 ㎓ and 230 ㎓, respectively. It has been shown that the InP-composite channel MHEMT has the potential applications for the millimeter wave power device.
Tandem coupler를 이용한 밀리미터파 광대역 Balanced Cascode 증폭기
권혁자(Hyuk-Ja Kwon),문성운(Sung-Woon Moon),방석호(Seok-Ho Bang),안단(Dan An),이문교(Mun-Kyo Lee),이상진(Sang-Jin Lee),전병철(Byoung-Chul Jun),박현창(Hyun-Chang Park),이진구(Jin-Koo Rhee) 대한전자공학회 2006 대한전자공학회 학술대회 Vol.2006 No.11
We report our research work on the millimeter-wave broadband single-ended and balanced cascode amplifier. The single-ended cascode amplifier was designed by using shunt peaking technology which inserts a short stub into bias circuits and a compensation line between the common-source device and the common-gate device. Also, we designed the balanced cascode amplifier using the tandem coupler which achieves the broadband characteristics and good return losses. The balanced cascode amplifier shows lager 3 ㏈ bandwidth, better gain and return losses, and more advanced stability than the single-ended cascode amplifier.
마이크로 머시닝 레조네이터를 이용한 밀리미터파 대역의 MMIC self oscillating mixer
이상진(Sang-Jin Lee),안단(Dan-an),이문교(Mun-Kyo Lee),백태종(Tae-Jong Baek),방석호(Seok-Ho Bang),박현창(Hyun-Chang Park),이진구(Jin-Koo Rhee) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.7
In this paper, the MMIC (Micro-wave Monolithic Integrated Circuit) self oscillating mixer using micro¬machining resonator was designed and fabricated for the Q-band transmitter applications. The MMIC self oscillating mixer which dose not need external local oscillator was designed using GaAs PHEMT technology for long distance network systems.