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      • SCISCIESCOPUS

        Fabrication and Characteristics of High Mobility InSnZnO Thin Film Transistors

        Choi, Pyungho,Lee, Junki,Park, Hyoungsun,Baek, Dohyun,Lee, Jaehyeong,Yi, Junsin,Kim, Sangsoo,Choi, Byoungdeog American Scientific Publishers 2016 Journal of nanoscience and nanotechnology Vol.16 No.5

        <P>In this paper, we describe the fabrication of thin film transistors (TFTs) with amorphous indium-tin-zinc-oxide (ITZO) as the active material. A transparent ITZO channel layer was formed under an optimized oxygen partial pressure (OPP (%) = O-2/(Ar + O-2)) and subsequent annealing process. The electrical properties exhibited by this device include field-effect mobility (mu(eff)), sub-threshold swing (SS), and on/off current ratio (I-ON/OFF) values of 28.97 cm(2)/V.s, 0.2 V/decade, and 2.64 x 10(7), respectively. The average transmittance values for each OPP condition in the visible range were greater than 80%. The positive gate bias stress resulted in a positive threshold voltage (V-th) shift in the transfer curves and degraded the parameters mu(eff) and SS. These phenomena originated from electron trapping from the ITZO channel layer into the oxide/ITZO interface trap sites.</P>

      • SCISCIESCOPUS

        Trap Profiling Based on Frequency Varied Charge Pumping Method for Hot Carrier Stressed Thin Gate Oxide Metal Oxide Semiconductors Field Effect Transistors

        Choi, Pyungho,Kim, Hyunjin,Kim, Sangsub,Kim, Soonkon,Javadi, Reza,Park, Hyoungsun,Choi, Byoungdeog American Scientific Publishers 2016 Journal of nanoscience and nanotechnology Vol.16 No.5

        <P>In this study, pulse frequency and reverse bias voltage is modified in charge pumping and advanced technique is presented to extract oxide trap profile in hot carrier stressed thin gate oxide metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Carrier trapping-detrapping in a gate oxide was analyzed after hot carrier stress and the relationship between trapping depth and frequency was investigated. Hot carrier induced interface traps appears in whole channel area but induced border traps mainly appears in above pinch-off region near drain and gradually decreases toward center of the channel. Thus, hot carrier stress causes interface trap generation in whole channel area while most border trap generation occurs in the drain region under the gate. Ultimately, modified charge pumping method was performed to get trap density distribution of hot carrier stressed MOSFET devices, and the trapping-detrapping mechanism is also analyzed.</P>

      • SCISCIESCOPUS

        Analysis of the Electrical Properties of an Electron Injection Layer in Alq<sub>3</sub>-Based Organic Light Emitting Diodes

        Kim, Soonkon,Choi, Pyungho,Kim, Sangsub,Park, Hyoungsun,Baek, Dohyun,Kim, Sangsoo,Choi, Byoungdeog American Scientific Publishers 2016 Journal of nanoscience and nanotechnology Vol.16 No.5

        <P>We investigated the carrier transfer and luminescence characteristics of organic light emitting diodes (OLEDs) with structure ITO/HAT-CN/NPB/Alq(3)/Al, ITO/HAT-CN/NPB/Alq(3)/Liq/Al, and ITO/HAT-CN/NPB/Alq(3)/LiF/Al. The performance of the OLED device is improved by inserting an electron injection layer (EIL), which induces lowering of the electron injection barrier. We also investigated the electrical transport behaviors of p-Si/Alq(3)/Al, p-Si/Alq(3)/Liq/Al, and p-Si/Alq(3)/LiF/Al Schottky diodes, by using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characterization methods. The parameters of diode quality factor n and barrier height phi(b) were dependent on the interlayer materials between Alq(3) and Al. The barrier heights phi(b) were 0.59, 0.49, and 0.45 eV, respectively, and the diode quality factors n were 1.34, 1.31, and 1.30, respectively, obtained from the I-V characteristics. The built in potentials V-bi were 0.41, 0.42, and 0.42 eV, respectively, obtained from the C-V characteristics. In this experiment, Liq and LiF thin film layers improved the carrier transport behaviors by increasing electron injection from Al to Alq(3), and the LiF schottky diode showed better I-V performance than the Liq schottky diode. We confirmed that a Liq or LiF thin film inter-layer governs electron and hole transport at the Al/Alq(3) interface, and has an important role in determining the electrical properties of OLED devices.</P>

      • KCI등재

        보행안전을 위한 교통정온화(Traffic Calming) 계획지표의 중요도 분석 - 물리적인 측면을 중심으로 -

        Sanghoon Yoon,Hyoungsun Choi,Joohyung Lee 한국재난정보학회 2015 한국재난정보학회 논문집 Vol.11 No.4

        본 연구는 교통정온화(Traffic Calming)기법 적용시 고려되어야 할 계획지표들을 도출하고 이를 토대로 교통정온화 기법 계획시 가장 고려되어야 할 지표들을 AHP분석을 통하여 중요도를 분석하고자 하였다. 계획지표에서의 결과는 도로구간과 교차점구간으로 나누어 요약할 수 있다. 도로구간에서는 감속자극장치의 경우 험프(0.35), 시각제어 장치에서는 이미지험프/폴트(0.31), 시케인에서는 슬라럼형도로(0.52), 통과경로의 차단에서는 볼라드(0.47)가 가장 계획시 중요하고 우선시 되는 것으로 나타났다. 교차점 구간에서는 시각제어장치의 경우 신호·표지(0.33), 감속·자극장치에서는 교차로올림(0.44), 시케인에서는 지그재그형 도로(0.65), 통과경로의 차단에서는 교차점의 직진차단(0.45)이 가장 계획시 중요하고 우선시 되는 것으로 나타났다. 본 연구의 결과는 향후 교통정온화 기법을 적용시 또는 정책 수립시 기초적인 자료로 활용 될 수 있을 것으로 판단된다. In the study, planning indicator that should be considered in applying traffic calming technique was derived, and it was intended to analyze the importance of indicator that should most considered in planning traffic calming technique through AHP analysis on the basis of it. The result of planning indicator may be summarized by dividing into road section and crossing section. In road section, hump (0.35) for equipment stimulating reduction of speed, hump image/fort (0.31) for visual control equipment, and slalom type road (0.52) for chicane, and bollard (0.47) for blocking passing route are shown to be the most important and come before anything. In crossing section, signal indicator (0.33) for visual control equipment, rumble strip (0.44) for equipment stimulating reduction of speed, zigzag type road (0.65) for chicane, and blocking going straight at crossing (0.45) for blocking passing route are shown to be the most important and come before anything. The result of the study is judged to be used for basic material in applying traffic calming technique and establishing policy hereafter.

      • KCI등재

        보행안전을 위한 교통정온화(Traffic Calming) 계획지표의 중요도 분석 - 물리적인 측면을 중심으로 -

        Yoon, Sanghoon,Choi, Hyoungsun,Lee, Joohyung 한국재난정보학회 2015 한국재난정보학회 논문집 Vol.11 No.4

        본 연구는 교통정온화(Traffic Calming)기법 적용시 고려되어야 할 계획지표들을 도출하고 이를 토대로 교통정온화 기법 계획시 가장 고려되어야 할 지표들을 AHP분석을 통하여 중요도를 분석하고자 하였다. 계획지표에서의 결과는 도로구간과 교차점구간으로 나누어 요약할 수 있다. 도로구간에서는 감속자극장치의 경우 험프(0.35), 시각제어 장치에서는 이미지험프/폴트(0.31), 시케인에서는 슬라럼형도로(0.52), 통과경로의 차단에서는 볼라드(0.47)가 가장 계획시 중요하고 우선시 되는 것으로 나타났다. 교차점 구간에서는 시각제어장치의 경우 신호 표지(0.33), 감속 자극장치에서는 교차로올림(0.44), 시케인에서는 지그재그형 도로(0.65), 통과경로의 차단에서는 교차점의 직진차단(0.45)이 가장 계획시 중요하고 우선시 되는 것으로 나타났다. 본 연구의 결과는 향후 교통정온화 기법을 적용시 또는 정책수립시 기초적인 자료로 활용 될 수 있을 것으로 판단된다. In the study, planning indicator that should be considered in applying traffic calming technique was derived, and it was intended to analyze the importance of indicator that should most considered in planning traffic calming technique through AHP analysis on the basis of it. The result of planning indicator may be summarized by dividing into road section and crossing section. In road section, hump (0.35) for equipment stimulating reduction of speed, hump image/fort (0.31) for visual control equipment, and slalom type road (0.52) for chicane, and bollard (0.47) for blocking passing route are shown to be the most important and come before anything. In crossing section, signal indicator (0.33) for visual control equipment, rumble strip (0.44) for equipment stimulating reduction of speed, zigzag type road (0.65) for chicane, and blocking going straight at crossing (0.45) for blocking passing route are shown to be the most important and come before anything. The result of the study is judged to be used for basic material in applying traffic calming technique and establishing policy hereafter.

      • 화산분화에 따른 항공교통 부문의 위험성 평가기준에 관한 연구

        박근오,최형선,김근영,Park. KeunOh,Choi. HyoungSun,Kim. Geun Young 한국방재학회 2014 한국방재학회 학술발표대회논문집 Vol.2014 No.1

        최근 우리나라를 포함하여 동북아 지역에 위치한 중국 및 일본, 러시아 등에서 화산재해의 위험성에 대한 경각심이 높아지고 있으며, 이러한 화산재해의 위험성에 공동으로 대처하기 위한 협력체계의 구축이 활발하게 전개되고 있다. 우리나라는 그동안 화산재해가 발생하지 않아 화산피해의 위험성이 타국에 비해 적다고 인식되어 왔으며, 그 결과 화산재해에 관한 연구 및 제도정비가 미흡한 상황이다. 최근 백두산 화산분화의 가능성이 제기되면서 화산분화가 우리나라에 미치는 영향에 대한 호기심과 불안감이 점점 커져가고 있으며, 실제 화산분화 후 우리나라에까지 화산재가 확산 및 낙하할 경우, 특히 항공교통 부문에 미치는 영향은 매우 지대할 것으로 예상된다. 따라서 이와 같은 상황이 발생하여 화산재가 우리나라에 까지 확산 및 낙하할 경우 항공교통 부문에 어떠한 영향을 미칠 것인지, 그 중에서도 특히 어떤 요소에 영향을 미칠 것인지에 대한 분석이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 국외의 화산분화 사례와 각국의 화산재해에 대한 대응방안을 조사 분석하고, 전문가 집단에 대한 심층면접 조사 및 AHP분석을 통해 항공교통 부문에 있어서의 위험요소에 대한 가중치를 산정하였다. 이러한 연구결과는 화산재 확산 및 낙하에 따른 관리기준 및 대응방안을 수립시 활용이 가능할 것으로 기대된다.

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