전자빔 조사를 통한 CIGS 박막태양전지 효율향상 및 특성개선

정채환,김재웅 한국진공학회 2015 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.2015 No.8

한국생산기술연구원의 태양광산업 인프라 구축현황 및 보유 대표기술 사례

정채환 한국태양에너지학회 2012 태양에너지 : 한국태양에너지학회지 Vol.11 No.1

Improved performance of electron beam irradiated thin films for solar cell application

정채환,김재웅,천재하,윤성민,김기림,김용환 한국진공학회 2014 한국진공학회 학술발표회초록집 Vol.2014 No.8

플렉서블 CIGS 박막태양전지를 이용한 BIPV 연구개발 동향

정채환 대한전기학회 2017 전기의 세계 Vol.66 No.3

Fabrication of the Planar-Type CO2 Gas Sensor Using an Evaporated Li3PO4 Film and Its Sensing Characteristics

정채환,송호근,장덕례,김호성 대한금속·재료학회 2009 METALS AND MATERIALS International Vol.15 No.1

The CO2 gas sensor, based on the principle of electro-chemistry, was fabricated using the solid-electrolyte Li3PO4 film formed by a thermal evaporator and its sensing performances were studied. Thermal evaporated film was prepared with power of 10A, a working pressure of 10 -6 mTorr and thickness of 1.2 μm. Then, it was annealed at 800℃ for 2h in air. Li2TiO3+TiO2 and Li2CO3 film were prepared using a screen printing method as the reference and the sensing electrode, respectively. Li3PO4 film showed a much denser structure than bulk-type Li3PO4 in SEM images. The response and recovery characteristics were very good at the higher CO2 concentration and its value was 280 mV and changed to 260 mV in the higher CO2 environment. It was also observed that the sensitivity decreased by 98 % when the CO2 concentration increased from 250 ppm to 5000 ppm. Response time and recovery time were measured to be 5 s and 7 s, respectively. These results showed enough potential for developing a CO2 gas sensor using Li3PO4 film instead of the bulk-type. The CO2 gas sensor, based on the principle of electro-chemistry, was fabricated using the solid-electrolyte Li3PO4 film formed by a thermal evaporator and its sensing performances were studied. Thermal evaporated film was prepared with power of 10A, a working pressure of 10 -6 mTorr and thickness of 1.2 μm. Then, it was annealed at 800℃ for 2h in air. Li2TiO3+TiO2 and Li2CO3 film were prepared using a screen printing method as the reference and the sensing electrode, respectively. Li3PO4 film showed a much denser structure than bulk-type Li3PO4 in SEM images. The response and recovery characteristics were very good at the higher CO2 concentration and its value was 280 mV and changed to 260 mV in the higher CO2 environment. It was also observed that the sensitivity decreased by 98 % when the CO2 concentration increased from 250 ppm to 5000 ppm. Response time and recovery time were measured to be 5 s and 7 s, respectively. These results showed enough potential for developing a CO2 gas sensor using Li3PO4 film instead of the bulk-type.

한국생산기술연구원 태양광 연구 인프라 및 현황

정채환,김호성 한국태양광발전학회 2016 한국태양광발전학회지 Vol.2 No.1

Time-dependent Effect on Electron Beam Irradiation of Cu-In-Se Precursors by Using the DC Co-sputtering Method

정채환,김진혁 한국물리학회 2012 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.61 No.1

Cu-In-Se thin precursors were prepared by using the DC co-sputtering method and were then irradiated using an in-situ electron beam (e-beam) irradiation unit, which was equipped with a cosputtering chamber. The irradiation time of the samples was varied from 0 sec to 300 sec, and the electron dose and intensity were kept constant with 200 W of RF power and 2.5 kV of DC power. As the irradiation time was increased to 300 sec, the grain size gradually increased with a few voids, and the XRD patterns showed several polycrystalline peaks of CuInSe₂ (CIS). Also, the Raman crystalline peak at 173 cm⁻¹ indicated excellent crystallinity of the CIS single phase, with a greater improvement and sharpness shown at higher irradiation times. The compositional ratio of Cu:In:Se after e-beam irradiation remained almost the same as that of the DC co-sputtered precursors. As the irradiation time was increased to 300 sec, the Hall mobility, resistivity, and carrier concentration were 0.14 cm²/Vs, 2.16 × 10⁻⁴ Ωcm, and 7 × 10²² cm⁻³, respectively. E-beam irradiation without the addition of selenium might be a good candidate as a rapid crystallization and annealing method for making Cu-In-Se precursors for the preparation of CIS absorber materials.

태양에너지를 이용한 차세대 저가·고효율 태양전지 기술

정채환,Jeong, Chaehwan 한국진공학회 2016 진공 이야기 Vol.3 No.2

Photovoltaic technology has been intensively developed as one of the most powerful renewable energies, replacing a fossil fuel such as coal and petroleum. Every country in the world has emphasized on development of photovoltaic technology and our government has invested heavily in low cost and high efficiency. Korea institute of industrial technology (KITECH) has lastingly constructed PV R&D infra for development of cost-effective and high efficiency solar cells as well as support of commercialization in PV's small and medium enterprises. In this paper, we introduce the next generation PV R&D and infra in KITECH.

태양전지 응용을 위한 E-beam 조사법에 의한 비정질 실리콘 결정화 특성연구

정채환(Jeong, Chaehwan),류상(Ryu, Sang),김창헌(Kim, Changheon),이종호(Lee, Jong-Ho),김호성(Kim, Ho-Sung) 한국신재생에너지학회 2010 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.06

유리기판위에 큰 결정입자를 갖는 실리콘 (폴리 실리콘) 박막을 제조하는 것은 가격저가화 및 대면적화 측면 같은 산업화의 높은 잠재성을 가지고 있기 때문에 그동안 많은 관심을 가지고 연구되어 오고 있다. 다양한 방법을 이용하여 다결정 실리콘 박막을 만들기 위해 노력해 오고 있으며, 태양전지에 응용하기 위하여 연속적이면서 10um이상의 큰 입자를 갖는 다결정 실리콘 씨앗층이 필요하며, 고속증착을 위해서는 (100)의 결정성장방향 등 다양한 조건이 제시될 수 있다. 다결정 실리콘 흡수층의 품질은 고품질의 다결정 실리콘 씨앗층에서 얻어질 수 있다. 이러한 다결정 실리콘의 에피막 성장을 위해서는 유리기판의 연화점이 저압 화학기상증착법 및 아크 플라즈마 등과 같은 고온기반의 공정 적용의 어려움이 있기 때문에 제약 사항으로 항상 문제가 제기되고 있다. 이러한 관점에서 볼때 유리기판위에 에피막을 성장시키는 방법으로 많지 않은 방법들이 사용될 수 있는데 전자 공명 화학기상증착법(ECR-CVD), 이온빔 증착법(IBAD), 레이저 결정화법(LC) 및 펄스 자석 스퍼터링법 등이 에피 실리콘 성장을 위해 제안되는 대표적인 방법으로 볼 수 있다. 이중에서 효율적인 관점에서 볼때 IBAD는 산업화측면에서 좀더 많은 이점을 가지고 있으나, 박막을 형성하는 과정에서 큰 에너지 및 이온크기의 빔 사이즈 등으로 인한 표면으로의 damages가 일어날 수 있어 쉽지 않는 방법이 될 수 있다. 여기에서는 이러한 damage를 획기적으로 줄이면서 저온에서 결정화 시킬 수 있는 cold annealing법을 소개하고자 한다. 이온빔에 비해서 전자빔의 에너지와 크기는 그리드 형태의 렌즈를 통해 전체면적에 조사하는 것을 쉽게 제어할 수 있으며 이러한 전자빔의 생성은 금속 필라멘트의 열전자가 아닌 Ar플라즈마에서 전자의 분리를 통해 발생된다. 유리기판위에 다결정 실리콘 씨앗층을 제조하기 위하여 전자빔을 조사하는 방법과 Al을 이용한 씨앗층 제조법이 비교되어 공정 수행이 이루어진다. 우선, 전자빔 조사를 위해 DC 및 RF 스퍼터링법을 이용하여 {sim}10^{20}cm^{-3}이상의 농도를 갖는 p^+^+ 비정질 실리콘 박막을 제조한다. Al의 증착은 DC 스퍼터링법을 이용하여 제조하고 그 두께는 실리콘 박막의 두께와 동일한 조건(350nm)으로 제조한다. 제조된 샘플은 E-beam gun이 달린 챔버로 이동하여 1.4keV의 세기를 가지고 각각 10, 20, 50, 100초를 조사한 후 단면의 이미지를 SEM으로, 결정화 정도를 Raman으로, 결정화 방향 등에 대한 조사를 XRD로 분석 측정한다. 그리고 Hall effect를 통해 전자빔의 조사 전후의 캐리어 농도, 이동도 및 비저항 등에 대한 조사가 이루어진다. 동시에 Al을 촉매로 한 layer교환에 대하여 마찬가지로 분석을 통하여 최종적으로 비교분석이 이루어 진다. 전자빔을 조사한 샘플에 대하여 빠른 시간 및 캐리어농도 제어 등의 우수성이 보이며, 특히 ~98%이상의 결정화율을 보일 것으로 예상된다.

Cu-In-Se2 전구체의 Selenization에 의해 형성된 CuInSe2 박막의 태양전지 응용을 위한 전기적 특성평가

정채환(Jeong, Chaehwan),박찬영(Park, Chanyoung),김진혁(Kim, Jinhyeok),이석호(Lee, Suk Ho) 한국신재생에너지학회 2010 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.06

다른 물질에 비해 많은 우수한 특성을 가지고 있는 CuInSe2(CIS)박막 태양전지는 많은 연구자들에 의해 개발되어 오고 있다. CIS의 대표적인 장점으로는 직접천이형 밴드갭, 높은 흡수계수, 열 안정화상태 및 p형으로의 전도성물질의 가능성 등 다양하다. 또한 간단한 구조를 이용하여 유리같은 싼 기판을 이용하기 때문에 저가형 태양전지로서 많은 각광을 받고 있다. CIGS태양전지는 CIS의 In 사이트에 Ga을 도핑함으로서 만들어지는데 밴드갭은 약 1.4eV이다. CIS박막을 만드는 많은 방법이 존재하나 구성원소로부터 최적화된 조성을 찾을수 있는 방법이 가장 중요한 요소 중의 하나로 인식되고 있으며, 이런점에서 증발법 및 스퍼터링법 등 같은 진공방식이 비진공방식에 비해 훨씬 간편하게 조성비를 맞출수 있다. 그 중에 스퍼터링법은 대면적 박막태양전지로의 가능성으로 비출어 볼때 산업화를 위한 좋은 후보군이 될 수 있다. Selenization을 하기전에 Cu-In-Se의 전구체 조합은 여러개의 타겟으로부터 동시 스퍼터링법이나 다층 전구체법을 사용하여 준비되는데 어떤 방법이 되던지 Se의 부가적인 공급은 불가피하다. 지금까지 많은 관련 연구의 대부분인 구조적, 조성비적 그리고 광학적인 특성평가에 집중되어 오고 있는데, 전기적특성평가의 경우는 면저항, 비저항 같은 간단한 결과 위주로 보고되어 오고 있다. 또한 캐리어농도와 이동도에 대한 보고가 있음에도 불구하고 이해되기에는 충분치 못한 면이 많다.본 발표에서는 태양전지 제조 전단계로서 소다라임유리기판(SLG)위에 Mo의 유무에 따라 CIS박막의 전기적인 특성 변화에 대한 내용을 담고 있다. 소다라임유리(2cm{times}2cm)를 기판으로 사용하여 아세톤-에탄올 용액에 초음파세척을 수행하고, Mo 후면전극을 DC 스퍼터링방식을 이용하여 증착을 한다. SLG와 Mo이 코팅된 SLG를 각각 RF 스퍼터 챔버에 이송한 후 수증기 제거를 위해 약 10분간 예열을 한다. 샘플에 대한 전기적특성은 Hall효과 측정장치에 의해 측정이 되며 전기전도도, 캐리어농도, 이동도 및 전도형에 대한 정보가 각각의 변수에 따라 조사된돠. 부가적으로 구조적, 조성비적인 특성을 SEM,XRD 및 EDX를 통해 조사를 하여 전기적 특성에 따른 관계성을 검토한다. SLG와 Mo가 코팅된 SLG위의 CIS박막은 전기적으로 약간 다른 특성을 보일 것으로 예측되며, 이러한 기대를 바탕으로 조성비가 이상적인 화학양론에 근접할 때 p형으로서 제시될 수 있다는 것을 보여줄 것이다.