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TCP-CVD법을 활용한 공정변수에 따른 산화막의 제작
김창조,최윤,신백균,박구범,신현용,이붕주,Gim, T.J.,Choi, Y.,Shin, P.K.,Park, G.B.,Shin, H.Y.,Lee, B.J. 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.2
본 논문에서는 유기발광다이오드의 보호막 적용을 위하여 TCP-CVD를 이용한 실리콘 산화막 형성에서 산화막의 특성에 영향을 미치는 Power, 가스종류 및 유량, 소스와 기판거리 및 공정온도 등의 공정조건에 따른 증착된 산화막의 특성을 나타내는 증착률, 굴절률을 제어하고자 한다. 그 결과 $SiH_4$ : $O_2$ = 30 : 60 [sccm], 70 [mm]의 source와 기판 거리, Bias를 인가하지 않은 조건에서 80 [$^{\circ}C$] 이하의 공정온도를 보였으며 투과율 90% 이상, 높은 증착률 및 굴절률 1.4~1.5인 안정된 $SiO_2$ 산화박막을 제조할 수 있었다. We have fabricated $SiO_2$ oxidation thin films by TCP-CVD (transformer coupled plasma chemical vapor deposition) method for passivation layer of OLED (organic light emitting diode). The purpose of this paper is to control and estimate the deposition rate and refracive index characteristics with process parameters. They are power, gas condition, distance of source and substrate and process temperature. The results show that transmittance of thin films is over 90%, rapid deposition rate and stable reflective index from 1.4 to 1.5 at controled process conditions. They are $SiH_4$ : $O_2$ = 30 : 60 [sccm] gas condition, 70 [mm] distance of source and substrate, no-biased substrate and under 80 [$^{\circ}C$] process temperature.
UV/O₃와 O₃로 처리된 ITO의 표면 특성과 OLED 소자 특성
김일(IL Kim),유도현(D.H. You),박구범(G.B. Park),육재호(J.H. Yuk),박종관(J.K. Park),조기선(G.S. Jo),이덕출(D.C. Lee) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7
In this research We investigated the effect of UV/O₃, O₃ treatments of indium-tin oxide(ITO) surface on the performance of organic light emitting devices(OLEDs). The fundamental structure of OLEDs was ITO(anode) / TPD(Hole Transport Layer) / Alq₃ / Al(cathode). We performed UV/O₃, O₃ treatments and found that both treatments enhanced the performance of OLEDs. Current-Voltage, Luminance-Voltage characteristics were measured at room temperature.