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알루미늄 도핑된 하프늄 산화물과 비정질 InGaZnO를 이용한 강유전성 MFSM 캐패시터
장유성(Yuseong Jang),이수연(Soo-Yeon Lee) 대한전기학회 2021 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2021 No.10
강유전체 특성 발현을 위해서는, HfO₂ 박막 상부 물질로 금속 화합물 TiN 전극을 사용하거나, Zr 원소를 도핑하는 것이 일반적이었다. 본 연구에서는 Al 원소를 도핑한 HfO₂ 박막과 비정질 산화물 반도체 InGaZnO (IGZO)를 이용한 metal-ferroelectric-semiconductor -metal (MFSM) 캐패시터 구조를 최초로 제작하여 잔여 분극 7.7 µC/cm²을 달성하였다. 본 연구를 통해 강유전체 기반 산화물 반도체 박막 트랜지스터 후속 연구에 큰 기여를 할 것으로 기대된다.