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      • KCI등재

        고장력볼트 T-인장이음의 정적내력에 관한 실험적 연구

        이승용,최준혁,김경태,Lee, Seung Yong,Choi, Jun Hyeok,Kim, Kyong Tae 한국강구조학회 2015 韓國鋼構造學會 論文集 Vol.27 No.1

        인장이음은 고장력 볼트의 체결력과 모재 그리고 고장력 볼트의 내력을 직접적으로 활용하고, 볼트구멍의 가공수나 체결개소의 감소, 피로저항성 등에 있어 유리하며 때문에 역학적으로 매우 효율적인 연결이다. 이러한 인장이음은 교량의 거더와 가로보의 이음, 주탑의 수평이음, 보-기둥 연결부, 바닥판 단부 2차부재 연결부, 브라켓 등에 적용될 수 있다. 본 연구에서는 인장이음의 역학적 거동을 파악하기 위해서 T-인장이음에 대한 정적실험을 수행하였다. 시험변수는 고장력 볼트의 직경, 플렌지 두께 및 체결력 감소이며, 인장이음의 파괴양상과 내력, 플랜지 두께와 고장력 볼트의 직경의 영향, 체결력의 영향에 대해 분석하였다. The tension type joint is a mechanically very efficient connection method, as it directly uses the load capacity of base metal or high tension bolt, the reduction of the number of drilling hole and fastening and the fatigue resistance. It is applied to the joint of girder and cross beam, horizontal joints of towers, beam to column joints, the secondary member joints of deck floor ends, and brackets. In this paper, static load tests for the T-type tension joint were conducted to investigate the structural behavior of the joint. The parameters were bolt diameter, flange thickness, and the reduction of clamping force of the joint. The failure modes and load capacity of joints and the effects of flange thickness, bolt diameter and clamping force were investigated.

      • KCI등재후보
      • SCOPUSKCI등재
      • KCI등재

        이온 주입을 이용한 실리콘 나노선의 전기적인 특성 연구 및 전계효과트랜지스터 응용

        이승용,이상권 한국물리학회 2009 새물리 Vol.59 No.3

        We have successfully studied electrical characteristics of intrinsic Si nanowires prepared using standard B-ion implantation with a dose of 1×1011, 1×1012, and 1×1013 ions/cm2 and at energy of 10 keV. After B-ion implantation on intrinsic Si nanowires, we found that the resistance (R) and resistivity (ρ) of B-implanted Si nanowires decreased about ~ 106 times compared to intrinsic Si nanowires. From our I-V characteristics, it is also noted that implanted B-ions in Si nanowires were behaved the hole carriers. In addition, we demonstrated p-type Si nanowire field-effect transistor (p-Si NW FET) prepared by B-ion implantation with a dose of 1×1013 ions/cm2 and at energy of 10 keV. The electrical characteristics of B-implanted Si NW FET showed a clear p-type FET behavior with a hole mobility of ~5.7 cm2/V•s and hole concentration of 1×1019 cm-3. 본 논문에서는 이온주입 (ion implantation) 방법을 이용하여 고유 반도체 특성을 가지는 실리콘 나노선 (silicon nanowires) 의 전기적인 특성에 관한 연구를 진행하였다. 합성한 (As-synthesis) 상태에서 매우 큰 저항을 가지는 고유 반도체 실리콘 나노선에 각각 B (붕소) 이온의 dose 량을 1×1011, 1×1012, 그리고 1×1013 ions/cm2 주입을 해준 결과 저항과 비저항 값이 최대 약 ~106 정도 낮아졌음을 알 수 있었으며, 이를 통하여 이온 주입된 B 이온이 캐리어 (carrier)로 작용하였음을 확인할 수 있었다. 추가로 B 이온의 dose 량이 1×1013 ions/cm2 이온 주입된 p-type 실리콘 나노선을 이용하여 후면게이트 (back-gate) 전계효과트랜지스터 (field-effect transistors)를 제작하였으며 전류-전압 (current-voltage) 특성 측정 결과 캐리어의 이동도 (mobility) 와 농도 (concentration) 는 각각 ~5.7 cm2/V•s 와 ~1×1019 cm-3 였음을 확인하였다. 나노 반도체물질에 기존의 in-situ 도핑이 아닌 선택적인 영역에 도핑이 가능한 이온주입법을 이용하여 다각적인 연구를 계속적으로 추진한다면 나노선을 활용한 전자소자 구현에 기여 할 것이라 판단된다.

      • KCI등재

        산소-아세틸렌 토치의 조사각이 ZrB2-SiC UHTC 복합체 삭마 특성에 미치는 영향

        이승용,공정훈,송정환,손영일,김도경 한국재료학회 2022 한국재료학회지 Vol.32 No.12

        In this work, the ablation behavior of monolith ZrB2-30 vol%SiC (Z30S) composites were studied under various oxy-acetylene flame angles. Typical oxidized microstructures (SiO2/SiC-depleted/ZrB2-SiC) were observed when the flame to Z30S was arranged vertically. However, formation of the outmost glassy SiO2 layer was hindered when the Z30S was tilted. The SiC-depleted region was fully exposed to air with reduced thickness when highly tilted. Traces of the ablated and island type SiO2 were observed at intermediate flame angles, which clearly verified the effect of flame angle on the ablation of the SiO2 layer. Furthermore, the observed maximum surface temperature of the Z30S gradually increased up to 2,200 °C proving that surface amorphous silica was continuously removed while monoclinic ZrO2 phase began to be exposed. A proposed ablation mechanism with respect to flame angles is discussed. This observation is expected to contribute to the design of complex-shaped UHTC applications for hypersonic vehicles and re-entry projectiles.

      • KCI등재

        明谷 崔錫鼎 漢詩에 대한 일고찰 - 邵城, 明谷, 草坪 寓居時期 詩作을 중심으로 -

        이승용 고전문학한문학연구학회 2020 고전과 해석 Vol.30 No.-

        본고에서는 明谷崔錫鼎(1646∼1715)이 40대 이후 邵城, 明谷, 草坪에 우거하 던 시기에 창작했던 한시 작품을 ‘隱居에 대한 염원과 자아성찰’, ‘寓居地의 일상과 일탈의 흥취’ 두 부류로 나누어 시세계와 그 양상에 대해 살펴보고, 그가 견지했던 詩論과의 상관관계를 규명하였다. 작가가 지니는 詩論과 실제 창작된 詩作이 완전 히 부합하는 경우는 드물지만, 본고에서 살펴본 우거시기 최석정의 詩作은 그가 모 범으로 삼고 지향했던 詩論과 부합하는 면이 많았다. 최석정은 漢詩를 창작할 때에 新巧를 지향하기보다는 氣를 위주로 平實典厚한 詩作을 추구하였으며, 적절한 辭와 氣의 구사를 강조하였다. 平實의 의미는 ‘마음 이 화평하고 든든하다.(平穩踏實)’ 혹은 ‘문장이 질박하고 화려하지 않다.(文詞樸實 無華)’이다. 詩文의 비평과 관련해서는 전자보다는 후자의 의미에 가깝다. 말뜻은 간단명료해 보이지만, 平實의 개념은 더 많은 의미를 내포하고 있다. 먼저 ‘平’과 반대되는 용어는 ‘奇’이며, 實에 반대되는 용어는 ‘虛’이다. 詩作에서 平實을 지향했다는 말은 바꾸어 말하면 新奇하고 실제가 없는 虛無한 작품을 지양했다는 뜻이다. 최석정이 우거시기에 창작한 두 부류의 詩作은 聲律과 辭致와 같은 외면적인 형 식에 치중하기보다는 자신의 내면과 감정 및 우거지의 일상에서 마주하는 景物을 꾸밈없이 진솔하게 담아내었으며, 난삽한 기교와 꾸밈은 전혀 찾아볼 수 없었다. 詩 語에서도 險僻하거나 浮虛함은 철저히 배제하고 평범하지만 실제적인 詩語로 情 景을 묘사하고 표현하였다. 이러한 측면은 최석정이 추구했던 詩論과 일치하는 부 분이다. 그에 더하여 최석정이 관직 생활을 이어가며 항상 염원했던 은거가 더 이 상 염원이 아니라 현실로 다가오면서 탈속적이고 소탈한 분위기가 자연스레 詩作 에 융화되어 그의 시세계에 있어 중요한 축을 형성한 것으로 보인다. 『明谷集』에 실린 글과 당대 문인들의 평가를 볼 때, 최석정은 자기만의 뚜렷한 詩論을 견지하고 있었으며, 과거와 당대의 詩壇의 폐해에 대한 비판과 성찰을 통해 새로운 지향점을 적극적으로 모색하였다. 이러한 사실로 볼 때 정치가와 학자로서 의 면모뿐 아니라, 詩人으로서 최석정에 대한 재평가가 이루어져야 할 것으로 보인다. In this article, the work he created while reside temporarily in Incheon (仁川), Jincheon(鎭川) and Seoul Hwanghwabang(皇華坊) after the age of 40 was considered in two aspects: ‘Hope and Self-reflection on the Seclusion’ and ‘Happiness of the Daily Life and Deviation of the reside temporarily region’. And based on this, I tried to investigate the correlation between the poetry view he pursued and the poetry world. It is rare for any author to completely match the poetry view and the actual work created. But the Chinese Poems of the Choi, seogjeong(崔錫鼎), there were many works that he set as an example and aimed at poetry. Rather than seeking novelty in the creation of poetry, he pursued PyeongSil Cenhwu(平實典厚), focusing on Ki(氣), and also emphasized the proper Sa(辭) and Ki(氣) syntax. The dictionary meaning of PyeongSil(平實) means 'peaceful and reliable' or 'sentence is not formal and colorful.' Regarding the criticism of poetry, it is closer to the latter meaning than to the former. Though the meaning seems simple and clear, the concept of the term ‘PyeongSil(平實)’ implies more meaning. First, the opposite term for ‘Pyeong(平)’ is ‘Gi(奇)’ and the opposite term for ‘Ho(虛)’ is ‘Ho(虛)’. The poem's pursuit of PyeongSil(平實) means, in other words, a novel, bizarre, and unrealistic piece of work. The two types of work that we looked at earlier did not focus on the outward form as shown in phonetic sound and technique. Rather he has candidly and candidly captured his inner self, his emotions and the scenery he faces in daily life, and there is no hard technique or decoration at all. In language of a poem, scene and not real are completely excluded, but they describe and express scene in plain but practical words. This aspect is consistent with the Orientation Point in the poem pursued by Choi, seogjeong(崔錫鼎). In addition, Choi, seogjeong(崔錫 鼎) wish for a life of seclusion, which he had always hoped for during his career in government service, came to reality, and the mood of deserter and desolate naturally merged into the works he created during his brief stay. Based on this, the Poetry World of Choi, seogjeong(崔錫鼎) appears to have formed an important axis. Looking at the writings in myeonggogjip(明 谷集) and the assessments of literary person at the time, he was building his own distinct time-world. In addition, criticism and reflection of the harmful effects of the past and the poetical circles were actively sought for new directions. Looking at these facts, it seems that reevaluation of Choi, seogjeong(崔錫鼎) must be counducted not only as a aspect as a politician and scholar, but also as a poet.

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