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Y형 유공벽 케이슨 방파제의 해수유입특성에 관한 수리실험
오상호(S. H. Oh),박우선(W.S. Park),이오진(O.-J. Lee) 한국해양환경·에너지학회 2006 한국해양환경공학회 학술대회논문집 Vol.2006 No.-
Y형 유공벽 형식의 케이슨 방파제에 대한 수리모형실험을 수행하여 규칙파 및 불규칙파의 해수유입특성을 고찰하였다 통수로를 통한 실질적인 해수유입특성을 분석하기 위해서 자료 분석 시간 동안의 통수로 내 평균유속을 무차원화한 값 vnet√2gH를 계산하였다. 유공벽의 폐쇄 높이가 정수면에 위치할 때 해수유입량이 가장 컸으며, 이 경우 유수실 폭의 영향은 미미하였다. 또한 불규칙파의 경우에는 무차원순유속이 반사계수 및 전달계수와 선형 상관관계를 나타내었다. The inflow characteristics of the caisson breakwater with Y -shaped perforated wall were investigated by carrying out hydraulic experiments in a wave flume by generating regular and irregular waves. In order to analyze substantial inflow characteristics, the normalized mean net inflow velocity, vnet√2gH was calculated. The inflow flux was maximized when a part of the perforated wall beneath the mean water level was closed by attaching a non-perforated wall plate, whereas the effects of the chamber width were insignificant in this condition. It was found that the normalized mean net inflow velocity has a linear relationship with reflection and transmission coefficients for irregular waves.
강성관(S. K. Kang),고대홍(D.-H. Ko),오상호(S. H. Oh),박찬경(C. K. Park),이기철(K. C. Lee),양두영(D. Y. Yang),안태항(T. H. Ahn),주문식(M. S. Joo) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
15%와 42%의 Ge 함량을 갖는 poly Si_(1-x)Ge_x 박막을 700℃의 습식 산화 분위기에서 산화 공정을 진행하고, 박막의 산화 거동을 RBS, XPS, cross-sectional TEM으로 분석하였다. Poly Si_(0.85)Ge_(0.15) 박막의 경우, GeO₂에 비해 열적으로 안정한 SiO₂가 우천 생성되고, 반응에 참여하지 못한 Ge은 산화막과 poly Si_(1-x)Ge_x 박막의 계면에 축적되어 산화막 하부의 Ge 농도가 증가함을 확인하였다. Poly Si_(0.58)Ge_(0.42) 박막의 경우, 산화막내에 많은 양의 Ge이 GeO₂와 Ge의 형태로 존재하였고, 이러한 GeO₂의 형성으로 인해 산화속도의 증가를 확인하였다. 이러한 분석 결과를 바탕으로 Ge 함량 증가에 따른 poly Si_(1-x)Ge_x 박막의 산화 모델을 제 시하였다. We investigated the oxidation behavior of poly Si_(1-x)Ge_x films (X=0.15, 0.42) at 700℃ in wet oxidation ambients and analyzed the oxide by XPS, RBS, and cross-sectional TEM. In the case of poly Si_(0.85)Ge_(0.15) films, SiO₂ was formed on the poly Si_(1-x)Ge_x films and Ge was rejected from growing oxide, subsequently leading to the increase of Ge content. In the case of poly Si_(0.58)Ge_(0.42) films, we found that SiO₂-GeO₂ were formed on the poly Si_(1-x)Ge_x films due to high Ge content. Finally, we proposed the oxidation model of poly Si_(1-x)Ge_x films.
증착조건 및 열처리조건에 따른 ZrO₂ 박막의 미세구조와 전기적 특성에 관한 연구
유정호(J. H. Yoo),남석우(S. W. Nam),고대홍(D. H. Ko),오상호(S. H. Oh),박찬경(C G. Park) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
p형 Si (100) 기판 위에 reactive DC magnetron sputtering으로 증착한 ZrO₂ 박막에 대하여 증착조건과 열처리 조건에 따른 미세구조의 변화및 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 증착 및 열처리 온도가 증가하고 power가 증가할수록 ZrO₂의 굴절율은 증가되어 이상적인 2.0~2.2에 근접하였다. 상온에서 증착된 ZrO₂ 박막은 비정질이며 300℃에서 증착한 경우 ZrO₂ 박막은 다결정이었다. 산소 분위기에서 열처리를 수행한 박막의 RMS 값은 증착직후보다 높아지고 계면 산화막은 산소의 확산에 의해 두께가 증가하였다. Al/ZrO₂/p-type Si (100)의 C-V과 I-V 특성을 관찰하였고, 그 결과 산소분위기에서 열처리하는 경우 계면 산화막의 두께증가로 Cmax 및 누설전류가 감소함을 알 수 있었다. We investgated the microstructures and the electrical properties of ZrO₂ thin films deposited by reactive DC magnetron sputtering on (100) Si with different deposition conditions and annealing treatments. The refractive index of the ZrO₂ thin films increased with annealing temperatures and deposition powers, and approached to the ideal value of 2.0~2.2. The ZrO₂ thin films deposited at the room temperature are amorphous, and the films are polycrystalline at the deposition temperature of 300℃. Both the thickness of the interfacial oxide layer and the root-mean-square (RMS) value of surface roughness increased upon annealing in the oxygen ambient. The Cmax value and leakage current value decreased with the increase of thickness of the interfacial oxide thickness.
에피탁시 성장시킨 BLT (Bi_(4-x)La_xTi_3O_12) 박막의 부정합 응력 해소기구
김형석,오상호,서주형,박찬경 대한금속재료학회 2003 대한금속·재료학회지 Vol.41 No.6
Mechanisms of misfit strain relaxation in epitaxially grown Bi_4-χLa_χTi_3O_12 (BLT) thin films deposited on SrTiO_3 (STO) and LaAlO_3(LAO) substrates have been investigated by means of transmission electron microscopy (TEM). The misfit strain of 20 nm thick BLT films grown on STO substrate was relaxed by forming misfit dislocations at the interface. However, cracks were observed in 100 nm thick BLT films grown on the same STO. It was confirmed that cracks were formed because of high misfit strain accumulated with increasing the thickness of BLT, which was not sufficiently relaxed by misfit dislocations. In the case of the BLT film grown on LAO substrate, the magnitude of lattice misfit between BLT and LAO was very small (∼1/10) in comparison with the case of the BLT grown on STO. The relatively small misfit strain formed in layered structure of the BLT films on LAO, therefore, was easily relaxed by distorting the film, rather than forming misfit dislocations or cracks, resulting in misorientation regions in the BLT film.