MOTOR ARMATURE 공정의 자동화

김규홍 한국자동차공학회 1989 한국자동차공학회 학술강연초록집 Vol.- No.-

다차원 고차 내삽 기법의 개선

김규홍,이경태,노오현,김종암 한국항공우주학회 2001 한국항공우주학회 학술발표회 논문집 Vol.- No.-

산화철(α-Fe_2O_3)의 전기전도성과 촉매활성 연구

金奎弘,崔在時,김용배 연세대학교 자연과학연구소 1980 學術論文集 Vol.5 No.-

SO_2의 산화반응을 통하여 250℃-400℃에서 α-Fe_2O_3의 촉매활성이 연구되었다. α-Fe_2O_3의 전기전도도는 여러종류의 SO_2 및 O_2 분압에서 측정되었으며 SO_2 및 O_2의 분압에 따라 각각 다른 값을 보여 주었다. SO_2의 산화속도는 SO_2에 대하여 1차, O_2에 대하여 1/2차 반응을 나타내었으며 SO_2는 α-Fe_2O_3의 격자산소에 흡착되고 O_2는 산소공위에 흡착됨을 확인하였다. 전도도 데이타에 의하여 SO_2의 흡착이 전기전도 전자를 생성하고 O_2의 흡착이 전기전도 전자를 제거한다는 사실을 밝혔다. SO_2의 흡착과정이 전체 반응의 율속과정이라는 사실을 전도도 값으로 부터 알았으며 α-Fe_2O_3의 결함구조가 주어진 온도 및 압력에서 각각 제시되었다. 결함구조에 따라 이 반응의 메카니즘이 규명되었다. The catalytic oxidation of SO_2 has been investigated on α-Fe_2O_3 at temperatures from 250 to 400℃ under various Pso_2 and Po_2. The oxidation rates have been correlated with 1.5-order kinetics; 1st order with respect to SO_2 and 0.5 order with respect to O_2. SO_2 appears to be adsorded essentially on O lattice of α-Fe_2O_3 as a molecular species, while O_2 adsorbs on O vacancy as an ionic species. The conductivity data show that SO_2 adsorption contributes electrons to the conduction band and the adsorption of O_2 withdraws the conduction electrons from vacancy. The conductivities indicate that the adsorption process of SO_2 is the rate-controlling step. The oxidation mechanism and dominant defect of α-Fe_2O_3 are suggested at given temperatures and PO_2’s from the agreement between the kinetic data and conductivities.

자성 반도체의 개발에 관한 연구(Ⅱ) : 니켈도프된 α형 산화철상에서 CO산화반응메카니즘

김규홍,전종호,주광열 연세대학교 자연과학연구소 1981 學術論文集 Vol.7 No.-

니켈도프된 α-Fe_2O_3의 반도성이 CO산화 반응을 통하여 300℃~450℃에서 연구 되었다. CO의 산화속도는 CO에 대하여 1차이며 O_2에 대하여 0.5차 반응이었다. CO는 산화철의 격자산소에 흡착되고 O_2는 Ni 도프로 생성된 산화철의 산소공위에 흡착됨을 확인하였다. 전기전도도 데이타는 CO의 흡착이 전기전도 전자를 생성하고 O_2의 흡착이 전기전도 전자를 제거한다는 사실을 보여주었다. CO의 흡착과정이 전체반응의 율속단계라는 사실을 밝혔으며 니켈도프된 α형 산화철의 결함구조를 규명하였다. The semiconductivity of Ni-doped α-Fe_2O_3 has been investigated through the oxidation of carbon monoxide at 300 to 450℃. The oxidation rates have been correlated with 1.5-order kinetics; first with respect to CO and 1/2 with respect to O_2. Carbon monoxide absorbs on lattice oxygen of Ni-doped α-Fe_2O_3, while oxygen appears to be adsorbed on oxygen vacancy formed by Ni doping. The conductivities show that adsorption of CO on o-lattice produces conduction electron and adsorption of O_2 on vacancy withdraws the conduction electron from vacancy. The adsorption process of CO on o-lattice is rate-determining step and dominant defect of Ni-doped α-Fe_2O_3 is suggested from the agreement between kinetic and conductivity data.

이산화 세륨의 전기 전도도

김규홍,서현곤,최재시 연세대학교 자연과학연구소 1982 學術論文集 Vol.9 No.-

CeO_2의 전기전도도를 300∼1000℃의 온도범위와 10^-5∼10^-1atm의 산소압력하에서 측정하였다. 전기전도도의 온도 의존성과 산소압력 의존성을 측정하여 본 시료의 결함구조와 전기전도 메카니즘을 연구하였으며, 본 실험결과는 300∼600℃와 600∼1000℃의 두 온도영역으로 나누어 설명하였다. 각 산소압력하에서 logσ vs. 1/T의 도시(plot)로부터 얻어진 활성화에너지는 높은 온도 영역에서 2.16eV이었다. 또한 전기전도도의 산소압력의존성은 높은 온도영역에서 σαPo_2^-¼, 낮은 온도 영역에서 σαPo_2^-1/6.2로 각각 나타났다. 이 시료에 있어서의 주 결함(dominant defect)은 높은 온도 영역에 대하여 Ce interstitial이며, 낮은 온도영역에서는 oxygen vacancy model로 사료된다. 전기전도도의 온도와 산소압력의존성에 대한 해석을 고찰하였고 전기전도메카니즘을 제시하였다. The electrical conductivity of CeO_2 has been measured over the temperature range of 300 to 1000℃ under the oxygen pressure of 10^-5 to 10^-1atm. Plots of log conductivity vs. 1/T at constant Po_2 are found to be linear with an inflection, and the activation energy obtained from the slopes appears to be 2.16eV for the range of high temperature region. The conductivity dependences on Po_2 at the above temperature range are closely approximated by a Po_2^-¼ for the intrinsic and a Po_2^-1/6.2 for the extrinsic, respectively. The dominant defects in this sample are believed to be Ce^3 interstitial for the intrinsic and the oxygen vecancy model for the extrinsic range. The interpretations of conductivity dependences on temperature and Po_2 are presented and conduction mechanisms are proposed to explain the data.

다발성 뇌동맥류의 수술적 치료 결과에 대한 연구

김규홍,최정훈,배상도,Kim, Kyu Hong,Choi, Jung Hoon,Bae, Sang Do 대한신경외과학회 2000 Journal of Korean neurosurgical society Vol.29 No.10

Objectives : To assess the surgical results for patients with multiple intracranial aneurysms and factors related to prognosis of patients. Materials and Methods : We retrospectively analyzed the clinical characteristics of 47 patients with multiple intracranial aneurysms and assessed the types of surgical treatment and prognosis of 44 patients who received surgical treatment from January 1986 to March 1999. Results : The 47 patients presented altogether 108 aneurysms with male to female ratio of 1 : 3.7, and average age 54.9 years(range 33-81 years). Common locations for multiple aneurysms were P-com(31%), MCA(30%) and Acom( 15%). The postoperative good and poor outcomes were 30 cases(68%) and 11 cases(25%), respectively and there were 3 deaths(7%). The analyzed results for 44 surgically treated patients were as follows ; 1) The size of aneurysm was relevant to frequency of rupture ; the lowest for lesions less than 1cm(21%), rising to 85% for lesions greater than 3cm(p<0.05). 2) The surgical outcome was significantly correlated with preoperative clinical status of the patients(p<0.05). 3) The good outcome was associated with surgery within 7 days(especially 24 hours) after clinical onset of symptoms but not with type of operation and laterality of aneurysms. Conclusion : With regard to the surgical treatment for multiple aneurysm cases, surgeons should consider the salient factors in a good prognosis such as patient's preoperative status, size of aneurysm, timing of surgery, and type of operation.

산화란타늄의 이온 및 전자전도도

김규홍,강창권,이종환,최재시,Keu Hong Kim,Chang Kwon Kang,Jong Hwan Lee,Jae Shi Choi 대한화학회 1987 대한화학회지 Vol.31 No.4

600~$1050^{\circ}C$와 $1{\times}10^{-6}\~\1{\times}10^2\;torr$에서 고순도의 $La_2O_3$의 전기전도도가 연구되었다. 결합구조 및 반도체형이 온도 및 산소분압의 함수로 연구되었으며 위의 온도 및 산소압력의 영역에서 $La_2O_3$의 전도도값은 $1{\times}10^{-9}\~\1{\times}10^{-3}\(ohm{-}cm)^{-1}$ 로 나타났다. 전기전도도의 산소압력의존성은 $700^{\circ}C$에서 5.7, $1,000^{\circ}C$에서 5.3이며 $700^{\circ}C$이하의 낮은 오도영역에서는 9~14의 값은 나타내었다. 온도 감소에 따른 n값의 증가는 ${\alpha}-La_2O_3$의 전기전도가 단순한 전도메카니즘을 나타내지 않는다는 사실을 보여준다. 낮은 산소압력에서 전기운반체는 금속공위가 아니라 산소이온이다. 또한 낮은 온도영역에서 전기전도는 이온성을 띄며 높은 온도영역에서는 전자전도성을 나타낸다. The electrical conductivity of highly pure polycrystalline sample of $La_2O_3$ has been measured at temperatures from $600^{\circ}C$ to $1,050^{\circ}C$ and oxygen pressure range of $1{\times}10^{-6}$ torr to $1{\times}10^2$ torr. The defect structure and semiconductor type are investigated by measuring the temperature and oxygen pressure dependences of electrical conductivity. Sintered $La_2O_3$ exhibits the electrical conductivities in the range of $1{\times}10^{-9}\;to\;1{\times}10^{-3}\;ohm^{-1}{\cdot}cm^{-1}$ under the above oxygen pressures. The oxygen pressure dependences on electrical conductivity are characterized by 5.3 at $1,000^{\circ}C$ and 5.7 at $700^{\circ}C$ and more higher values of 9∼14 below $700^{\circ}C$. The increase in n value with decreasing temperature indicates that a simple conduction mechanism does not exist in this material. The conduction carriers are not metal vacancy but oxygen ion at lower pressures. The conduction data indicate a significant ionic conduction at lower temperatures and electronic conduction at higher temperatures.

본성 및 외성 영역에서 Ceria 의 결함구조 및 자유전자 전도도

김규홍,서현곤,권영식,최재시,Keu Hong Kim,Hyun Koen Suh,Young Sik Kwon,Jae Shi Choi 대한화학회 1987 대한화학회지 Vol.31 No.5

CeO$_2$의 전기전도도를 300 ~ 1000${\circ}$C의 온도범위와 10$^{-5}$~ 10$^{-1}$ atm의 산소압력하에서 측정하였다. 전기전도도의 온도의존성과 산소압력 의존성을 측정하여 본 시료의 결합구조와 전기전도 메카니즘을 연구하였으며, 본 실험결과는 300 ~ 600${\circ}$C, 600 ~ 1000${\circ}$C의 두 온도영역에서 나누어 설명하였다. 각 산소 압력하에서 log ${\sigma}$ vs. 1/T의 도시로부터 얻어진 활성화에너지는 높은 온도영역에서 2.16 eV이었다. 또한 전기전도도의 산소압력의존성은 높은 온도영역에서 ${\sigma}$ ${\alpha}$PO$_2^{-1/4}$, 낮은 온도영역에서 ${\sigma}$ ${\alpha}$PO$_2^{-1/6.2}$로 각각 나타났다. 이 시료에 있어서의 주 결함은 높은 온도영역에 대하여 Ce$^{3{\cdot}}$interstitial이며, 낮은 온도영역에서는 oxygen vacancy model로 사료된다. 전기전도도의 온도 및 산소압력의존성을 고찰하였고 전기전도 메카니즘을 제시하였다. The electrical conductivity of CeO$_2$ has been measured in the temperature range of 300 to 1000${\circ}$C under the oxygen pressures of 10$^{-5}$ to 10$^{-1}$ atm. Plots of log ${\sigma}$ vs. 1/T at constant PO$_2$ are found to be linear with an inflection, and the activation energy obtained from the slopes appears to be 2.16 eV for the intrinsic region. The conductivity dependences on PO$_2$ at the above temperature range are closely approximated by ${\sigma}$ ${\alpha}$PO$_2^{-1/4}$ for the intrinsic and ${\sigma}$ ${\alpha}$PO$_2^{-1/6.2}$ for the extrinsic, respectively. The dominant defects in this sample are believed to be Ce$^{3{\cdot}}$ interstitial for the intrinsic and the (Vo-2e') for the extrinsic range. The interpretations of conductivity dependences on temperature and $PO_2$ are presented, and conduction mechanisms are proposed to explain the data.

외성영역에서 ${\alpha}-Fe_2O_3$-CdO 계의 전도띠 모델

김규홍,윤석호,권영植,최재시,Keu Hong Kim,Seok Ho Yun,Young Sik Kwon,Jae Shi Choi 대한화학회 1987 대한화학회지 Vol.31 No.5

The electrical conductivities of ${\alpha}-Fe_2O_3$ containing 2.5 and 5.0mol% of cadmium were measured from 300 to $900^{\circ}C$ under oxygen pressures of 10$^{-7}$ to 10$^{-1}$ atmosphere. Plots of log ${\sigma}$ vs. 10$^3$/T show the extrinsic conductivity at oxygen pressure higher than $5{\times}10$^{-2}$atm. The transition points appear at about 550$^{\circ}$C and the activation energies are 1.34 eV for the intrinsic region and 0.50 eV for the extrinsic region on 5mol% Cd-doped ${\alpha}-Fe_2O_3$. The extrinsic conductivity disappears at oxygen partial pressures lower than $5{\times}10$^{-2}$ atm, and the intrinsic conductivity predominates. The electrical conductivities decrease with increasing mol% of cadmium doped. The predominant defect of ${\alpha}-Fe_2O_3$ doped with Cd is believed to be Fe${2+}$ interstitial for the intrinsic, however, oxygen vacancy predominates for the extrinsic region. The electrical conduction mechanisms are proposed and the conduction band model is suggested for the extrinsic region. 2.5 및 5.0mol% cd로 도프된 ${\alpha}-Fe_2O_3$의 전기전도도를 300 ~ 900$^{\circ}$C의 온도 및 10$^{-7}$ ~ 10$^{-1}$atm의 산소분압에서 각각 측정하였다. Log ${\sigma}$를 1/T에 대하여 도시한 결과, 산소분압이 $5{\times}10^{-2}$ atm보다 높은 영역에서 외성전도도가 나타났다. 5.0mol% Cd로 도프된 시료의 경우, 550$^{\circ}$C의 온도에서 전이점이 나타났으며 활성화에너지는 본성영역에서 1.34 eV, 외성영역에서 0.50 eV이다. 외성영역은 산소분압이 $5{\times}10$^{-2}$ atm 보다 낮은 경우, 본성영역으로 전환되었다. 따라서 산소분압이 $5{\times}10$^{-2}$ atm보다 낮은 경우 Cd-doped ${\alpha}-Fe_2O_3$의 전기전도도는 불순물 첨가효과에 관계없이 본성을 나타낸다. 본성에서의 결함구조는 Fe${2+}$ 틈새이며 외성영역에서는 산소공위이다. 전기전도도 메카니즘이 두 영역에서 각각 제시되었으며 외성영역에서 전도띠 모델이 제안되었다.

산화이트륨의 결함구조 및 전기전도 메카니즘

김규홍,박성호,최재시,Kim, Keu-Hong,Park, Sung-Ho,Choi, Jae-Shi 대한화학회 1984 대한화학회지 Vol.28 No.3

산화이트륨의 전기전도도를 $1 {\times}10^{-5}{\sim}2 {\times}10^{-1}$atm의 산소분압과 $650{\sim}1050^{\circ}$C 의 온도에서 산소분압 및 온도의 함수로 측정하였다. 일정한 산소분압에서 측정된 전기전도도 값을 온도의 역수에 대하여 도시한 결과, 온도 의존성이 적은 영역과 큰 영역이 나타났으며, 온도 의존성이 큰 영역은 두 개의 각기 다른 결함구조를 보여주었다. 전기전도도의 산소분압 의존성은 $850{\sim}950^{\circ}C$ 에서 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/6},\;950{\sim}1050^{\circ}C$ 에서 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{3/16}$이며 $650{\sim}800^{\circ}C$에서 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/7.5}{\sim}{{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/8.3}$이다. ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/6}$인 영역에서의 detect는 $O_i{''}$며 ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{3/16}$인 영역에서의 detect는 $V_M{'''}$이다. 고온영역에서의 carrier type은 electron hole이며 저온영역에서는 이온성의 기여도가 있다. The electrical conductivity of p-type yttrium sesquioxide has been measured as a function of temperature and of oxygen partial pressure at temperatures from 650 to 1050$^{\circ}C$C and oxygen partial pressures from $1 {\times}10^{-5}\;to\;2{\times}10^{-1}$atm. Plots of log conductivity vs. 1/T at constant oxygen partial pressures are found to be linear with low-and high-temperature dependences of conductivity. The high-temperature dependence of conductivity shows two different defect structures. The plots of log conductivity vs. log $Po_2$ are found to be linear at $Po_2$'s of $10^{-5}\;to\;10^{-1}$ atm. The electrical conductivity dependences on $Po_2$ are found to be ${{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/6}$at $850{\sim}950^{\circ}C,\;{{\sigma}{\propto}Po_2}^{3/16}$ at $950{\sim}1050^{\circ}C\;and\;{{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/7.5}{\sim}{{\sigma}{\propto}Po_2}^{1/8.3}\;at\;650{\sim}800^{\circ}C$, respectively. The defect structures are$O_i{''}$ at $850{\sim}950^{\circ}C$ and $V_M{'''}$ at $950{\sim}1050^{\circ}C$. The electron hole is main carrier type, however, ionic contribution is found at lower temperature portion.