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고등학교, 대학교 축구선수의 심리적 안녕감이 경쟁상태 불안과 경기력에 미치는 영향
송진섭(Song, Jin-Sup),윤원정(Yun, Won-Jeong) 한국웰니스학회 2018 한국웰니스학회지 Vol.13 No.3
본 연구는 고등학교, 대학교 축구선수들의 심리적 안녕감이 경쟁상태 불안과 경기력에 미치는 영향을 분석하여 고등학교 · 대학교 축구선수들의 긍정적인 정서조성과 경쟁상태 불안해소 그리고 경기력 향상을 위한 기초 자료로 활용 하고자 함에 있다. 이를 측정하기 위해, 2018년 1월 3일 부터 3월 2일까지 약 2개월에 걸쳐 서울 · 경기지역 4개 고등학교, 대학교 축구선수 131명을 연구대상으로 분석한 연구결과는 다음과 같다. 첫째, 심리적 안녕감이 경쟁상태 불안에 미치는 영향을 분석한 결과, 심리적 안녕감은 경쟁상태 불안에 부(-)영향을 미치는 것으로 나타났다. 둘째,심리적 안녕감이 경기력에 미치는 영향을 분석한 결과, 심리적 안녕감은 경기력에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 셋째, 경쟁상태 불안이 경기력에 미치는 영향을 분석한 결과 경쟁상태 불안은 경기력에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 넷째, 인구통계학적 특성(학교유형, 학년, 경력)에 따른 심리적 안녕감, 경쟁력 불안, 경기력에 미치는 영향을 분석한 결과, 학교유형, 학년, 경력에 따라, 심리적 안녕감은 경쟁상태 불안에 미치는 영향은 차이가 발생하지 않았다. 그러나, 심리적 안녕감이 경기력에 미치는 영향과 경쟁상태 불안이 경기력에 미치는 영향은 차이가 발생하였다. The purpose of this study is to analyze the effects of psychological well-being of high school and university soccer players on competitive state anxiety and performance, and to utilize them as basic data for improving positive emotions, releasing competitive state anxiety, and increasing performance of high school and university soccer players. To measure this, 131 high school and university soccer players from Seoul and Kyunggi province were surveyed for two months from January 3 to March 2 in 2018. The results of this study are as follows. First, the effects of psychological well-being on competitive state anxiety showed that psychological well-being had a negative effect on competitive state anxiety. Second, the effect of psychological well-being on performance was found to have a positive effect on performance. Third, the analysis of the effect of competitive state anxiety on performance showed that competitive state anxiety affected performance. Fourth, according to the result of analyzing the effect of the psychological well–being depending on the demographic characteristics (school type, grade, career) on the competitiveness anxiety and performance, there was no difference in the effect of psychological well-being depending on the school type, grade, and career on the competitive state anxiety. However, there was a difference between the effect of psychological well-being on performance and the effect of competitive state anxiety on performance.
A Study on the Characteristics of WindHydro - a Floating Wind Turbine Simulation Code
송진섭(Song, Jinseop),임채환(Rim, Chae Whan),이성균(Lee, Sungkyun) 한국신재생에너지학회 2011 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2011 No.11
A floating wind turbine dynamic simulation program, 'WindHydro', is newly developed. In order to investigate the characteristics of the program, a series of loading cases are simulated such as (1) wind only case, (2) free decay cases with initial displacement, (3) wave only case (4) wind and wave case. The simulations are carried out for the 5-MW OC3-Hywind model which has a spar buoy and catenary mooring lines. As a result, the reliability of WindHydro is verified in most viewpoints although additional study is still necessary to clear out some uncertainty of the program.
Electrical and Optical Properties for TCO/Si Junction of EWT Solar Cells
송진섭(Song, Jinseob),양정엽(Yang, Jungyup),이준석(Lee, Junseok),홍진표(Hong, Jinpyo),조영현(Cho, Younghyun) 한국신재생에너지학회 2010 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.11
In this work we have investigated electrical and optical properties of interface for ITO/Si with shallow doped emitter. The ITO is prepared by DC magnetron sputter on p-type monocrystalline silicon substrate. As an experimental result, The transmittance at 640nm spectra is obtained an average transmittance over 85% in the visible range of the optical spectrum. The energy bandgap of ITO at oxygen flow from 0% to 4% obtained between 3.57eV and 3.68eV (ITO : 3.75eV). The energy bandgap of ITO is depending on the thickness, sturcture and doping concentration. Because the bandgap and position of absorption edge for degenerated semiconductor oxide are determined by two competing mechanism; i) bandgap narrowing due to electron-electron and electron-impurity effects on the valance and conduction bands (> 3.38eV), ii) bandgap widening by the Burstein-Moss effect, a blocking of the lowest states of the conduction band by excess electrons( < 4.15eV). The resistivity of ITO layer obtained about 6{times}10^{-4}{Omega}cm at 4% of oxygen flow. In case of decrease resistivity of ITO, the carrier concentration and carrier mobility of ITO film will be increased. The contact resistance of ITO/Si with shallow doped emitter was measured by the transmission line method(TLM). As an experimental result, the contact resistance was obtained 0.0705{Omega}cm² at 2% oxygen flow. It is formed ohmic-contact of interface ITO/Si substrate. The emitter series resistance of ITO/Si with shallow doped emitter was obtained 0.1821{Omega}cm². Therefore, As an PC1D simulation result, the fill factor of EWT solar cell obtained above 80%. The details will be presented in conference.
Ga 함유량에 따른 Cu(In<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>)Se₂ 박막 태양전지에 관한 연구
송진섭(Song, Jin-Seob),윤재호(Yoon, Jae-Ho),안세진(Ahn, Se-Jin),윤경훈(Yoon, Kyung-Hoon) 한국신재생에너지학회 2007 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2007 No.06
Cu(In<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>)Se₂(CIGS)는 매우 큰 광흡수계수를 가지고 있으므로 박막형 태양전지의 광흡수층 재료로서 많은 연구가 진행되고 있다. 박막이 태양전지의 광흡수층으로 이용되기 위해서는 큰 결정크기와 평탄한 표면, 적당한 전기적 특성을 가져야 한다. 이러한 특성들은 CIGS 박막의 조성에 큰 영향을 받고 있는 것으로 보고되고 있다. 본 연구에서는 동시증발법을 이용하여 Cu/(In+Ga) 비를 0.9로 고정한 후 Ga 조성(Ga/(In+Ga)의 비 : 0.32, 0.49, 0.69, 0.8, 1)을 변화시켜 Wide band gap CIGS 박막태양전지를 만들었다. 기판은 soda line glass를 사용하였고 뒷면 전극으로는 Mo를 스퍼터링법으로 증착하였다. 또한 버퍼층으로는 기존에 쓰이고 있는 CdS를 CBD(Chemical Bath Deposition)법으로 층착시켰으며, 윈도우층으로는 i-ZnO/n-ZnO를 스파터링 법으로 층착하였다. 그리고 앞면전극으로는 Al을 E-beam 으로 증착하였다. 분석은 XRD, SEM, QE로 분석하였다. 위 실험에서 얻은 결과로는 Ga/(In+Ga)비가 증가할수록 Cu(In,Ga)Se2 박막은 회절 peak들이 큰 회절각으로 이동하였고, 이것은 Ga 원자와 In 원자의 원자반경의 차이에서 기인된 것으로 사료된다. 또한 Ga 조성이 증가할수록 단파장 쪽으로 이동하는 것을 볼 수 있으며, Voc가 증가하다가 에너지 밴드캡이 1.62 eV 이상에서는 Voc가 감소하는 것을 볼 수 있는데 이것은 Ga 조성이 증가할수록 에너지 밴드캡이 커지면서 defect level 이 존재하기 때문인 것으로 사료된다. Ga/(In+Ga)비가 1일 때의 변환효율은 8.5 %이고, Voc : 0.74 (V), Jsc : 17.2 (mA/cm²), F.F : 66.6(%) 이다.