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습도가 InP 턴넬 MIS 소자의 전기적 특성에 미치는 영향
임한조,정상구,김현남,Im, Han-Jo,Jeong, Sang-Gu,Kim, Hyeon-Nam 대한전자공학회 1984 전자공학회지 Vol.21 No.4
InP표면에 화확적 방법으로 성장시킨 산화막을 금속과 n-InP사이에 삽입시켜 제작한 InP 턴넬 MIS(m etal-insulator-semiconductor)소자의 전기적 특성과 그 불안정성을 조사하였다. 성장된 박막은 In2O3와 P2O5가 혼합된 형태를 이루고 있었으며, 그 두께는 약 200A°으로 추정되었다. 이 MIS다이오em의 순방향전류와 역방향전류는 진공중에서의 약간의 열처리로도 증가하였으며, 다습한 분위기에서는 감소되는 현상이 관측 되었다. 이와 같은 전류-전압 특성곡선의 변화 및 그 불안정성은 수분의 흡수에 따른 산화박막의 물리 화학적 특성과 경계면 상태밀도의 변차에 기인되는 현상임을 논의하였다. The electrical properties and their instability of InP tunnel MIS diodes fabricated by inserting the chemically grown oxide between metal and n-lnP (100) surface have been in-vestigated. The structure of the gown oxide was the mixture of In2O3 and P2O5, as was other low-temperature grown oxide, and its thickness was estimated to be the order of 200 $A^{\circ}$. The forward and reverse currents increased even with slight heat treatment of diodes in vacuum, and they were reduced when the diodes were exposed to humid ambient. It was discussed that the observed instability in I-V characteristics is due to a change of the physicochemical properties of the oxide film and of the interface states between oxide and InP according to the absorption of H2O.
변형된 저지특성을 갖도록 ${\lambda}g$/4 변환기를 정합 시킨 마이크로스트립 라인 포토닉 밴드갭 구조의 설계 및 응용
김태일,장미영,박익모,임한조,Kim, Tae-Il,Jang, Mi-Yeong,Park, Ik-Mo,Im, Han-Jo 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.37 No.9
This paper presents the photonic bandgap structure that has a defect mode within a broad stopband. In order to create a broad stopband, we eliminated one of periodic stopbands of PBG structure by using a quarter-wavelength transformer and cascaded another PBG structure having a center frequency corresponding to the eliminated stopband. We have demonstrated that it is a simple and effective method that can solve an overlapping problem of periodic stopband in two cascaded PBG structures. 본 논문에서는 넓은 저지대역과, 저지대역내에 결함 모드를 포함할 수 있는 포토닉 밴드갭(PBG) 구조에 관하여 연구하였다. PBG 구조에서 λg/4 변환기를 이용하여 주기적인 저지대역 중에서 특정 저지대역을 제거할 수 있었으며, 제거된 저지대역의 중심주파수에 해당하는 주기를 가지는 일반적인 PBG 구조를 직렬로 연결함으로써 넓은 저지대역을 구현하였다. 이것은 저지대역의 겹침 문제를 효과적으로 해결한 것으로써 넓은 저지대역 안에서 결함 모드를 이용할 수 있게 되었으며, 넓은 저지대역내에서 다중 스위치의 구현을 가능하게 하였다.