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한기봉(Ki-Bong Han),강인준(In-Joon Kang),최치영(Chi-Young Choi),이경철(Kyung Chul Lee),이수주(Soo-Ju Lee) 대한공간정보학회 2009 한국지형공간정보학회 학술대회 Vol.2009 No.4
삼국시대부터 축조되어 전해지는 봉수대는 조선시대에 이르러 크게 발전되어 국방 및 통신 분야에서 중요한 역할을 해왔다. 이러한 봉수대의 선정에 있어서 지형, 지세, 기후 및 산림 등의 자연조건은 중요한 기준이 되었다. 본 연구에서는 부산지역에 위치하는 봉수대 중 연변 봉수대에 대하여 봉수대의 입지를 선정하는 요소들 중 지형과 기후요소를 중심으로 하여 기후요소 중에서 봉수대가 위치하는 연구지역의 운량 및 시정거리의 지수의 연간의 평균결과 값을 산출하여 보았고 봉수대 지형요소에 대한 분석으로 경사(slope), 향(aspect)등을 파악해보고 각 봉수대간의 거리 및 가시권(Visible range)를 파악하여 봉수대의 입지에 대한 특징을 수치적으로 정리해 보고 이들 요소들을 대상으로 통계분석을 실시하여 각 요소들 사이의 상관관계 결과를 바탕으로 미지(未知)의 봉수대의 파악에 있어서의 효율성을 가지는지에 대하여 알아보았다.
TSC법에 의한 MNOS의 memory trap 특성에 관한 연구
정양희,최치영 여수대학교 1998 論文集 Vol.13 No.2
In this paper, C-V measurement and Thermally Stimulated Current(TSC) method were examined to interpret trap distribution and charging and discharging mechanism in a Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor(MNOS) device. TSC in MNOS diode consists of four components, the current due to the excitation of carriers trapped in deep levels at or near the nitride-oxide(N-O) interface contribute to the memory effect and was seperated from the others. The charges released N-oO interface trap by TSC was compared with the change of charges calculated from the gate voltage shift before and the TSC measurement. Peak shape method and Heating rate method were applied to determine the trap energy level. The energy level of the memory trap near the N-O interface lies 0.44-0.66[eV] from the bottom of the nitride conduction band, and the frequency factor is 6.58×10³/sec. The good correlation between Q(TSC) and Q(△VFB) is observed.