외기요법이 체표온도 변화에 미치는 영향

노일호,김병완,정광조,曺政孝,黃相畯,吳旼錫 대전대학교 한의학연구소 2003 한의학연구소 논문집 Vol.12 No.1

This study is about the relationship between the effect of Radiating Qui Therapy on human body and the resulting subjective qui sensation. Patients were between 30 and 50 years of age. n=21 persons received DITI (n=14 patients were provided, n=9 control group) twice examination with Radiating Qui Therapy. First all patients were examined by DITI. After treatment with Radiating Qui Therapy (n=14) both the treated and the control groups were eaxmined again. Radiating Qui Therapy is provided upright position. After Radiating Qui Therapy 92% of the treated group felt a significant qui sensation and 43.5 % felt a warmth at the abdomen and over the whole body. A data of this study show Radiating Qui Therapy has s stimulating effect on human skin temperature. As disease region and Qui sensation are very closely related to each other results strongly suggest that Radiating Qui Therapy could be used as a treatment for a several disease.

LCOS 패널용 5-1.8 V DC-DC 컨버터 IC 설계

노일호(Il-Ho Rho),김훈(Hoon Kim),정원섭(Won-Sup Chung),이상록(Sang-Rok Lee) 한국정보기술학회 2011 Proceedings of KIIT Conference Vol.2011 No.5

본 논문에서는 LCOS 디스플레이 패널용 전압-모드 DC-DC 컨버터를 제시한다. 0.6 ㎛ 5 V CMOS n-well 공정 모델 파라미터로 DC-DC 컨버터를 설계하였다. 설계된 컨버터의 동작은 Spectre를 사용해 post-layout 시뮬레이션으로 검증하였다. 설계된 컨버터는 최대 500 ㎃까지 1.8 V의 안정된 출력을 공급할 수 있다. 설계된 DC-DC 컨버터는 LCOS 패널과 함께 집적해 하나의 칩으로 제작할 수 있을 것이다. In this paper, a voltage-mode DC-DC converter for LCOS display panels is presented. The DC-DC converter was designed with 0.6 ㎛ 5 V CMOS n-well process model parameters. The operation of the designed converter was verified by a post-layout simulation using Spectre. The designed converter can supply a regulated 1.8 V up to the maximum 500 ㎃. The designed DC-DC converter can be integrated on a single chip with an LCOS panel.

Pt-SiC 쇼트키 다이오드를 이용한 Co Gas 감지 특성에 대한 연구

노일호(I. H. Nho),이주헌(J. H. Lee),양성준(S. J. Yang),장석원(S. W. Jang),김창교(C. K. Kim) 대한전기학회 2001 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2001 No.11

Design of a New Class AB Second Generation Current Conveyor and Its Applications

Il-Ho Rho(노일호),Won-Sup Chung(정원섭),Sang-Hee Son(손상희) 한국정보기술학회 2011 한국정보기술학회논문지 Vol.9 No.11

A new class AB second generation current conveyor (CCII) having two inputs and three outputs terminals is presented. It consists of two unity-gain buffers and six current mirrors and can realize a voltage follower and a current follower simultaneously. To demonstrate the usefulness of the proposed CCII, it is applied to implement a transconductor and a bandpass filter. SPICE simulation results show that the proposed CCII has superior frequency characteristics to the conventional one, and its bandwidth is 240MHz when they are used to implement the transconductor. The bandpass filter using proposed CCII has Q values equal to 88 for R = 5kΩ, 60 for R = 3kΩ, and 33 for R = 2kΩ, respectively. The corresponding center frequencies are 2.4MHz, 4MHz, and 5.5MHz, respectively.

SiC 쇼트키 장벽 다이오드를 이용한 CO 가스 감지 특성에 관한 연구

김창교,노일호,조남인,유홍진,기창진 한국산학기술학회 2004 한국산학기술학회논문지 Vol.5 No.1

고온용 마이크로 전자소자를 이용한 일산화탄소 가스센서를 개발하였다.100~300℃의 영역에서 가스 감지 특성을 조사하였다. 센서의 가스 감도는 높고, 감지속도는 빠르고 센서는 재현성을 보여 주었다. Pt-SiC 및 Pt-SnO₂ 다아오드는 표준 반도체 공정을 이용하여 제작하였다. CO 가스 감지 특성은 정상상태 및 과도 상태의 조건아래에서 I-V 및 △I-t법을을 이 용하여 CO 가스 농도와 온도의 함수로서 분석하였다. Pt-SnO₂ 촉매 층을 갖는 소자의 가스 감도가 Pt 게이트만으로 이루어 진 소자보다 높았다. 실험 결과는 SnO₂ 충이 Pt 막의 촉매 반응을 향상시키는 것을 보여주었다. A high temperature tolerant microelectronic-based carbon monioxde(CO) gas sensor has been developed. The gas sensing performance has been studied over a wide temperature range(100~300℃). The gas sensitivity of the sensor is high, its initial sensing behavior is very fast, and the sensor is reproducible. Pt-SiC and Pt-SnO₂-SiC diodes are fabricated using standard semiconductor processes and their CO gas-sensing behaviors are analyzed as a function of CO gas concentration and temperature by I-V and △I-t methods under steady-state and transient conditions. The sensitivity of the device with Pt-SnO₂ catalytic gate is higher than that of the Pt gate. The experimental results indicate that SnO₂ layerimproves the catalytic reaction of the Pt layer.

OLED 패널 위한 PLD 공정 개발

김창교,노일호,장석원 순천향대학교 부설 산업기술연구소 2004 순천향 산업기술연구소논문집 Vol.10 No.2

Organic light emitting diode panel was fabricared using pulsed laser deposition (PLD) method. Nd-YAG laser with Q-Switched and 355 nm pulse was used for the PLD processes. While TPD(N,N'-Di-[naphthaleny]-N,N'-dipheny]-benzidine) was used as a HTL(hole transport layer), Alq_(3)(8-Hydroxyquinoline, Aluminum Salt) was used as EML/ETL(emitting layer/electron transport layer). Organic pellet was fabricated and employed as a target for the PLD method. The absorbances of the organic films were investigated and the measured absorbance values of TPD and AIq_(3) films were 362㎚ and 399㎚, repectively. The turn-on voltage of the OLED panel was 7.5 V and its luminance was 90 ㏅/m^(2).

입력 차동단에 이미터 저항을 가진 OTA의 온도 보상 방법

정원섭,노일호 한국정보기술학회 2012 한국정보기술학회논문지 Vol. No.

A circuit technique for improving temperature characteristic of operational transconductance amplifier (OTA) with a emitter-degeneration resistor in its input differential stage. The circuit based on the proposed technique consists of a OTA with a emitter-degeneration resistor in its differential input stage to be temperature-compensated and a temperature compensation circuit that is comprised of a operational amplifier and a conventional OTA. The proposed temperature-compensated OTA exhibits a wide input linear range and superior temperature characteristic. The experimental results show that the nonlinearity in the transfer characteristic of the OTA is less than 1% in the input voltage range of ±1.5 V and the temperature coefficient of the transconductance is about 50 ppm/℃ in the temperature range of -20~60℃. These results show that the temperature characteristic of the temperature-compensated OTA is 20 times superior to that of the temperature-uncompensated OTA. 본 논문은 입력 차동단에 이미터 저항을 가진 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기(OTA)의 온도 특성을 개선하는 방안을 제안한다. 제안한 방안에 의거하여 설계된 회로는 연산증폭기와 통상의 OTA로 이루어진 온도 보상 회로와 입력 차동단에 이미터 저항을 가진 온도 보상될 OTA로 구성된다. 제안한 온도 보상된 OTA는 넓은 입력 선형 범위를 가질 뿐 아니라 우수한 온도 특성을 가진다. 개별 소자들을 이용하여 실험한 결과, 보상된 OTA의 비선형성은 ±1.5 V의 입력 범위에서 1% 이하였고, 트랜스컨덕턴스의 온도 계수는 -20~60℃ 범위에서 약 50 ppm/℃였다. 이러한 결과는 제안한 온도 보상된 OTA가 온도 보상되지 않은 OTA보다 온도특성이 약 20배 우수하다는 것을 보여준다.

SU-8 PR을 이용한 마이크로 구조물 제작 공정 개발

김창교,장석원,노일호 한국결정성장학회 2003 한국결정성장학회지 Vol.13 No.2

본 논문에서는 3차원 마이크로구조물을 위한 새로운 UV-LIGA 공정을 개발하였다. 일반적으로 photoresist는 얇은 두께로 코팅이 되지만, SU-8은 수십 $\mu\textrm{m}$ 이상의 두께를 가질 수 있으며, 높은 형상비를 갖는다. SU-8과 같은 Thick photoresist는 기존의 baking 공정과 같이 급격한 cool down을 할 경우 stress에 의한 crack이 발생한다. 이와 같은 경우 도금을 위한 마이크로구조물이 구현이 되지 않는다. SU-8의 코팅, bake에서의 시간 조절, 그리고 PEB의 시간 조절 및 cool down조절을 통하여 stress에 의한 crack이 발생하지 않도록 3차원 마이크로구조물을 제작 할 수 있도록 하였다. In this paper, we developed a new thick photoresist fabrication technology for 3-dimensional microstructures. In general, like as AZ photoresist was coated with thin film thickness about 1 $\mu\textrm{m}$ to 30 $\mu\textrm{m}$, but photoresist like SU-8 has thickness of several tens $\mu\textrm{m}$ or more and high aspect ratio. When we fabricate a microstructure using the thick photoresist like SU-8, cracks on the SU-8 thick photoresist are appeared by stress which was caused by sudden cooling down during bake of the thick photoresist spun on wafer. Thus, it was hard to fabricate the microstructure using the thick photoresist for electroplating. In this paper, we developed a new process to produce a 3-dimensional microstructure without the crack by stress through a suitable thick photoresist coating, time control of cool down and time control of PEB (Post Expose Bake).

스퍼터링법으로 제작한 WO₃ 박막을 이용한 NO₂ 마이크로 가스센서에 관한 연구

김창교,이영환,노일호,유홍진,유광수,기창진 한국산학기술학회 2003 한국산학기술학회논문지 Vol.4 No.3

평면형 마이크로가스센서를 MEMS 기술을 이용하여 제작하였다. NO₂ 가스의 감지를 위한 감지물질로서 이용되는 WO₃ 박막은 텅스텐 타켓을 스퍼터링한 후에 1시간 동안 여러 온도에서 열산화법에 의해 형성하였다. NO₂ 감도(RgaslRair) 는 열처리 온도에 따른 WO₃ 박막에 대해 조사하였다. 동작온도가 200℃ 일 때 600℃ 에서 열처리한 시편의 NO₂가스감도가 가장 높았다. XRD의 결과는 열처리한 시편은 triclinic 구조와 orthorhombic 구조가 혼합된 다결정상올 보여주었다. 또한 시편은 triclinic 구조가 적을수록 더 높은 가스 감도를 보여주었다. 600℃에서 열처리한 시편의 20℃의 동작온도일 때 5 ppm NO₂ 가스감도는 약 90이었다. A flat type micro gas sensor was fabricated on the p-type silicon wafer with low stress Si₃N₄, whose thickness is 2 ㎛, using MEMS technology. WO₃thin film as a sensing material for detection of N02 gas was deposited using a tungsten target by sputtering method, followed by thermal oxidation at several temperatures (400℃-600℃) for one hour. NO₂ sensitivities were investigated for the WO₃ thin films with different annealing temperatures. The highest sensitivity was obtained for the samples annealed at 600℃ when it was operated at 200℃. The results of XRD analysis showed the annealed samples had polycrystalline phase mixed with triclinic and orthorhombic structures. The sample exhibits higher sensitivity when the system has less triclinic structure. The sensitivities, R_gas/R_aid operating at 200℃ to Sppm NO₂of the sample annealed at 600℃ were approximately 90.

입력 차동단에 이미터 저항을 가진 OTA의 온도 보상 방법

정원섭(Won-Sup Chung),노일호(Il-Ho Rho) 한국정보기술학회 2012 한국정보기술학회논문지 Vol.10 No.1

A circuit technique for improving temperature characteristic of operational transconductance amplifier (OTA) with a emitter-degeneration resistor in its input differential stage. The circuit based on the proposed technique consists of a OTA with a emitter-degeneration resistor in its differential input stage to be temperature-compensated and a temperature compensation circuit that is comprised of a operational amplifier and a conventional OTA. The proposed temperature-compensated OTA exhibits a wide input linear range and superior temperature characteristic. The experimental results show that the nonlinearity in the transfer characteristic of the OTA is less than 1% in the input voltage range of ±1.5 V and the temperature coefficient of the transconductance is about 50 ppm/℃ in the temperature range of -20~60℃ These results show that the temperature characteristic of the temperature-compensated OTA is 20 times superior to that of the temperature-uncompensated OTA.