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      저자 : 첸시우팡 (검색결과 1 건)
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        고순도 SiC 파우더를 이용한 반절연 SiC 단결정 성장

        이채영,최정민,김대성,박미선,장연숙,이원재,양인석,김태희,첸시우팡,슈시앙강 한국전기전자재료학회 2019 전기전자재료학회논문지 Vol.32 No.2

        고순도의 SiC분말을 이용하여 성장시킨 반절연 SiC단결정에서 바나듐의 분포가 관찰되었다. 고순도 분말과 내부캡슐은 시드의 반대편에 위치시켜 성장하였고 2300℃의 성장온도에서 6H-SiC 시드상에 단결정을 성장시켰다. 순도가 낮은 SiC 분말을 사용하여 성장시킨 SiC 결정의 품질보다 고순도의 SiC 분말을 사용하여 성장시킨 SiC 결정이 고품질을 갖는 것으로 나타났다. 또한 고순도 SiC 분말을 사용하여 1x1010 Ωcm 이상의 평균 비저항 값과 균일한 비저항 값을 갖는 반절연 웨이퍼를 얻을 수 있었다. The change in vanadium amount according to the growth direction of vanadium-doped semi-insulated (SI) SiCsingle crystals using high-purity SiC powder was investigated. High-purity SiC powder and a porous graphite (PG) innercrucible were placed on opposite sides of SiC seed crystals. SI SiC crystals were grown on 2 inch 6H-SiC Si-face seedsat a temperature of 2,300℃ and growth pressure of 10~30 mbar of argon atmosphere, using the physical vapor transport(PVT) method. The sliced SiC single crystals were polished using diamond slurry. We analyzed the polytype and qualityof the SiC crystals using high-resolution X-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy. The resistivity of the SI SiCcrystals was analyzed using contactless resistivity mapping (COREMA) measurements.

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