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GSF(GrayScale File) 출력을 이용한 3-Tire 파일 암호화 알고리즘
김영실,김영미,김륜옥,백두권,Kim Young-Shil,Kim Young-Mi,Kim Ryun-Ok,Baik Doo-Kwon 한국정보기술전략혁신학회 2002 情報學硏究 Vol.5 No.4
본 논문에서는 ciphertext를 적절한 cover 이미지를 사용하지 않고 은닉이 가능하도록 grayscale 형태의 이미지로 표현하는 개선된 파일 암호화 알고리즘을 제안한다. 제안된 파일 암호화 알고리즘은 기존의 스트림 암호화 알고리즘과 블록 알고리즘을 이용하여 2-Tire 암호화를 수행한 후 3-Tire에서는 암호화된 ciphertext의 구조와 형식을 은닉하기 위해 MBE(Modyfied Block Encryption) 알고리즘을 제안하고 적용하였다. 제안된 GSF 출력을 이용한 파일 암호화 알고리즘은 암호화되어 생성된 이미지 파일이 palintext 파일의 종류에 관계없이 거의 비슷한 패턴을 가지므로 파일의 암호화뿐만 아니라 은닉효과까지 기대할 수 있다. 또한 블록 암호화 알고리즘 적용 시 발생할 수 있는 padding 처리를 위해 SELI(Select Insert) padding을 제안하고 적용하였다.
객체지향적 IRD 스키마의 버젼 제어 방법에 관한 연구
김영실(Young Shil Kim),김창화(Chan Hwa Kim),백두권(Doo-Kwon Baik),황종선(Chong-Sun Hwang) 한국정보과학회 1991 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.18 No.1
IRDS의 주요기증중의 하나인 서비스 인터페이스 부분에서 사용자가 참조하고자 하는 정보를 현재의 정보만을 요구하는 것이 아니기 때문에 스키마의 변화를 필요로 한다. 객체지향 개념은 스키마의 변화정보를 유지, 관리하면서 응용 소프트웨어의 생산성도 높여줄 수 있는 방법을 사용하기 위해 응용될 수 있다. 이 방법은 실세계의 표현에도 매우 유용하다. 본 논문에서는 이러한 기능을 제공하기 위해 객체지향 접근방법을 이용하여 스키마를 정의했다. 이 스키마에서의 버젼의 종류, 제어방법, 그리고 버젼제어를 위한 시스템을 설계했다.
산화니켈 패시베이션을 적용한 고전압 AlGaN/GaN HEMT
김민기(Minki Kim),임지용(Jiyong Lim),김영실(Young-Shil Kim),석오균(Ogyun Seok),한민구(Min-Koo Han) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.7
We have proposed and fabricated AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) employing the surface passivation of the oxidized Nikel. The breakdown voltage and the leakage current of the AlGaN/GaN HEMT was improved due to the Ni/AlGaN alloied oxidation. The breakdown voltage of the proposed device was 1000 V while that of the conventional device was 1520 V. The leakage current of the proposed device was 2 order less than that of conventional device. The AlGaN/GaN HEMT with oxidized Nikel passivation is suitable for high power device application.
누설전류를 줄이기 위한 원형 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드
김민기,임지용,최영환,김영실,석오균,한민구,Kim, Min-Ki,Lim, Ji-Yong,Choi, Young-Hwan,Kim, Young-Shil,Seok, O-Gyun,Han, Min-Koo 한국전기전자재료학회 2009 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.9
We proposed circular AlGaN/GaN schottky barrier diode, which has no mesa structure near the current path. Proposed device showed low leakage current of 10 nA/mm at -100 V while that of the rectangular device was 34 nA/mm at the same condition. Proposed circular AIGaN/GaN SBD showed high forward current of 88.61 mA at 3,5 V while that of the conventional device was 14.1 mA at the same condition.
AlGaN/GaN 이종접합구조의 표면누설전류에 관한 연구
석오균,최영환,임지용,김영실,김민기,한민구,Seok, O-Gyun,Choi, Young-Hwan,Lim, Ji-Yong,Kim, Young-Shil,Kim, Min-Ki,Han, Min-Koo 한국전기전자재료학회 2009 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.8
For investigation of surface leakage currrent of AlGaN/GaN heterostructures through etched GaN buffer surface and mesa wall, three kind of surface-leakage-test-patterns were fabricated. and we measured the surface leakage current of each patterns. In result of our work, the surface leakage current of pattern of which Schottky contact is formed on etched mesa wall is the largest. the leakage current through schottky contact on etched mesa wall is predominant in AlGaN/GaN heterostructures.
다중 경로 특성을 갖는 멀티미디어 CBT 시스템의 설계 및 구현
류상우(Ryu Sang-Woo),김영실(Kim Young-Shil),백두권(Baik Doo-Kwon) 한국정보과학회 1994 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.21 No.2A
기존의 학습 시스템은 학습자 수준을 무시한 비차별화 교육이나 반복 학습시 같은 내용의 반복으로 인한 흥미 감소 등의 문제점이 있다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 극복하고 학습 효율을 높일 수 있는 다중 경로 특성을 정적 다중 경로와 동적 다중 경로의 두가지 형태로 제안하고 이러한 특성을 반영하면서 멀티미디어 데이타의 중복을 최소화 할 수 있는 다중 경로 자료 구조를 제안하였다. 그리고 저작자로 하여금 손쉽게 이러한 자료구조 형태로 코스웨어를 개발 할 수 있도록 도와주는 저작 지원 개발들을 새로운 저작 방법론에 근거하여 개발하였다.