http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
외부 지식이 반영된 BERT를 활용한 검색 기반 대화 시스템
한장훈(Janghoon Han),고영중(Youngjoong Ko),서정연(Jungyun Seo) 한국정보과학회 2021 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지 Vol.27 No.12
인간과 상호작용할 수 있는 대화시스템 개발은 인공지능 분야의 중요한 과제 중 하나이다. 이러한 문제를 해결하기 위해 대화 시스템에서 외부 지식을 활용하는 연구는 꾸준히 진행되어 왔다. 하지만 외부 지식을 학습하기 위해서는 구조화된 지식이 필요하며, 이를 생성하기 위해선 상당한 자원이 필요하다. 이러한 관점에서 본 연구는 검색 기반 대화 시스템에서 구조화 되지 않는 텍스트를 외부 지식으로 사용하는 모델을 제안한다. 기본 모델로 사전 학습된 언어 모델인 BERT를 사용하고 사후 학습을 통해 모델에 외부 지식을 학습시킨다. 이 후 사후 학습된 모델을 대화 응답 선택 태스크에 미세조정하여 문제를 해결한다. 기존 BERT 모델에 비해 외부 지식을 학습한 모델의 성능이 우분투 코퍼스에서 R10@1기준 1.3% 향상된 결과를 보였다. Developing dialogue systems is a crucial aspect of artificial intelligence. Various studies have been advanced to improve the performance of the dialogue systems using external knowledge. However, well-structured external knowledge is required in order to be applied to the dialogue systems, and it needs a considerable amount of time and resources to be generated. From this point of view, this study proposes a model that uses unstructured texts as external knowledge for retrieval-based dialogue systems. We use a pre-trained language model, BERT as a base model for the response selection task, and then we train BERT with the external knowledge through post-training. Eventually, the post-trained model is fine-tuned for the dialogue response selection task. Compared to existing BERT models, the performance of the post-trained model with external knowledge is improved by 1.3% in R10@1 on ubuntu corpus.
위상 배열 안테나를 위한 C-대역 CMOS 양방향 T/R 칩셋
한장훈(Jang-Hoon Han),김정근(Jeong-Geun Kim) 한국전자파학회 2017 한국전자파학회논문지 Vol.28 No.7
논문은 0.13 ㎛ TSMC CMOS 공정을 이용한 위상 배열 안테나의 C-대역 양방향 T/R 칩셋에 관한 연구이다. 위상 배열 안테나의 필수 부품인 T/R 칩셋은 6 비트 위상변위기, 6 비트 가변 감쇄기, 양방향 증폭기로 구성하였다. 위상 변위기의 경우 정밀한 빔 조향을 위해서 5.625°의 간격으로 최대 354°까지 제어가 가능하며, 측엽 레벨을 제어하기 위한 가변 감쇄기는 0.5 ㏈ 간격으로 최대 31.5 ㏈까지 감쇄가 가능하다. 또한, 1.2 V의 안정적인 전원공급을 위한 LDO(Low Drop Output) 레귤레이터와 디지털 회로의 제어가 간편하도록 SPI(Serial Peripheral Interface)를 집적화 하였으며, 칩 크기는 패드를 포함하여 2.5×1.5 ㎟이다. This paper presents a C-band bi-directional T/R chipset in 0.13 μm TSMC CMOS technology for phased array antenna. The T/R chipset, which is a key component of phased array antenna, consists of a 6 bit phase shifter, a 6 bit step attenuator, and three bi-directional gain amplifiers. The phase shifter is controlled up to 354° with 5.625° phase step for precise beam steering. The step attenuator is also controlled up to 31.5 ㏈ with 0.5 ㏈ attenuation step for the side lobe level rejection. The LDO(Low Drop Output) regulator for stable 1.2 V DC power and the SPI(Serial Peripheral Interface) for digital control are integrated in the chipset. The chip size is 2.5×1.5 ㎟ including pads.
한장훈(Jang-Hoon Han),김정근(Jeong-Geun Kim) 한국전자파학회 2017 한국전자파학회논문지 Vol.28 No.5
본 논문은 0.25 um GaN HEMT 공정을 이용하여 S/C/X-대역에서 저항 피드백 구조의 저잡음 증폭기 MMIC에 관한 연구이다. GaN 소자는 높은 항복 전압과 에너지 밴드갭 그리고 고온에서 안정성을 갖는 고출력 소자로서 장점을 가진다. 따라서 높은 선형성을 가지는 GaN 소자를 이용한 수신기는 리미터 없이 구현할 수 있기 때문에 수신기의 잡음 지수가 개선되고, 수신기 모듈의 크기를 줄일 수 있다. 제안한 GaN 저잡음 증폭기 MMIC는 S/C/X-대역에서 15 dB 이상의 이득, 3 dB 이하의 잡음 지수, 13 dB 이상의 입력 반사 손실, 그리고 8 dB 이상의 출력 반사 손실을 가진다. GaN 저잡음 증폭기 MMIC는 드레인 전압 20 V, 게이트 전압 -3 V일 때, 70 mA의 전류를 소모한다. This paper presents a S/C/X-band LNA MMIC with resistive feedback structure in 0.25 um GaN HEMT process. The GaN devices have advantages as a high output power device having high breakdown voltage, energy band gap and stability at high temperature. Since the receiver using the GaN device with high linearity can be implemented without a limiter, the noise figure of the receiver can be improved and the size of receiver module can be reduced. The proposed GaN LNA MMIC based on 0.25 um GaN HEMT device is achieved the gain of > 15 dB, the noise figure of < 3 dB, the input return loss of > 13 dB, and the output return loss of > 8 dB in the S/C/X-band. The current consumption of GaN LNA MMIC is 70 mA with the drain voltage 20 V and the gate voltage -3 V.
파클리탁셀의 잔류 펜탄 제거를 위한 회전증발의 동역학 및 열역학에 관한 연구
한장훈 ( Jang Hoon Han ),지성빈 ( Seong-bin Ji ),김예솔 ( Ye-sol Kim ),이승현 ( Seung-hyun Lee ),박서희 ( Seo-hui Park ),김진현 ( Jin-hyun Kim ) 한국화학공학회 2017 Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHA Vol.55 No.6
본 연구에서는 회전증발에서 건조 온도에 따른 파클리탁셀의 잔류 펜탄 제거 효율에 대해 조사하였으며 건조 공정에 대한 동역학 및 열역학적 해석을 수행하였다. 모든 온도(25, 30, 35, 40, 45 ℃)에서 건조 초기에 많은 양의 잔류용매가 제거되었으며 건조 온도가 증가할수록 건조 효율은 증가하였다. 동역학적 해석을 위해 실험데이터 값을 다섯 종류의 건조 모델식(Newton, Page, Modified Page, Henderson and Pabis, Geometric)에 적용하였으며, 이 중 Henderson and Pabis 모델이 큰 결정계수 값과 작은 평균평방근편차 RMSD 값을 가져 가장 적합함을 확인하였다. 또한 열역학적 해석을 수행한 결과, 회전증발에서의 활성화 에너지 E<sub>a</sub>는 4.9815 kJ/mol이었으며, 표준 Gibbs 자유에너지 변화(ΔG<sup>0</sup>)는 음수 값인 반면 표준 엔탈피 변화(ΔH<sup>0</sup>)와 표준 엔트로피 변화(ΔS<sup>0</sup>)는 양수 값을 나타내어 건조 공정이 자발적 흡열반응이며 비가역적으로 수행됨을 알 수 있었다. This study investigated the removal efficiency of residual pentane from paclitaxel according to the drying temperature in the case of rotary evaporation, and performed a kinetic and thermodynamic analysis of the drying process. At all the temperatures (25, 30, 35, 40, and 45 ℃), a large amount of the residual solvent was initially removed during the drying, and the drying efficiency increased when increasing the drying temperature. Five drying models (Newton, Page, modified Page, Henderson and Pabis, Geometric) were then used for the kinetic analysis, where the Henderson and Pabis model showed the highest coefficient of determination (r<sup>2</sup>) and lowest root mean square deviation (RMSD), indicating that these models were the most suitable. Furthermore, in the thermodynamic analysis of the rotary evapora-tion, the activation energy (E<sub>a</sub>) was 4.9815 kJ/mol and the standard Gibbs free energy change (ΔG<sup>0</sup>) was negative, whereas the standard enthalpy change (ΔH<sup>0</sup>) and standard entropy change (ΔS<sup>0</sup>) were both positive, indicating that the drying process was spontaneous, endothermic, and irreversible.