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Formax 매질을 이용한 이동통신 단말기용 삼중대역 플라스틱 칩 안테나에 관한 연구
이영훈,송성해,Lee, Young-Hun,Song, Sung-Hae 한국정보통신학회 2007 한국정보통신학회논문지 Vol.11 No.12
본 논문은 휴대 단말기에 적용할 수 있는 삼중대역(Triple-band) 프라스틱 칩 안테나에 관하여 연구하였다. 프라스틱 칩은 PVC(Polyvilyl chloride)계열의 Foamex 매질을 사용하였으며, 전기적인 특성은 유전율이 1.9이고, 절연밀도는 112KV/cm이다. 프라스틱 칩 안테나는 세라믹 칩 안테나보다 잘 파손되지 않고, 이득과 효율이 좋은 장점을 가지고 있다. 본 논문에서는 4종류의 삼중대역 프라스틱 칩 안테나를 제작하고 실험하였다. 실험 결과 삼중대역에서 공진하였고, 안테나 이득은-2dB이상이고, 안테나 패턴은 일반적인 칩 안테나와 비슷한 전 방향 특성을 갖는다. 따라서 Foamex 매질을 이용하여 구현된 안테나는 삼중대역용 휴대폰과 다양한 무선통신시스템에 적용될 수 있다. In this paper, triple-band plastic chip antennas for mobile terminal are investigated. Plastic chip antenna is composed of Foamex material with circle of PVC(Polyvilyl chloride). For its electric characteristics, the dielectric constant is 1.9, the insulation intensity is 112KV/cm. Plastic chip antennas are don't tend to break easily against to external shock, have more gain and efficiency than ceramic chip antennas. Triple-band plastic chip antennas of four type are implemented and experimented. From the experiments results, the antenna resonate at the triple-band, the gain of the antennas has about above -2dB, the pattern is ommidirectional the same as the conventional antennas. So, the antennas realized with Foamex material will be application for mobile phone antenna operated at the triple band which is cellular band and Korea-PCS band and ISM band or the antenna for other wireless communication system.
Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> 층의 건식산화 동안 Ge 재 분포와 상호 확산의 영향
신창호,이영훈,송성해,Shin, Chang-Ho,Lee, Young-Hun,Song, Sung-Hae 한국전기전자재료학회 2005 전기전자재료학회논문지 Vol.18 No.12
We have studied the Ge redistribution after dry oxidation and the oxide growth rate of $Si_{1-x}Ge_x$ epitaxial layer. Oxidation were performed at 700, 800, 900, and $1,000\;^{\circ}C$. After the oxidation, the results of RBS (Rutherford Back Scattering) & AES(Auger Electron Spectroscopy) showed that Ge was completely rejected out of the oxide and pile up at $Si_{1-x}Ge_x$ interface. It is shown that the presence of Ge at the $Si_{1-x}Ge_x$ interface changes the dry oxidation rate. The dry oxidation rate was equal to that of pure Si regardless of Ge mole fraction at 700 and 800$^{\circ}C$, while it was decreased at both 900 and $1,000^{\circ}C$ as the Ge mole fraction was increased. The dry of idation rates were reduced for heavy Ge concentration, and large oxiidation time. In the parabolic growth region of $Si_{1-x}Ge_x$ oxidation, the parabolic rate constant are decreased due to the presence of Ge-rich layer. After the longer oxidation at the $1,000^{\circ}C$, AES showed that Ge peak distribution at the $Si_{1-x}Ge_x$ interface reduced by interdiffusion of silicon and germanium.
무선데이터 통신을 위한 고효율 광대역 마이크로스트립 대역통과 필터 특성에 관한 연구
이영훈(Lee, Young-Hun),송성해(Song, Sung-Hae),박원우(Park, Won-Woo),이상재(Lee, Sang-Jae) 한국전기전자학회 2008 전기전자학회논문지 Vol.12 No.4
본 논문에서는 고속 무선데이터 통신을 위하여 구형공진기와 SIOS를 사용하여 삽입손실이 작고, 차단특성이 아주 좁고, 광대역 특성을 갖는 마이크로스트립 대역통과필터를 연구하였다. 계단 임피던스 스터브는 일반 0.25보다 30%의 길이를 줄일 수 있고, 또한 스터브의 임피던스의 크기를 변경할 수를 줄일 수 있는 장점이 있음으로 필터의 특성 개선에 적용할 수 있다. 본 논문의 객관성을 입증하기 위해서 최적화된 광대역 대역통과 필터를 구현하였다. 전송선로 모델을 사용하여 계산한 주파수 특성 결과는 실험값과 아주 잘 일치하였다. 구현된 필터의 모드발생스터브에 의하여 발생한 극점은 저 주파수 대역에서 3.610GHz, 4.265GHz, 고주파수 대역에서 8.494GHz, 9.056GHz이다. 필터의 3dB 대역폭은 58%(3.695GHz)이고, 삽입손실은 0.37dB, 30dB이고, 차단특성은 저 주파수 대역에서 237MHz, 고주파수대역에서 234MHz이다. This paper presents a compact, low insertion loss, sharp rejection and wide band microstrip band pass filter that is composed rectangular loop resonator and step-impedance-open-stub(SIOS) for wireless data communication. The SIOS can be reduce length about 30% more than general 0.25 stub. And stubs can have the advantage of tuning impedance magnitude. In order to demonstrate agrement of this paper prove, the optimized wide band pass filters are realized and experimented. A transmission line model used to calculate the frequency response of the new filters shows good agreement with measurements. The filter with perturbation stubs has four poles at rejection band, the poles are excited 3.610GHz, 4.265GHz at low frequency band, 8.494GHz, 9.056GHz at high frequency band. And the filter has 3dB fractional bandwidth of 57%(3.695GHz), an insertion loss of better than 0.37dB from 4.549GHz to 8.244GHz, and two rejection of greater than 30dB within 237MHz(4.312GHz 4.549GHz) at low frequency band, 234MHz(8.244GHz-8.491GHz) at high frequency band.