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      • A New Test Algorithm for Bit-Line Sensitive Faults in High-Density Memories

        강동철,조상복,Kang, Dong-Chual,Cho, Sang-Bock Institute of Korean Electrical and Electronics Eng 2001 전기전자학회논문지 Vol.5 No.1

        메모리의 집적도가 올라갈수록 원치 않는 셀간의 간섭과 동시에 bit-line간의 상호 노이즈도 증가하게 된다. 그리고 높은 고장 검출율을 요구하는 고집적 메모리의 테스트는 많은 테스트 백터를 요구하게 되거나 비교적 큰 추가 테스트 회로를 요구하게 된다. 지금까지 기존의 테스트 알고리즘은 이웃 bit-line의 간섭이 아니라 이웃 셀에 중점을 두었다. 본 논문에서는 NPSFs(Neighborhood Pattern Sensitive Faults)를 기본으로 한 NBLSFs(Neighborhood Bit-Line Sensitive Faults)를 위한 새로운 테스터 알고리즘을 제안한다. 그리고 제안된 알고리즘은 부가 회로를 요구하지 않는다. 메모리 테스트를 위해 기존의 5개의 셀 레이아웃이나 9개의 셀 레이아웃을 사용하지 않고 NBLSF 검출에 최소한 크기인 3개의 셀 레이아웃을 이용하였다. 더구나 이웃 bit-line에 의한 최대의 상호잡음을 고려하기 위해 테스트 동작에 refresh 동작을 추가하였다(예 $write{\rightarrow}\;refresh{\rightarrow}\;read$). 또한 고착고장, 천이고장, 결합고장, 기존의 pattern sensitive 고장, 그리고 이웃 bit-line sensitive 고장 등도 검출될 수 있음을 보여준다. As the density of memories increases, unwanted interference between cells and coupling noise between bit-lines are increased. And testing high-density memories for a high degree of fault coverage can require either a relatively large number of test vectors or a significant amount of additional test circuitry. So far, conventional test algorithms have focused on faults between neighborhood cells, not neighborhood bit-lines. In this paper, a new test algorithm for neighborhood bit-line sensitive faults (NBLSFs) based on the NPSFs(Neighborhood Pattern Sensitive Faults) is proposed. And the proposed algorithm does not require any additional circuit. Instead of the conventional five-cell or nine-cell physical neighborhood layouts to test memory cells, a three-cell layout which is minimum size for NBLSFs detection is used. Furthermore, to consider faults by maximum coupling noise by neighborhood bit-lines, we added refresh operation after write operation in the test procedure(i.e.,$write{\rightarrow}\;refresh{\rightarrow}\;read$). Also, we show that the proposed algorithm can detect stuck-at faults, transition faults, coupling faults, conventional pattern sensitive faults, and neighborhood bit-line sensitive faults.

      • 테스트가 용이한 RAM의 설계 및 레이아웃에 관한 연구

        강동철,조상복 울산대학교 1997 공학연구논문집 Vol.28 No.1

        효과적인 고집적 RAM테스팅을 위해 BIST(Built-In Self Test)기법으로 메모리 내부에 테스트 회로를 부가하여 테스트할 수 있도록 하였는데, 이때 고집적 메모리에 가장 효율적인 PSFs(Pattern Sensitive Fault) 검출 알고리듬을 적용하였다. 128가지의 Gray Code의 테스트 패턴과, 타일링을 위한 4개의 기본셀을 바탕으로 한 행에 대해서 전체 비트라인으로 쓰기와 읽기동작을 하고 에러가 발생하면 외부의 핀을 통해 신호를 전달하게 함으로써 메모리셀의 고착고장, 천이고장, ANPSFs(Active Neighborhood PSF), PNPSFs(Passive Neighborhood PSF), 그리고 SNPSFs(Static Neighborhood PSF)를 검출할 수 있다. 가능한 현재 사용되는 기본 소자를 사용하여 부가 회로의 면적을 줄이도록 하였다. For the effective test of highly densed RAMs, the detecting algorithm of PSFs is proposed and a test circuit is designed as an additive circuit inside a memory chip, which is often called a BIST(Built-In Self Test) circuit. With 128 gray codes and 4 basic cells for the tiling, read and write operations are performed to entire column lines in each row. If there is an error, it is detected simultaneously (because the outputs of error detecting circuits are connected with output pins) and the algorithm covers Stuck-at Faults, Transition Faults, ANPSFs(Static Neighborhood PSF). Furthermore, the area for the BIST circuit can be minimized by using the existing components.

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