http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
절연유에 용존된 가스와 furfural을 이용한 열화해석
김재훈(J.H. Kim),최강월(K.W. Choi),한상옥(S.O. Han),박현주(H.J. Park),박강식(K.S. Park),구경완(K.W. Koo) 대한전기학회 2009 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.10
For this paper we have estimated the insulating aging characteristics for oil-filed transformers when accelerating aging cell which we especially have manufactured was aged during 60 hours at 100, 150, 180 and 200[℃], individual. Also we have analyzed CO, C02, C2H6, CH4, C2H4, C3H8, T.C.G.(total combustible gas) and furan compound dissolved in mineral oil using DGA(dissolved gas analysis) and HPLC(high performance liquid chromatograph). As a result, we could know that dissolved gases in oil, furan compound and tensile strength of paper were correlated for thermal aging
구경완(K.W. Koo),김일중(I.J. Kim),손만수(M.S. Son),권용만(Y.M. Kwon),류기현(K.H. Ryou) 대한전기학회 2009 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.10
천안아산지역 산업단지를 중심으로 연간에너지 사용량이 2,000[TOE](수전설비 1,000[㎾] 이하 자가용 전기설비) 미만의 사업장에 대해 전기에너지 소비진단을 수행하였고, 진단업체의 연간에너지 사용량과 계약용량, 평균전력, 역률 등의 현황과 문제점 파악을 통해 에너지 절감방안을 제시하였다.
UV - excited chlorine radical을 이용한 실리콘 웨이퍼상의 금속 오염물의 건식세정에 관한 연구
손동수(D. S. Son),황병철(B. C. Hwang),조동율(T. Y. Cho),천희곤(H. G. Chun),김경중(K. J. Kim),문대원(D. W. Moon),구경완(K. W. Koo) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.1
본 연구에서는 실리콘 웨이퍼 표면에 존재하는 미량의 Zn, Fe, Ti 금속 오염물들이 UV-excited chlorine radical을 이용한 건식세정 방법으로 제거되는 반응과정을 찾아내고자 하였다. 실리콘 웨이퍼 상에 진공증착법으로 원형패턴이 있는 Zn, Fe, Ti 박막을 증착시켜 상온 및 200℃에서 UV/Cl₂ 세정하였을 때, 염소 래디컬 (Cl*)이 Fe, Zn, Ti와 반응하여 제거되는 것을 반응 전후 광학현미경과 SEM을 통해 표면 형상 변화을 관찰하였고, in-line으로 연결된 XPS를 통해서 반응 후 웨이퍼 표면에 남아있는 화합물의 화학적 결합상태를 관찰하였으며, UV/Cl₂ 세정 후 실리콘 기판이 손상받는 정도를 알기 위해 AFM으로 표면 거칠기를 측정하였다. 광학현미경과 SEM의 분석 결과에 의하면 Zn와 Fe는 쉽게 제기되는 반면 염화물을 형성하기 보다는 휘발성이 적은 산화물을 형성하는 경향이 강한 Ti은 약간만 제거되는 것을 확인하였다. XPS 분석을 통해서 이들 금속 오염물들이 chlorine radical과 반응하여 웨이퍼 표면에 금속 염화물을 형성하고 있는 것을 확인하였고, UV/Cl₂ 세정처리를 하였을 때 실리콘 웨이퍼의 표면 거칠기가 약간 증가하는 것을 알 수 있었다. 지금까지의 결과를 통해 볼 때, 습식세정과 UV/Cl₂ 건식세정을 병행하면 플라즈마 및 레이저를 사용하는 다른 건식세정 방법에 비하여 보다 저온에서 실리콘 기판의 큰 손상 없이 비교적 용이하게 금속 오염물을 제거할 수 있음을 제안하였다. The reaction mechanisms of dry cleaning with UV-excited chlorine radical for Zn, Fe and Ti trace contaminants on the Si wafer have been studied by SEM, AFM and XPS analyses in this work. The patterned Zn, Fe and Ti films were deposited on the Si wafer surface by thermal evaporation and changes in the surface morphology after dry cleaning with Cl₂ and UV/Cl₂ at 200℃ were studied by optical mocroscopy and SEM. In addition, changes in the surface roughness of Si wafer with the cleaning was observed by AFM. The chemical bonding states of the Zn, Fe and Ti deposited silicon surface were observed with in-line XPS analysis. Zn and Fe were easily cleaned in the form of volatile zinc-chloride and iron-chloride as verified by the surface morphology changes. Ti which forms involatile oxides was not easily removed at room temperature but was slightly removed by UV/Cl₂ at elevated temperature of 200℃. It was also found that the surface roughness of the Si wafer increased after Cl₂ and UV/Cl₂ cleaning. Therefore, the metallic contaminants on the Si wafer can be easily removed at lower temperature without surface damage by a continuous process using wet cleaning followed by UV/Cl₂ dry cleaning.