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SFF/SFP 장 송수신기용 TO-can 패키지 주파수 응답 향상 연구
이상훈,정현도,구본조,한상국,Lee Sang-Hoon,Jung Hyun-Do,Koo Bon-Jo,Han Sang-Kook 한국통신학회 2004 韓國通信學會論文誌 Vol.29 No.1A
본 논문은 SFF/SFP 광 송수신기에 사용되는 TO-38 패키지의 대역폭 향상을 위해 여러 구조적 변수를 변화시켜 최적화하여 3dB대역폭의 성능향상을 제안하였다. 먼저 실험을 통해 PIN PD 칩에 인가된 바이어스에 따른 캐패시턴스 값을 구하였으며 TO-can 패키지의 주파수 응답을 측정하여 3.5GHz의 3dB 대역폭을 얻었다. 또한 3차원 시뮬레이션으로 측정치와의 주파수 응답 특성의 일치를 재확인하였다. 더 나은 주파수 응답을 얻기 위해 TO-can 패키지 여러 물리적 구조 변수를 변화시켜 최적화시킨 TO-38 패키지는 3dB대역폭 15GHz의 아주 우수한 성능향상을 보였으며 이는 10Gbps대의 bit rate 성능을 만족할 수 있는 SFF/SFP 광 송수신기 모듈에 적용이 가능하다. We propose the optimum TO-can package design in SFF/SFP optical transceiver modules to improve 3dB-bandwidth. The frequency response of TO-38 package is measured and compared to simulation where the 3dB-bandwidth was 3.5GHz. For a higher operating bandwidth (>15GHz), the new optimized physical geometries of TO-can package such as bonding-wire, lead and material was suggested. The optimal result of simulation shows that TO-can package can be used at a higher bit rate optical module of 10Gbps.
G-PON용 높은 전광변환효율을 갖는 1.31 um 비냉각 DFB-LD
김정호,피중호,김덕현,박칠성,류한권,구본조,Kim, Jeong-Ho,Pi, Joong-Ho,Kim, Deok-Hyun,Park, Chil-Sung,Ryu, Han-Gwon,Koo, Bon-Jo 한국광학회 2007 한국광학회지 Vol.18 No.5
[ $-40^{\circ}C$ ]에서 $85^{\circ}C$의 온도에서 냉각장치 없이 동작하는 1.31 um 비냉각 DFB-LD가 유기 금속 화학 증착법에 의해 성장되었다. 높은 전광변환효율을 갖는 레이저의 제작은 스트레인이 인가된 다중양자우물 구조의 최적화를 통해 가능하며, 특히 스트레인의 양, 양자 우물의 두께, 전위장벽의 두께, 양자 우물의 수, 활성층의 폭에 주로 영향을 받는다. 본 연구에서 제작된 DFB-LD는 $25^{\circ}C$와 $85^{\circ}C$에서 전광변환효율은 0.38[mW/mA]와 0.26[mW/mA], 발진개시전류는 각각 7.1[mA]와 19.8[mA]의 값을 가졌다. A Strained Layer Multiquantum-Well (SL-MQW) distributed feedback laser at a wavelength of 1.31 um operating from $-40^{\circ}C$ to $85^{\circ}C$ without any cooling is grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Lasers with high slope efficiency are achieved through careful optimization of a SL-MQW active layer, especiallyoptimizing the amount of strain, the well thickness, the barrier thickness, the number of wells, and the active layer width. In this paper, we obtain the slope efficiencies of 0.38[mW/mA] and 0.26 [mW/mA] at $25^{\circ}C$ and $85^{\circ}C$, respectively. Threshold currents are 7.1[mA] and 19.8[mA] at $25^{\circ}C$ and $85^{\circ}C$, respectively.
-40~85℃ 범위에서 단일모드 동작이 가능한 1.49㎛ 비냉각 DFB-LD의 제작
이우원(Woo-Won Lee),김정호(Jeong-Ho Kim),류한권(Han-Gwon Ryu),박칠성(Chil-Sung Park),피중호(Joong-Ho Pi),구본조(Bon-Jo Koo) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.11
In order to obtain stable single mode operation around 1.49 ㎛ range over -40~85℃, strained layer MQW DFB-LD is fabricated by MOCVD method. Fabricated DFB-LDs have low threshold current of 6.2㎃ and 20.45㎃ at 25℃ and 85℃, respectively. Also, side-mode suppression ratio of them is over 35 ㏈m up to 85℃. Their slope efficiencies are 0.3㎽/㎃ and 0.21㎽/㎃ at 25℃ and 85℃, respectively.