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고밀도 플라즈마에 의한 $CeO_2$ 박막의 식각 메커니즘 연구
오창석,김창일,Oh, Chang-Seok,Kim, Chang-Il 대한전자공학회 2001 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.38 No.12
$CeO_2$ 박막은 강유전체 메모리 디바이스 응용을 위한 금속-강유전체-절연체-실리콘 전계효과 트랜지스터 구조에서의 강유전체 박막과 실리콘 기판 사이의 완충층으로서 제안되어지고 있다. 본 논문에서는 $CeO_2$ 박막을 유도 결합 플라즈마를 이용하여 $Cl_2$/Ar 가스 혼합비에 따라 식각하였다. 식각 특성을 알아보기 위한 실험조건으로는 RF 전력 600 W, dc 바이어스 전압 -200 V, 반응로 압력 15 mTorr로 고정하였고 $Cl_2$($Cl_2$+Ar) 가스 혼합비를 변화시키면서 실험하였다. $Cl_2$/($Cl_2$+Ar) 가스 혼합비가 0.2일때 $CeO_2$ 박막의 식각속도는 230 ${\AA}$/min으로 가장 높았으며 또한 $YMnO_3$에 대한 $CeO_2$의 선택비는 1.83이였다. 식각된 $CeO_2$ 박막의 표면반응은 XPS와 SIMS를 통해서 분석하였다. XPS 분석 결과 $CeO_2$ 박막의 표면에 Ce와 Cl의 화학적 반응에 의해 CeCl 결합이 존재함을 확인하였고, 또한 SIMS 분석 결과로 CeCl 결합을 확인하였다. $CeO_2$ 박막의 식각은 Cl 라디칼의 화학적 반응의 도움을 받으며 Ce 원자는 Cl과 반응을 하여 CeCl과 같은 혼합물로 $CeO_2$ 박막 표면에 존재하며 이들 CeCl 혼합물은 Ar 이온들의 충격에 의해 물리적으로 식각 되어진다. Cerium oxide ($CeO_2$) thin film has been proposed as a buffer layer between the ferroelectric thin film and the Si substrate in Metal-Ferroelectric-Insulator-Silicon (MFIS) structures for ferroelectric random access memory (FRAM) applications. In this study, $CeO_2$ thin films were etched with $Cl_2$/Ar gas mixture in an inductively coupled plasma (ICP). Etch properties were measured for different gas mixing ratio of $Cl_2$($Cl_2$+Ar) while the other process conditions were fixed at RF power (600 W), dc bias voltage (-200 V), and chamber pressure (15 mTorr). The highest etch rate of $CeO_2$ thin film was 230 ${\AA}$/min and the selectivity of $CeO_2$ to $YMnO_3$ was 1.83 at $Cl_2$($Cl_2$+Ar gas mixing ratio of 0.2. The surface reaction of the etched $CeO_2$ thin films was investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis. There is a Ce-Cl bonding by chemical reaction between Ce and Cl. The results of secondary ion mass spectrometer (SIMS) analysis were compared with the results of XPS analysis and the Ce-Cl bonding was monitored at 176.15 (a.m.u). These results confirm that Ce atoms of $CeO_2$ thin films react with chlorine and a compound such as CeCl remains on the surface of etched $CeO_2$ thin films. These products can be removed by Ar ion bombardment.
吳昌錫 釜山工業大學校 1964 論文集 Vol.2 No.-
이상으로 propeller의 회전의 의하여 thrust가 발생되고 그 회전에 의한 torque를 받게된다. 또 propeller는 blade angle에 따라 pitch와 slip를 갖게 되는 실제로 propeller는 대단히 복잡한 꼴을 가지므로 이것을 간단한 작동원판으로 가정해서 propeller 전체의 작용을 대체로 논해보면 흐름의 후부에서는 velocity가 증가되며 slip stream을 만들게 된다.
이은주,조용환,오창석 충북대학교 컴퓨터 정보통신 연구소 1997 컴퓨터정보통신연구 Vol.5 No.1
CT-2(Cordless Telephone-II) 서비스는 통신망 구축의 용이성, 저렴한 사용료, 기지국 설치의 용이성, 주파수 활용 용량의 증가 등 많은 장점에도 불구하고 발신전용이라는 제약을 갖고 있다. 이를 보완하기 위하여 착신전용 서비스인 무선 호출 서비스와 연계하여 착발신이 가능한 양방향 전화서비스가 개발되고 있어서, 셀룰러 전화와 PCS(Personal Communication System)전화에 대비하여 상대적인 기능 부족을 만회할 수 있게 되었으며, 지역 무선 가입자망 구성을 위한 유력한 대안으로 기대되고 있다. 따라서, CT계열의 최종목표인 착발신은 물론 데이터 전송 등 다양한 기능이 가능하며, 저렴한 보행자 위주의 협대역 개인 휴대 통신의 실현과 향후 초고속정보통신망 구축시 기존에 포설된 CT계열의 지역 무선 가입자망을 통하여, 다양한 멀티미디어 서비스를 수용할 수 있게 하기 위하여 지역 무선 가입자망 적용을 위한 방안이 제시되어야한다. 따라서, 본 연구에서는 CT 계열 통신 서비스의 특성을 분석하고, 향후 초고속 정보통신망 구축시 기존에 포설된 CT 계열 서비스를 지역 무선 가입자망을 통하여, 다양한 멀티미디어 서비스를 수용할 수 있는 네트워크의 설계와 핵심기능 및 기술항목을 도출하고 CT기술의 지역 가입자망 적용 방안을 제시한다.