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2단계 성장법을 통한 근사단결정의 다이아몬드 박막 합성
김도근,성태연,백영준,Kim, Do-Geun,Seong, Tae-Yeon,Baek, Yeong-Jun 한국재료학회 1999 한국재료학회지 Vol.9 No.11
근사단결정 다이아몬드막 성장시 입자의 정렬을 개선하기 위한 집합조직성장의 2단계 성장방법을 제안하였다. 메탄조성 4%, 기판온도 $850^{\circ}C$ 조건에서 (100) Si 기판에 - 200V 바이어스를 인가하여 20분동안 전처리 하였다. 처리한 기판을 2%[CH$_4$], 기판온도 $810^{\circ}C$에서 2~35시간동안 <100> 집합조직을 지니도록 1단계로 성장시켰다. 이 시편의 성장표면을 평탄화하기 위하여 (100) 면이 성장하도록 2% [CH$_4$], 기판온도 $850^{\circ}C$ 조건에서 2단계 성장시켰다. 1단계 성장시간에 따른 다이아몬드막의 배열정도를 {111} X-ray pole figure의 반가폭 변화를 통해 관찰하였다. 1단계 성장 후 입자정렬은 막의 두께가 증가할수록 개선되었다. 그러나 <100> 집합조직의 표면조직은 피라미드 형태의 굴곡을 피할 수 없었다. 2단계 성장시 (100) 면의 성장으로 인해 막의 표면은 평탄화되었으며, 이때 입자의 정렬은 1단계 성장시간에 크게 의존하였다. Two-step growth method is suggested to enhance the alignment of highly oriented diamond films. (100) Si wafers are pretreated with negative biasing of - 200 V at $850^{\circ}C$ for 20 min with 4 % methane in hydrogen plasma. The pretreated wafers are grown under the lst-step growth conditions(2 % CH$_4$ in H$_2$, $810^{\circ}C$) from 2 hr to 35 hr, in order to obtain <100> textured films. The 2nd-step growth(2 % CH$_4$ in H$_2$, $850^{\circ}C$) is carried out to make diamond films having (100) growth planes, which are parallel to the substrate. The alignment of the films after the 1st-step growth, has been analyzed by {111} X-ray pole figure, which is improved abruptly with increasing film thickness. However, the pyramidal surface morphology is inevitable. These morphology is flattened after the 2nd-step growth by developing the (100) facets parallel to the substrate. The alignment of the highly oriented textured films after the two-step growth depends on the thickness of the 1st-step growth film.
${CH_4}-{H_2}-{N_2}$ 기체계에서 MW-PACVD를 이용한 결정상 합성
김도근,백영준,성태연,Kim, Do-Geun,Baek, Young-Joon,Seong, Tae-Yeon 한국재료학회 2000 한국재료학회지 Vol.10 No.9
다이아몬드 합성 조건에서 질소 첨가량은 0%에서 95%까지 변화하였을 때의 합성 거동을 조사하였다. 질소 첨가량이 증가함에 따라 합성된 상은 {100} 성장면으로 이루어진 다이아몬드 막에서 고유의 결정면이 사라지고 나조 크기의 결정들로 이루어진 다이아몬 막으로 변화하였다. 심지어 수소가 없어 메탄과 질소만의 경우에서도 다이아몬드 막 합성이 가능함을 보여주었다. 또한 다이아몬드 구조를 갖는 개별적 입자의 형태는 30%∼80% 질소 첨가범위에서 정팔면체의 결정모양을 가졌고, 이 범위에서 기판온도가 증가함에 따라 육방정 모양의 새로운 결정상을 관찰하였다. 다이아몬드 막의 경우 질소, 첨가량에 무관하게 질소 혼입향은 측정되지 않을 만큼 적었지만, 육방정 결정상은 Si, C 그리고 N으로 이루어진 SiCN화합물임을 확인하였다. Synthesis of the crystalline film was investigated under the diamond growth condition with altering the addition of the nitrogen from 0% to 95%. With increasing the nitrogen concentration, surface morphology of the film was changed from the diamond film with {100} growth plane to the non-faceted diamond film with nano-scale grains. It also showed that the deposition of the diamond film could be synthesized using only methane and nitrogen gases without hydrogen gas. Separated particles with diamond structure showed an octahedral shaped I the nitrogen ranges between 30% and 80%, and newly formed hexagonal crystals are observed when substrate temperature with diamond structure, however, also identify that the hexagonal crystal was SiCN composite composed of Si, C and N atoms.
김도근(Kim, Do-Geun) 한국산학기술학회 2007 한국산학기술학회논문지 Vol.8 No.4
본 연구는 부산지역 경제 활성화 및 실업률의 해소를 위하여 벤처기업 육성시책이 적극적으로 추진될 필요가 있다는 문제의식에서 부산지역 벤처생태계의 실태, 부산지역 벤처기업 육성지원 시책에 대한 현황파악 및 정책 수요자의 태도분석을 통한 정책적 함의 도출을 연구목적으로 한다. 분석기간으로는 벤처기업 육성지원 정책이 참여정부 출범을 기점으로 크게 변화되었기 때문에 참여정부의 정책이 명확히 제시되었던 2004년에서부터 2006까지를 주된 연구대상으로한다. 연구결과에 따르면, 부산지역 벤처생태계는 양적 측면과 질적 측면 모두에서 대단히 취약함이 확인되었고, 참여정부의 정책변화에 따라 벤처여건은 악화될 가능성이 높은 것으로 확인된다. 또한 부산지역의 벤처육성 지원시책은 IT분야에 지나치게 편중되어 있어 지원대상의 다양화가 시급한 것으로 나타났다. The purpose of this study is to analyze the actual conditions of Busan venture-ecosystem in mind that venture-policy is to be propelled actively for revitalization of local economy and improving the rate of joblessness in Susan. The Analytic framework is the concept of venture-ecosystem which is focused on interaction between the venture business and the environment. Because it has provided the conceptual frame of the venture-policy to make venture-friendly environment. Period of analyzing Busan venture-ecosystem is from 2004 to 2006 because venture-policy was changed greatly by participation government sailing. According to study finding, Busan venture-ecosystem is very weak in both quantitative and qualitative side. And it is estimated that the situation of Busan venture-ecosystem is high to be worsed by participation government's policy change. Also, venture policy and measures of Susan area shows that diversification of support target is urgent because of being overemphasized in IT industry.
펄스형 진공 아크법에 의한 ZnO 박막의 상온합성 및 이의 전기적 특성에 미치는 산소분압비의 영향
신민근(Min-Geun Shin),변응선(Eungsun Byon),이성훈(Sunghun Lee),김도근(Do-Geun Kim),전상조(Sang-Jo Jeon),구본흔(Bon Heun Koo) 한국표면공학회 2005 한국표면공학회지 Vol.38 No.5
Highly c-axis oriented Zinc oxide (ZnO) films were successfully deposited at room temperature by oxygen ion-assisted pulsed filtered vacuum arc. The effect of oxygen gas ratio (O₂/O₂+Ar) on the preferred orientation, surface morphology and resistivity of the ZnO films were investigated. Highly crystalline ZnO films with (002) orientation were obtained at over 13% of oxygen gas ratio. Increasing oxygen gas ratio up to 80% was found to improve crystallinity of the films. From hall measurements, it was found that the film has n-type characteristic and carrier concentration and its mobility were closely related with oxygen gas ratio. Minimal resistivity of 3.6×10<SUP>-3</SUP> Ωㆍ㎝ was obtained in the range of 20% to 40% of oxygen gas ratio.