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김명기,홍창희,최부귀,Kim, Myeong-Gi,Hong, Chang-Hui,Choe, Bu-Gwi 대한전자공학회 1978 전자공학회지 Vol.15 No.3
Cu2-xS-CdS PN 접합 태양전류의 효률 향상을 위하여 직렬저항을 감소시키는 방법을 고려하였다. Cu2-xS의 박막을 만들 때 도전율이 제일 큰 것은 기판온도 250℃에서 얻어졌다. CdS 박막도 기판의 온도가 250℃ 이상 300℃ 정도이고 증발원의 온도가 800∼850℃ 정도에서 만든 것이 도전율이 제일 컸으며 광도전특성도 좋다는 것을 확인하였다. 따라서 기판온도를 250℃로 하고 증발원 온도를 800∼850℃정도에서 증착된 박막형 CdS 태양전지를 만들었고 효율을 측정하였더니 6% 정도였다. In order to improve the efficiency of Cu2-xS-CdS PN junction type solar cell, a method of reducing the series resiatance is considered. In the fabrication of the thin film of Cu2-xS, what has the largest value of conductivity is fabricated at 250 $^{\circ}C$. The thin film of CdS which has beer fabricated at the temperature 250-30$0^{\circ}C$ of the substrate and 800-85$0^{\circ}C$ of evaporating material has the largest value of conductivity and also fairly good photoelectric characteristics. Therefore, the evaporated thin aim type CdS solar cell has been fabricated at the temperature 25$0^{\circ}C$ of the substrate and 800-85$0^{\circ}C$ of the evaporating material, and its efficiency is measured to he 6%.
이종헌,홍창희,이화용,Lee, Jong-Heon,Hong, Chang-Hui,Lee, Hwa-Yong 대한전자공학회 1979 전자공학회지 Vol.16 No.3
본 논문에서는 바나디움 주화물을 사용한 새로운 반도체 소자인 C.T.R을 제조하여 그외 전기적 특성을 조사하였다. 그 실험결과는 다음과 같다. (1) 제조될 C.T.R의 저항급변계수 는 3정도였고, (2) 의 값은 환원시간과 급냉시간에 크게 의존하였으며, (3) 의 큰 값을 갖는 C.T.R은 짧은 switching현상을 갖는다. In this paper, we fabricated a samiconductor C. T. R.(Critical Temperature Resisthor) using vanadium-oxides as material and measured its electrical characteustics. Experimental results are as follows; (1) The abrupt resistance change coefficient of the fabricated C. T, R., , is approximately 3 and (2) the value of depends largely on the reducing time and quenching time and also (3) the C. T, R. with larger value of has shorter switching time.
장파장 GaInAsP/Inp DH 레이저의 제작과 발진특성
이용탁,홍창희,Lee, Yong-Tak,Hong, Chang-Hui 한국전자통신연구원 1982 전자통신 Vol.4 No.1
성장된 GaInAsP/InP DH wafer로부터 상온에서 duty 5%까지 Pulse 동작이 가능한 전면전극(broad contact) 및 stripe 구조 LD(711이저 다이오드)를 제작하였다. 또 이렇게 제작된 LD의 I-V특성, 1-L 특성 및 발진파장 등을 조사하기 위해 LD 구동회로 및 Ge 태양전지와 Ge-APD를 이용한 광 검출회로를 제작하였다. 이들을 이용해 제작한 LD의 특성을 조사한 결과 stripe 구조 LD인 경우 발진개시전류($I_th$)가 900mA, 발진파장이 $1.29\mum$, 파장반치폭(FWHM)이 $60\AA$였으며 $1.33I_th$까지 kink 없이 동작이 가능하였다.
활성화 이온빔 처리된 사파이어 기판상 MOCVD로 성장시킨 GaN의 열처리 효과
이상진,변동진,홍창희,김긍호,Lee, Sang-Jin,Byeon, Dong-Jin,Hong, Chang-Hui,Kim, Geung-Ho 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.3
사파이어 (0001) 기판의 활성화 이온빔 (RIB) 처리 후 MOCVD에서 성장한 GaN박막의 열처리를 통한 구조 변화를 살펴보고, 전기적 성질의 변화를 관찰하기 위하여 전기로를 이용하여 열처리를 하였다. 시편의 분석을 위하여 DCXRD, Hall, TEM을 사용하였다. 100$0^{\circ}C$에서 시간을 변화시키면서 열처리한 시편에서 DCXRD의 FWHM는 약 50 arc-sec 정도 감소하였고, Hall 이동도는 약 80$\textrm{cm}^2$/V.sec 정도 향상되었다. 가장 좋은 Hall 이동도를 보인 처리된 시편과 처리 전 시편의 TEM 비교 관찰에서 전위 밀도는 56~69% 정도 감소하였고 격자의 변형도 줄어들었다. 이것은 결정의 질과 전기적 성질 사이의 상관관계를 암시하며, 기판의 RIB 처리와 성장 후 적절한 열처리의 조합이 MOCVD로 성장시킨 GaN 박막의 특성을 개선시키는 것을 명확하게 보여준다. GaN is a key material for blue and ultraviolet optoelectronics. Postannealing process was employed to investigate the structural change and the effect on electrical property of the GaN thin film grown on reactive ion beam(RIB) treated sapphire (0001) substrate. Full width half maximum (FWHM) of double crystal x-ray diffraction (DCXRD) spectra and Hall mobility of the specimen were significantly changed depending on the postannealing time at $1000^{\circ}C$ in N2 atmosphere. FWHM of DCXRD reduced upto about 50arc-sec and the mobility increased about $80\textrm{cm}^2$/V.sec. The postannealed specimen with the best mobility was compared with sample without annealing by TEM. The former sample showed a decrease in the lattice strain and reduction of dislocation density by about 56~59%. This implies that there is a strong correlation between crystalline quality and the electrical property of the film. The Present results clearly show that the combination of RIB pretreatment and proper post annealing conditions results in the improved properties of GaN films grown by MOCVD.
$\textrm{MgAl}_{2}\textrm{O}_{4}$ 기판위에 GaN의 Hydride Vapor Phase Epitaxy성장과 특성
이영주,김선태,김배용,홍창희,Lee, Yeong-Ju,Kim, Seon-Tae,Kim, Bae-Yong,Hong, Chang-Hui 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.8
HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법으로 (111)MgAI$_{2}$ $O_{4}$기판위에 GaN 후막을 성장하였다. GaN를 성장하기 전에 기판에 표면을 GaCI로 처리한 수 성장하였을 때 이중 X선 회절 피크의 반치폭이 710 arcsec로서 N $H_{3}$로 처리한 후 성장한 GaN에 비하여 작았으며, 무색 투명의 경면상태가 얻어\ulcorner다. 113$0^{\circ}C$의 온도에서 성장한 GaN 의 광루미네센스(PL)특성과 동일하게 나타났다. 10K의 온도에서 측정된 PL 스펙트럼은 자유여기자와 속박여기자의 재결합천이에 의한 피크들과 Mg과 관련된 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합 및 이의 1LO, 2LO, 3LO 및 4 LO 포논복제에 의한 피크들이 나타났다. 성장된 GaN는 n형의 전도성을나타내었으며, 캐리어 이동도와 농도는 각각 21.3$\textrm{cm}^2$/V ㆍsec와 4.2 x $10^{18}$$cm^{-3}$이었다.