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MOCVD로 제작한 ZnO의 성장온도에 따른 특성 변화
서현석,정의혁,조중열,최연익,서오권,Seo Hyun-Seok,Jeong Eui-Hyuk,Jo Jung-Yol,Choi Yearn-Ik,Seo O-Gweon 한국반도체디스플레이기술학회 2005 반도체디스플레이기술학회지 Vol.4 No.4
Characteristics of ZnO films grown on $Si-SiO_2$ substrates at temperatures of $200\sim400^{\circ}C$ by metalorganic chemical vapor deposition were investigated. The growth rates and mobilities of ZnO films were dependent on growth temperatures. The field-effect mobilities measured in thin-film transistor structure were $15cm^2/Vsec$.
서현석(Hyun-Seok Seo),조중열(Jung-Yol Jo),안희태(Hee-Tae Ahn),최연익(Yearn-Ik Choi) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.10
원통형 PN접합의 Baliga의 해석적인 항복전압에 대한 근사식을 유도하였다. 근사식은 접합깊이, r<SUB>j</SUB>와 공핍층 깊이, W<SUB>pp</SUB>의 비 (r<SUB>j</SUB>/W<SUB>pp</SUB>)가 0.1보다 작은 경우 Baliga식과 잘 일치하였다. 농도에 대한 원통형 접합의 항복전압의 민감도를 유도하였으며, 근사식을 사용한 경우가 Baliga식의 경우보다 민감도식이 더 간단하기 때문에, 민감도를 고려한 소자 설계 시 활용될 수 있으리라 기대된다. 민감도 식을 이용하여 설계한 결과 항복전압의 편차가 10%이내로 제어하기 위해서는 도핑농도가 10¹?㎝?³이고 접합깊이가 5 ㎛인 원통형 접합인 경우 농도 편차가 12.8%이내 이어야한다.
전력 반도체 소자에 적용되는 원통형 PN 접합의 항복전압에 대한 근사식과 민감도
尹俊皓(Jun-Ho Yun),金海美(Hae-Mi Kim),徐賢錫(Hyeon-Seok Seo),曺重烈(Jung-Yol Jo),崔然益(Yearn-Ik Choi) 대한전기학회 2008 전기학회논문지 Vol.57 No.12
Approximate equations for cylindrical breakdown voltages of planar pn junctions are proposed and verified. The equations show good agreement with the Baliga's results for rj/Wpp?0.3 and with numerical results for rj/Wpp?0.3 within 1% error. Sensitivity of the breakdown voltage with respect to the doping concentrations is successfully derived using the approximate equations. The sensitivity formula can be utilized in the area of tolerance design of power semiconductor devices.
김해미(Hae-Mi Kim),윤준호(Jun-Ho Yun),최연익(Yearn-Ik Choi),조중열(Jung-yol Jo) 대한전기학회 2008 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2008 No.10
Baliga는 구형 PN 접합에 대한 해석적인 항복전압을 유도하였으며, 이 식은 γ(=r<SUB>j</SUB>/W<SUB>pp</SUB>) 값이 1보다 큰 구간에서 구형 접합의 항복전압이 원통형 및 평면형 항복전압 보다 큰 값을 가지게 된다. 기본적으로 구형 접합의 항복전압이 원통형과 평면형 접합의 항복전압보다 클 수 없기 때문에 이는 명백한 오류이다. 이 오류는 식을 구하는 과정에서 소수점 두 자리를 무시하고 계산을 하였기 때문임을 밝혀냈으며, 또한 이러한 작은 실수가 구형 접합의 항복전압에 미치는 영향이 지대할 수 있다는 결과를 보고하고자 한다.
윤준호(Jun-Ho Yun),김해미(Hae-Mi Kim),최연익(Yearn-Ik Choi),조중열(Jung-Yol Jo) 대한전기학회 2008 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2008 No.10
Approximate equations for cylindrical breakdown voltages of planar pn junctions are proposed and verified. The equations show good agreement with the Baliga’s results for rj/Wpp≤0.3 and with numerical results for rj/Wpp≥0.3 within 1% error. Sensitivity of the breakdown voltage with respect to the doping concentrations is successfully derived using the approximate equations. The sensitivity formula can be utilized in the area of tolerance design of power semiconductor devices.