대학 입시에 대한 성찰

전동렬(D. Jeon) 서울대학교 교육종합연구원 2008 교육연구와 실천 Vol.73 No.-

Too much competition in the university entrance examination in Korea is disturbing a normal educational system. In my opinion, the reason for the irrational competition is rooted not only in the competition to secure better future through higher education but also the lack of fairness and greed of the individual. The government has been trying to ease the situation without any success. Not only that the government policy is too much lean toward the objectiveness of an entrance examination test that the test has lost its true meaning to select an adequate candidate. It is only serving a purpose of cutting out the number of applicants according to the quota. Given the situation, students begin to prepare for the university entrance examination as early as 4th grade in elementary school. They go to private learning centers to prepare for the test to enter learn-center-for-gifted-students and science or special purpose high schools. Too much stress, too much brain squeezing from the early age, loss of self-study ability and dependence on one s parents are harming and destroying the students. Their performance at the early age may look great, but sadly it is not their real talent but merely a result of hard training and obedience. To remedy the situation and turn the education to the right track, we urgently need an action. We must remove the fixed rank among similar-looking universities without its own character and make each university concentrate on its own specialty area. And these universities must be distributed uniformly over the country. In this way, students can have equally the right to select a school as much as the university has a right to select students under the present situation. The selection process is also important in that it characterize the subjects and contents of the secondary school teaching. Humanity education is important, but we must not forget that the scholastic ability is most important in school teaching. I propose that we must quit drawing a line according to the student s test score but we must have every student with required scholastic ability pass the first screen and then test their reading and writing ability for the final screening.

전극 표면의 거칠기가 펜터신/전극 경계면의 전류-전압 특성에 주는 영향

김우영,전동렬,Kim, Woo-Young,Jeon, D. 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.2

금속 전극 위에 유기물 채널을 증착하여 만드는 바닥 전극 구조의 유기물 박막 트랜지스터에서 전극 표면이 거친 정도에 따라 전하 주입이 어떻게 달라지는지 조사했다. 금 전극을 실리콘 기판에 증착하고, 가열하여 금 전극 표면을 거칠게 만들었다. 그리고 펜터신과 상부 전극으로 사용할 금 전극을 차례대로 증착하여 금 전극/펜터신/금 전극 구조를 만들었다. 펜터신 증착 초기에는 거친 금 전극 위에서 펜터신 증착핵이 더 많이 보였지만, 막이 두꺼워지면 가열되지 않은 전극과 가열로 거칠어진 전극에서 펜터신 표면 모양에 차이가 거의 없었다. 온도를 바꾸면서 측정한 전류-전압 곡선은 바닥 전극의 표면이 거칠수록 바닥계면의 전위장벽이 높음을 보여주었다. 이 현상은 금속 표면이 거칠수록 일함수가 낮아지며 펜터신과 거친 전극 표면의 경계에 전하 트랩이 더 많기 때문으로 생각된다. We investigated how the surface roughness of electrode affects the charge injection at the pentacene/Au interface. After depositing Au film on the Si substrate by sputtering, we annealed the sample to control the Au surface roughness. Pentacene and Au top electrode were subsequently deposited to complete the sample. The nucleation density of pentacene was slightly higher on the rougher Au electrode, but surface morphologies of thick pentacene films were similar on both the as-prepared and the roughened Au electrodes. The current-voltage curves obtained from the Au/pentacene/Au structure measured as a function of temperature indicated that the interface barrier was higher for the rougher Au bottom-electrode. We propose that the higher barrier was caused by the lower work function of rougher electrode surface and the higher trap density at the interface.

화산형 실리콘 전계 방출 소자 제작

이상조(S. Lee),정복현(B. Chung),조형석(H. Cho),이승협(S. Lee),전동렬(D. Jeon) 대한전자공학회 1995 대한전자공학회 학술대회 Vol.1995 No.12

건식 열산화로 성장시킨 SiO₂ 박막의 이차전자 방출 특성

정태원(Taewon Jeong),유세기(SeGi Yu),이정희(Jeonghee Lee),진성환(S.H. Jin),허정나(Jungna Heo),이휘건(Whikun Yi),전동렬(D. Jeon),김종민(J.M. Kim) 한국진공학회(ASCT) 2001 Applied Science and Convergence Technology Vol.10 No.1

열산화시킨 SiO₂ 박막의 두께와 입사 전류의 양에 따라 이차전자 방출 계수를 측정하였다. 930℃에서 열산화시킨 SiO₂ 박막 두께는 5.8㎚, 19㎚, 43㎚, 79㎚, 95㎚, 114㎚였으며 이들의 이차전자의 방출 특성이 박막 두께와 전류량에 따라 변화하는 것을 확인하였다. 박막 두께 43㎚ 이하의 얇은 박막에서는 대체적으로 universal curve의 형태를 따르지만 79㎚ 이상의 두꺼운 박막에서는 이차전자 방출곡선이 최고점이 2개인 형태로 변하며 그 값도 전반적으로 낮아진다. 또 입사시키는 일차전자 전류의 증가에 대해서도 이차전자 방출곡선이 전체적으로 낮아진다. 이 실험에서 측정된 최대 이차전자 방출 계수는 박막 두께 19㎚, 일차 전자 에너지 300eV, 일차 전류 0.97㎂일 때 3.35를 갖는다. 이차전자 방출계수가 최대인 입사에너지에서 전자의 시료내 침투깊이와 탈출깊이와의 관계식을 통하여 박막 두께를 이론적으로 계산하였으며, 실험값과 비교적 일치하는 것을 확인하였다. The secondary electron emission (SEE) yields for the thermally grown SiO₂ thin layers were measured by varying the thickness of the SiO₂ layer and the primary current. SiO₂ thin layers were thermally grown in a furnace at 930℃, whose thickness varied to be 5.8㎚, 19㎚, 43㎚, 79㎚, 95㎚, and 114㎚. When the SiO₂ layers were thinner than 43㎚, it was found that SEE curves followed the universal curve. However, for samples with a SiO₂ layer thicker than 79㎚, the SEE curves exhibited two maxima and the values of SEE yields were reduced. Additionally, as the current of primary electrons increased, the SEE yields were reduced. In this experiment, the maximum value of the SEE yield for SiO₂ layers was obtained to be 3.35 when the thickness of SiO₂ layer was 19㎚, with the primary electron energy 300 eV and the primary electron current 0.97 ㎂. The penetration and escape depth of an electron in the SiO₂ layers were calculated at the primary electron energy for the maximum value of the SEE yield and from these depths, it was calculated that the thickness of the SiO₂ layer.

진공아크방전으로 제작된 다이아몬드상 탄소 박막의 질소 도우핑에 따른 전계 방출 특성

최만섭(M. S. Choi),김용상(Y. S. Kim),이해승(H. S. Lee),박진석(J. S. Park),전동렬(D. R. Jeon),김종국(J. K. Kim) 대한전기학회 1997 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.1997 No.11

음극이 자동 정렬된 화산형 초미세 실리콘 전계방출 소자 제작

고태영(Tae-Young Ko),이상조(Sanjo Lee),정복현(Bokeon Chung),조형석(Hunsuk Cho),이승협(Sunup Lee),전동렬(D. Jeon) 한국진공학회(ASCT) 1996 Applied Science and Convergence Technology Vol.5 No.2

음극 바늘과 게이트를 결합시킨 전계방출 소자에서 음극 바늘이 게이트 중앙에 정렬되는 것이 중요하다. 본 연구에서는 실리콘 전계방출 소자를 다음과 같이 제작하여 음극 바늘이 게이트 중앙에 자동으로 정렬되게 하였다. 실리콘 기판을 반응성 이온으로 식각하여 전계방출 음극 바늘을 형성한 뒤 표면을 실리콘 산화막으로 덮는다. 산화막 위에 게이트 금속막을 증착하고 두꺼운 감광막으로 덮은 다음 감광막 표면을 플라즈마로 적당히 태워서 바늘을 덮고 있는 게이트 금속의 끝 부분만 노출시킨다. 노출된 금속막과 게이트 밑의 산화막을 차례로 식각하여 실리콘 음극 바늘을 노출시킨 다음 표면에 남은 감광막을 제거하여 공정을 완료한다. 제작된 소자에서는 게이트 구멍이 화산의 분화구 모양이 되는데, 컴퓨터 시뮬레이션은 화산형 게이트가 평면 게이트보다 전계방출에 유리함을 보여주었다. Aligning a cathode tip at the center of a gate hole is important in gated field emission devices. We have fabricated a silicon field emitter using a following process so that a cathode and a gate hole are automatically aligned. After forming silicon tips on a silicon wafer, the wafer was covered with the SiO₂, gate metal, and photoresistive(PR) films. Because of the viscosity of the PR film, a spot where cathode tips were located protruded above the surface. By ashing the surface of the PR film, the gate metal above the tip apex was exposed when other area was still covered with the PR film. The exposed gate metal and subsequently the SiO₂ layer were selectively etched. The result produced a field emitter in which the gate film was in volcano shape and the cathode tip was located at the center of the gate hole. Computer simulation showed that the volcano shape emitter emited higher current and the electron beam which was focused better than the emitter for which the gate film was flat.

Polymer Gate Insulators에 따른 Pentacene Organic Thin-Film Transistors의 특성 분석

김정민(Jung-Min Kim),허현정(Hyun-Jung Her),윤정흠(J.H. Yoon),김재완(Jaewan Kim),최영진(Y. S. Choi),강치중(C. J. Kang),전동렬(D. Jeon),김용상(Yong-Sang Kim) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7

본 연구에서는 polymer gate insulators에 따른 pentacene 유기 박막 트랜지스터 (Organic Thin-Film Transistors)의 전기적 특성을 atom force microscope (AFM), x-ray diffraction (XRD) 그리고 I-V 측정을 이용하여 분석하였다. Pentacene 박막 트랜지스터의 전기적 특성은 pentacene의 증착 조건뿐만 아니라 polymer gate insulator에 따라 크게 영향을 받는다. 따라서 다양한 polymer 기판 위에 온도, 두께 그리고 증착 속도에 따라 Pentacene을 증착 하였다. 그리고 증착된 pentacne을 AFM, XRD를 이용하여 pentacene의 구조, 결정화 그리고 grain 크기 등을 분석하였다. 또한 inverted staggered 구조의 pentacne 박막 트랜지스터 소자를 제작하고 I-V 측정하여 그 결과를 분석하였다.

화산형 실리콘 전계 방출 소자 제작

이상조,조형성,고태영,이승협,정복현,전동렬 명지대학교 자연과학연구소 1995 자연과학논문집 Vol.12 No.-

음극 바늘과 게이트를 결합시킨 전계 방출 소자에서 음극 바늘이 게이트의 중앙에 정렬되는 것이 중요하다.본 연구에서는 실리콘 전계 방출 소자를 다음과 같이 제작하여 음극 바늘이 게이트 중앙에 자동으로 정렬되게 하였다.실리콘 기판을 반응성 이온으로 식각하여 전계 방출 음극 바늘을 형성한 뒤 표면을 실리콘 산화막으로 덮는다. 산화막 위에 게이트 금속막을 증착하고 두꺼운 감광막으로 덮은 다음 감광막 표면을 플라즈마로 적당히 태워서 바늘을 덮고 있는 게이트 금속의 끝 부분을 노출시킨다. 노출된 게이트와 게이트밑의 산화막을 차례로 식각하여 실리콘 음극 바늘을 노출시킨 다음 표면에 남은 감광막을 제거하여 공정을 완료한다.제작된 소자는 35V의 게이트 전압에서 전계방출을 시작하였다. It is important to position a cathode tip at the center of a gate hole in a field emission triode. In this research, to achieve this goal, we used a method which aligns the tip and the gate hole automatically . The tip was formed by reactive ion etching of a n-type silicon wafer. To self -align the gate hole,thin films of silicon oxide insulator, gate metal, and photoresist were formed over the tip. The part of photoresist on top of the emiter tip was ashed out so that the gate metal and silicon oxide were etched away to expose the emitter tip. The current-voltage characteristic device was tested in high vacuum, from which we measured the onset voltage of 35 V.

유기분자 박막에 흡착된 구리 박막의 미세 구조

주현욱,전동렬 明知大學校 自然科學硏究所 1997 자연과학논문집 Vol.15 No.-

CH₂OH로 끝난 alkyl thiol 유기분자 박막에 열증착으로 형성된 구리 박막의 표면 미세 구조를 공기 중에서 주사 터널링 현미경으로 관찰하였다. 현미경 영상에 의하면 구리가 덩어리를 이루면 흡착하였다. 어떤 지역에서는 이러한 덩어리들이 한쪽 방향으로 길쭉한 타원 모양을 이루었으며 타원의 긴 축사이가 120。 를 이루었다. 이러한 배열은 alkyl-thiol 유기분자 박막의 배열이 여섯모이기 때문이라고 생각된다. 구리 덩어리 바로 위에 탐침을 고정하고 얻은 전자 터널링 분광 곡선은 정류 현상을 보여 주었다. 이것은 구리 덩어리와 공기와의 접촉으로 생긴 표면의 산화구리와 구리와의 경계 때문에 일어나는 현상으로 생각된다. Using scanning tunneling microscopy in air, we have studied the surface morphology of copper films thermally deposited on the organic monolayer of alkyl thiol which is terminated with CH₂OH. The tunneling images showed that copper films adsorb as elongated clusters, and in some regions the clusters were rotated relative to each other by 60°. We suggest that this reflects the pseudohexagonal structure of the underlying alkyl thiol template layer. The tunneling spectroscopy performed at the site of the site of the clusters revealed the rectifying current-voltage curve.