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김한구,Kim, Han-Gu 한국화재보험협회 2005 防災와 保險 Vol.108 No.-
여름철에는 덥고 습한 날씨가 이어져 사람들은 최대한 신체를 노출시켜 시원함을 유지하고자 한다. 따라서 뜨거운 수증기나 국물에 데거나 다리미 등의 뜨거운 쇠붙이에 의해 접촉화상을 입는 경우가 흔하다. 이런 경우 심한 통증과 상처가 생기게 되는데, 대부분의 사람들은 당황하여 어떻게 대처해야 할지 몰라 우왕좌왕하기 마련이다. 일부의 사람들은 간장이나 된장, 알로에 등을 상처에 바르는 등 전근대적인 방법으로 상처를 치료하다가 상처를 키워서 병원에 가기도 하고, 심지어는 창상을 그대로 노출시켜 세균에 의한 감염이 발생되어 얕은 화상이 더욱 깊어져 치료만으로 나을 수 있는 상처를 피부이식술 등의 수술을 필요로 하게 되는 결과를 낳기도 한다. 또한 수술을 하는 정도는 아니더라도 화상흉터가 많이 남게 될 수도 있어 초기의 화상관리가 중요하다 하겠다. 과연 독자들은 화상상처에 어떻게 대처하는지? 초기에 상처를 어떻게 돌보는가에 따라 평생 화상흉터의 멍에를 지고 갈수 있다는 것을 알고 있는지? 이러한 많은 문제점들에 대한 관리적인 차원에서 일반인들이 어렵고 복잡하다고 생각할 수 있는 화상관리에 대해 이야기해 보고자 한다. 화상이 생겼을 때의 처치는 일반적인 열창 때의 처치와는 다른 점이 있다. 우선 열에 의해 피부가 손상을 받아 이를 식히는 과정이 필요하며 이 과정(찬물로의 창상세척)이 간과될 경우 이차적 점은 화상에 의한 상처는 손상된 피부로 인해 노출된 생살을 어떻게 세균감염으로부터 보호하느냐 하는 점이 문제가 되며 이를 예방하는 과정이 필요하다는 것이다.
Control Volume Formulation Method를 사용한 GaAs MESFET의 2차원 수치해석
손상희,박광민,박형무,김한구,김형래,박장우,곽계달,Son, Sang-Hee,Park, Kwang-Mean,Park, Hyung-Moo,Kim, Han-Gu,Kim, Hyeong-Rae,Park, Jang-Woo,Kwack, Kae-Dal 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.
In this paper, two-dimensional numerical simulation of GaAs MESFFT with 0.7${\mu}m$ gate length is perfomed. Drift-diffusion model which consider that mobility is a function of local electric field, is used. As a discretization method, instead of FDM (finite difference method) and FEM (finite element method), the Control-Volume Formulation (CVF) is used and as a numerical scheme current hybrid scheme or upwind scheme is replaced by power-law scheme which is very approximate to exponential scheme. In the process of numerical analysis, Peclet number which represents the velocity ratio of drift and diffusion, is introduced. And using this concept a current equation which consider numerical scheme at the interface of control volume, is proposed. The I-V characteristics using the model and numerical method has a good agreement with that of previous paper by others. Therefore, it is confined that it may be useful as a simulator for GaAs MESFET. Besides I-V characteristics, the mechanism of both velocity saturation in drift-diffusion model is described from the view of velocity and electric field distribution at the bottom of the channel. In addition, the relationship between the mechanism and position of dipole and drain current, are described. 본 논문에서는 게이트의 길이가 0.7${\mu}m$인 n형 GaAs MESFET를 2차원적으로 수치 해석하였으며, 이동도를 국부 전계의 함수로 취하는 드리프트 -확산 모델을 사용하였다. 이산화 방법으로는 종래에 사용되던 FDM(finite difference method), FEM(finite element method)을 사용치 아낳고 Control-Volume Formulation을 사용하였으며, numerical scheme으로는 기존의 hybrid scheme이나 upwind scheme 대신에 exponential scheme과 거의 근사한 power-law scheme을 사용하였다. 이때 드리프트 속도와 확산 속도의 비율을 나타내는 Peclet number의 개념을 사용하였으며, 이 개념을 사용하여 control volume의 경계에서 numerical scheme을 고려한 전류식을 제안하였다. 앞에서 고려한 모델들과 수치해석 방법을 사용하여 시뮬레이션한 I-V 특성은 기존 노문의 결과와 일치하였다. 따라서 본 논문의 결과가 GaAs MESFET를 위한 유용한 2차원 시뮬레이터가 될 수 있음을 확인하였다. 또한 I-V 특성외에 채널 밑바닥에서이 속도 및 전계 분포를 통해 드리프트-확산 모델을 고려한 경우에 발생하는 속도 포화의 메카니즘을 제시했고, Dipole의 발생위치 및 발생 원인과 드레인 전류와의 관계 등에 대해서도 제시했다.
김지태(Ji-Tae Kim),김한구(Han-Gu Kim) 대한전자공학회 2022 대한전자공학회 학술대회 Vol.2022 No.11
디스플레이 제작 공정에서 Glass Conveyor에 의한 반송이 많이 이루어 지는데 Glass 반송 간 발생 하는 정전기로 인해 다양한 불량이 나타나게 된다. 이를 예방하기 위해 제전장치에 대해 많은 연구가 이루어지고 있으며, 이를 해결하기 위해 본 연구에서는 라인환경에 적용가능한 코로나Type 이오나이저와 Soft X-Ray Type 이오나이저의 성능 비교를 통해 Soft X-Ray의 사용 유리하다고 판단 하였고, 실험을 통해 Soft X-Ray 이오나이저를 적용 시 정전기성 불량을 약 6.9% 줄일 수 있었다. In the display manufacturing process, there is a lot of return by Glass Conveyor, and various defects occur due to static electricity generated between Glass returns. Many studies have been conducted on antistatic devices to prevent static electricity, and to solve this problem, this study compares the performance of the corona type ionizer applicable to the line environment with the Soft X-Ray ionizer. Through performance comparison, it was determined that the use of Soft X-Ray type ionizer was advantageous, and through experiments, electrostatic defect could be reduced by about 6.9%.
Sub-65㎚ CMOS 공정에서 SOC(System On a Chip) 설계를 위한 통계적 SPICE Model 구현방법연구
안영창(Young-Chang Ahn),이인학(In-Hack Lee),김영광(Young-Kwang Kim),김한구(Han-Gu Kim),공배선(Bai-Sun Kong) 대한전자공학회 2006 대한전자공학회 학술대회 Vol.2006 No.11
Two spice models are proposed to design a competitive SOC chip using sub-65㎚ CMOS technology. We proposed the nitride stress effect model to solve accuracy problems in the conventional model that happen by single stress liner step in process. We also analyzed new statistical process variances affect the circuit performance and yield using the Monte Carlo model and proposed the new worst case comer model to characterize standard cell libraries and analog circuits. The method to characterize the timing OCV(On Chip Variance) is presented to remove the timing violation.