
http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
박광민 성균관대학교 법학연구원 2007 성균관법학 Vol.19 No.2
Systematic Management of DNA Profiling Information in the Criminal ProceduresPark, Kwang Min
박광민 대한전자공학회 2003 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.40 No.8
본 논문에서는 CMOS 소자의 RF 동작을 정확히 예측하기 위해 Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스 효과와 표피효과 및 근접효과를 포함한 RF IC 설계를 위한 새로운 CMOS RF 모델을 처음으로 제시하였다. Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스는 레이아웃에 기초하여 모델링하였으며, 표피효과는 메탈 라인의 등가회로에 병렬회로를 부가하여 사다리꼴 등가회로로 구현하였다. 근접효과는 사다리꼴 등가회로에서 교차 결합된 인덕턴스 사이의 상호 인덕턴스를 부가함으로써 모델링하였다. 제안된 RF 모델은 BSIM 3v3에 비해 측정 데이터와 잘 일치하였으며, GHz 영역에서 소자 동작의 주파수 종속성을 잘 보여주었다. In this paper, a new CMOS RF model for RF IC design including the capacitance effect, the skin effect, and the proximity effect between metal lines on the Si surface is proposed for tile first time for accurately predicting the RF behavior of CMOS devices. The capacitances between metal lines on the Si surface are modeled with the layout. And the skin effect is modeled with a parallel branch added in equivalent circuit of metal line. The proximity effect is modeled by adding the mutual inductance between cross-coupled inductances in the ladder circuit representation. Compared to the BSIM 3v3. the proposed RF model shows good agreements with the measured data and shows well the frequency dependent behavior of devices in GHz ranges.
고주파 및 마이크로파 RFID 시스템에 사용하기 위한 CMOS 브리지 정류기의 설계
박광민 순천향대학교 부설 산업기술연구소 2004 순천향 산업기술연구소논문집 Vol.10 No.2
In this paper, a CMOS bridge rectifier for HF and microwave RFID systems is presented. The proposed RFID CMOS bridge rectifier is composed with two NMOSs and two PMOSs whose gates are all commonly connected to the antenna. The simulation results obtained with SPICE show the well rectified and high enough DC output voltages for frequencies of 13.56㎒, 915㎒, and 2.45㎓ which are used in various RFID systems. The obtained DC output voltages are sufficient for driving the microchip in RFID Transponders.