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- 저자 : 장성준 ( Sung Jun Jang ) (검색결과 21 건)
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돼지분변에서 PCR에 의한 Lawsonia intracellularis 검색
장성준 ( Sung Jun Jang ),김정화 ( Jung Hwa Kim ),김영태 ( Young Tae Kim ),김기향 ( Ghi Hang Kim ),김중규 ( Jung Gyu Kim ),김영욱 ( Young Uk Kim ),최일영 ( Il Young Choi ) 한국가축위생학회 2001 韓國家畜衛生學會誌 Vol.24 No.1
Swine proliferative enteritis(SPE) caused by Lawsonia intracellularis is a common enteric disaese of grower and finisher pig. Swine affected with SPE show variable clinical signs including diarrhea, weight loss, aberrant growth and death. The characteristic lesion of ileitis at necropsy is marked thickening of the last section of the small intestine. The inner lining of the thickened intestine proliferates almost like a cancer and curved rod bacteria(L intracellularis) are always seen inside the intestinal wall. Infected swine shed the organism in the feces. Isolation and growth of pure L intracellularis in vitro requires a suitable cell culture. This procedure is difficult and not a practical means of diagnosis, thus the polymerase chain reaction(PCR) test of feces can be used to determine whether a pig is shedding the infective organism. A sensitive assay based on amplification of a 319 bp DNA fragment of the L intracellularis of Swine proliferative enteritis was attempted for the detection of the organism in the 62 feces of swine. L intracellularis was identified on three herds and detected in 6 fecal samples, representing a infection rate of 9.7%. The PCR was very sensitive and specific on the individual level. The PCR technique could be very useful for the diagnosis of this disease.
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Hot Carrier와 NBTI에 따른 나노 스케일 초박막 SOI pMOSFET 소자의 신뢰도에 관한 연구
장성준(Sung-Jun Jang),홍성희(Sung-Hee Hong),이재기(Jae-Ki Lee) 한국통신학회 2009 韓國通信學會論文誌 Vol.34 No.12D
실리콘 박막 두께가 1㎚-10㎚인 초박막 SOI pMOSFET를 제작하여 실리콘 박막 두께와 결정면에 따른 NBTI(Negative Bias Temperature Instability)와 hot carrier에 의한 소자 신뢰성을 측정 분석하였다. 박막의 두께가 얇을수록 NBTI에 의한 소자열화가 적게 되는 것을 알 수 있었다. 실리콘 박막의 두께에 따른 hot carrier 소자열화를 측정 분석한 결과 실리콘의 박막의 두께가 얇을수록 소자열화가 많이 됨을 알 수 있었다. Negative Bias Temperature Instability of SOI pMOSFET is investigated as a function of Si film orientation and film thickness. It is observed that NBTI induced threshold voltage shift is bigger for (110) MOSFETs in comparison to (100) MOSFETs and it decreases with the decrease of Si film thickness. The dependence of hot carrier effects on the silicon film thickness in nanometer scale SOI pMOSFETs has been investigated. For drain thickened structure, it is observed that the hot carrier effects are increased as a silicon film thickness decreases. Therefore, the hot carrier induced device degradation in nanometer scale MuGFET should be seriously considered for the elevated source/drain structure. The device degradation with substrate bias and elevated temperature has also been discussed.
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張聖浚(Jang Sung-Jun) 대한건축학회 2011 대한건축학회논문집 Vol.27 No.7
The study delves on tendency of publicness that appear in city hall complexes built in recent years. For the purpose, publicness defined in terms of building program, morphology of building form and exterior space, and sustainability were applied to the case study. Social concerns on city hall projects appeared in the newspaper and professional concerns in architectural magazine were analyzed for 5 years(2005-2010). The social concerns included the excessive building area and extravagant form, excessive energy consumption, financial bankruptcy, private sector oriented site development etc. and were adapted by the central government to rationalize control local government and public building projects. Professional concerns by the architects were adhered to spatial and abstract contents, and competition juries stayed mute and speechless. At the last, an indepth study on Seoul city hall construction project involved on the upper mentioned public issues. To fulfill the public issues of city hall project next following is necessary: building programs should contain real essential needs: building forms should abstain from superficial fashion neglecting soundness and constancy; exterior space should be maximized to perform balanced role with building; concept of sustainablility should be carried not only by technological devices but also with cultural consistency keeping the possibility of enlargement within the existing site.
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Sudden Death Caused by Clostridium perfringens Type D Enterotoxemia in Feedlot Cattle
Seong-Jun Jang(장성준),Sun-Hee Do(도선희),Mi-Ran Ki(기미란),Il-Hwa Hong(홍일화),Jin-Kyu Park(박진규),Yu-Jeong Cho(조유정),Ae Ri Ji,Se-Il Park,Sang-Joon Park(박상준),Tae-Hwan Kim(김태환),Dong-Mi Kwak(곽동미),Kyu-Shik Jeong(정규식) 한국생명과학회 2010 생명과학회지 Vol.20 No.5
비육우의 공장, 회장 및 결장의 특징적 괴사 출혈성 장염 증상은 폐사 증후군과 관련이 있는 것으로 인식되고 있다. 특히 젖먹이 송아지들이 폐사 증후군에 가장 영향을 받는데, 포유시 송아지에게 과식을 시키거나, 비위생적 초유 급유, 체온 하강 및 스트레스는 장독혈증 발생의 원인들이다. 2006년 7월 중 경북 영천 지역에서 축우의 폐사가 발생하였다. 식욕부진, 의기소침, 간헐적인 설사 및 경미한 호흡 곤란을 제외하고는 특별한 임상 증상은 없었으나, 조직학적 소견에 의하면, 심장, 신장, 간, 비장 및 임파선을 포함한 각종 기관에서 globular leukocytes의 침윤뿐 아니라 핵내 봉입체가 현저하게 나타났다. 비장과 림프조직에서는 림프 괴사와 림프구 괴사로 인한 ‘starry sky appearance’를 나타내었다. 소장 점막 하에서는 다량의 globular leukocytes와 호산 구의 침윤과 함께 호 염기성 세포 집단이 관찰되었다. 봉입체가 있는 소장 조직의 단면은 그램 염색에 대해 조직 화학적으로 양성반응을 나타내었다. 결론적으로, 비축우의 폐사 원인은 조직학적 및 조직화학적 분석 결과를 근거로 Clostridium perfringens D 형균에 의한 장독혈증으로 진단되었다. Sudden deaths have occurred in feedlot cattle with marked necro-hemorrhagic enteritis of the jejunum, ileum and colon. Suckling beef calves are the most frequently affected. Over-consumption of large amounts of milk, inadequate colostrum intake, chilling and stress are conducive to the development of enterotoxemia. Enterotoxemia caused by Clostridium perfringens type D mostly occurs following a sudden change of diet, particularly to feeds made richer in order to grow the cattle to market weight in feedlots. During July 2006, sudden deaths of cattle occurred in the Youngcheon regional area of Gyeongbuk province. There were no significant clinical signs except anorexia, depression, intermittent diarrhea and mild respiratory failure. Histological findings revealed a prominent intranuclear inclusion as well as infiltration of the globular leukocytes in various organs including the heart, kidneys, liver, spleen and lymph nodes. Spleen and lymphatic tissues showed lymphatic necrosis and a starry sky appearance. In the submucosa of the small intestines, basophilic aggregation was detected with massive infiltration of the globular leukocytes and eosinophils. Gram staining for the tissue sections containing inclusions of the small intestines revealed a positive histochemical reaction. Taken together, we suggest that Clostridium perfringens type D-induced enterotoxemia is determined to be the cause of sudden death of feedlot cattle.
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Seong-Jun Jang(장성준),Sun-Hee Do(도선희),Mi-Ran Ki(기미란),Il-Hwa Hong(홍일화),Jin-Kyu Park(박진규),Yu-Jeong Cho(조유정),Sang-Joon Park(박상준),Tae-Hwan Kim(김태환),Dong-Mi Kwak(곽동미),Kyu-Shik Jeong(정규식) 한국생명과학회 2010 생명과학회지 Vol.20 No.2
본 연구는 브루셀라증 감염 소 혈청으로부터 분리한 항 브루셀라 면역글로블린 항체를 이용하여 조직 면역염색을 통한 브루셀라증 진단의 활용 가능성을 조사하고 병의 발생과 관련한 기능적 진단 마커를 개발하고자 하였다. Rose-Bengal test에 대해 양성 반응을 나타내어 브루셀라증으로 진단된 17개의 케이스와 음성 반응을 나타낸 19개의 대조군 케이스에 대해 조사를 실시하였다. 본 실험실에서 분리한 항 브루셀라 항체를 이용한 면역조직화학적 반응에서 간의 중심 소엽에 위치한 간세포의 세포질, 신장의 사구체 및 관 상피에서 강한 양성 반응을 나타내었다. 감염된 소의 간과 비감염 대조군의 간의 2차원 전기 영동법에 의한 단백질체를 비교 분석한 결과, 발현량이 대조군에 비해 유의적으로 증가한 5개의 단백질 스팟과 반대로 대조군에 비해 발현량이 현저히 감소한 5개의 단백질 스팟을 선별 하였다. 이 중 카탈라아제와 3-hydroxyacyl-CoA dehydrogenase의 발현 증가는 브루셀라증에 의한 장독 쇼크에 의한 산화적 스트레스 증가에 대한 방어적 반응으로 사료 되었다. 결론적으로, 항 브루셀라 면역글로불린 항체는 감염 조직의 감별 진단을 위한 좋은 진단 재료 임과, 더 나아가 단백질체학 분석을 통해 브루셀라증 진단 및 병리 연구를 위한 새로운 마커 단백질을 제시하였다. This study was conducted to examine the utilization of immunohistochemistry using the bovine anti-brucella immunoglobulin G (IgG) antibody in the diagnosis of brucellosis and to develop a functional biomarker relation for the progress of the disease. Anti-brucella IgG antibody was purified from the affected bovine serum using an affinity chromatography. We performed our investigation on 17 cases of brucellosis and 19 control cases with negative Rose-Bengal test results. Our purified anti-brucella IgG antibody showed a positive immunoreactivity in cytoplasmic hepatocytes of the centrilobular region, and glomeruli and tubular epithelium of the kidney. The protein pattern of the affected liver versus control was analyzed by two-dimensional electrophoresis, showing a different expression pattern of proteins between the two. Five protein spots were up-regulated and another were five down-regulated in the brucellosis liver. Significant upregulaton of catalase and 3-hydroxyacyl-CoA dehydrogenase might be due to a compensatory reaction in response to the endotoxic shock of brucella. In conclusion, the anti-brucella IgG antibody may be a good tool for discriminative diagnosis of the affected tissues and proteomics data suggest new target proteins underlying a possible pathogenic mechanism of brucellosis.
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김재헌,성만규,김상원,장성준,김예진,최병태,Kim, Jae-Heon,Seong, Man-Gyu,Kim, Sang-Won,Jang, Seong-Jun,Kim, Ye-Jin,Choe, Byeong-Tae 한국전자통신연구원 2007 전자통신동향분석 Vol.22 No.4
디지털 크리처란 인간, 동물 그리고 영화 "반지의 제왕"의 "골룸"이나 영화 "괴물"의 "괴물" 같은 상상 속의 캐릭터뿐만 아니라 나무나 숲과 같은 식물을 포함한 실사 수준의 영상으로 표현되는 디지털 생명체를 의미한다. 최근 전세계적으로 흥행에 성공한 블록버스터급의 영화는 대부분 발전한 CG 기술을 바탕으로 감독의 상상력이 그대로 상으로 옮겨진 디지털 크리처가 등장하고 있으며 이로 인해 종래의 단편적인 역할에서 영화의 흥행을 좌우하는 핵심 기술로서 자리잡아 가고 있다. 특히, 영화 등 디지털콘텐츠의 세계시장 규모를 생각하면 이러한 기술의 경제적인 중요성은 매우 크다고 할수 있다. 본 논문에서는 이러한 디지털 크리처를 제작하기 위해 필요한 대표 기술들의 기술동향을 분석하고자 한다.
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SOI DTMOS 트랜지스터의 온도에 따른 hot carrier 열화현상에 관한 연구
이재기(Jae-Ki Lee),장성준(Sung-Jun Jang),홍성희(Sung-Hee Hong) 한국통신학회 2008 韓國通信學會論文誌 Vol.33 No.6
본 논문은 SOI DTMOS 소자의 온도에 따라 hot carrier에 의해 유발되는 소자열화 현상에 대한 연구를 수행한 것으로서, 낮은 스트레스 게이트 전압과 높은 스트레스 게이트 전압 두 가지를 인가하였다. 낮은 gate전압에서 고온으로 stress된 소자의 열화현상은 보다 높은 gate전압에서 낮은 온도로 stress된 소자의 열화보다 큼을 알 수 있었다. 그리고 DTMOS 소자와 PD MOS 소자의 온도에 따른 hot carrier영향을 비교·분석하였으며, PD MOS소자와 비교하여 DTMOS 소자의 열화가 적은 것은 gate와 body사이의 연결에 의한 문턱전압의 감소를 초래하는 lateral electric field의 감소에 의한 것임을 알 수 있었다. In this thesis, we reports the experimental results on the temperature dependence of hot carrier degradation of DTMOS devices. Both low and high stress gate voltages are used. The degradation of devices stressed at high temperature with a low gate voltage can be larger than that in devices stressed at a higher gate voltage but at a lower temperature. The temperature dependence of the hot carrier effects in DTMOS devices is compared with those in SOI PD MOSFETs. The possible mechanism explaining the less device degradation of the DTMOS, when compared to a PD MOSFET is the reduction of maximum lateral electric field resulting from the reduction of threshold voltage due to the connection between the gate and the body.
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