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- 저자 : 주광열 (검색결과 6 건)
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The Absolute Rate Measurement by Light Modulation-ESR Technique
주광열,Choo Kwang Yul,Gaspar Peter P. Korean Chemical Society 1977 대한화학회지 Vol.21 No.4
Modulated light signal과 trimethylsilyl 유리기의 전자상자성 공명 signal과의 phase shift를 측정함으로써 t-butoxy 유리기와 trimethylsilane의 절대 반응속도 상수는 $-50^{\circ}C$에서 $3{\times}10^{-2}M^{-1}{\cdot}sec^{-1}$으로 얻을 수 있었다. A rate constant is deduced for the reaction of tert-butoxy radicals and trimethylsilane from the measurement of the phase shift between the modulated light source and the ESR signal of trimethylsilyl radical. The rate constant was found to $3{\times}10^{-2}M^{-1}{\cdot}sec^{-1}$ at $-50^{\circ}C$.
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주광열,이필희,Kwang Yul Choo,Pil Heui Lee 대한화학회 1980 대한화학회지 Vol.24 No.2
정전기적모델과 결합의 단순한 부가성을 이용하여 아주 극성인 화합물의 표준생성열$({\Delta}H_f\;^{\circ})$를 계산하는 간단한 방법을 제안하였다. 이 ${\Delta}H_f\;^{\circ}$에 대한 할로메탄의 bond 기여도는 각각 ${\Delta}H_f\;^{\circ}(C-F)=-36.44\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-Cl)=-2.57\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-Br)=5.32\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-I)=19.18\;kcal/mole,\;and\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-H)=-3.61\;kcal/mole$로 얻어졌고 이 갑들과 정전기적 에너지들로부터 계산한 ${\Delta}H_f\;^{\circ}$는 실험치와 잘 일치함을 보였다. By using electrostatic model and simple bond additivity scheme a reasonable and simple method was developed for the estimation of standard enthalpy of formation $({\Delta}H_f\;^{\circ})$ of very polar compounds. The bond contributions to the enthalpy of formation for halomethanes were; ${\Delta}H_f\;^{\circ}(C-F)=-36.44\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-Cl)=-2.57\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-Br)=5.32\;kcal/mole,\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-I)=19.18\;kcal/mole,\;and\;{\Delta}H_f\;^{\circ}(C-H)=-3.61\;kcal/mole$, respectively. Using these values and calculated electrostatic energies, the estimated ${\Delta}H_f\;^{\circ}$ values were estimated and found to be in good agreement with observed values.
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Oxidation Reactions of Carbon Monoxide on NiO and Mn$O_2$ Catalysts
주광열,부봉현,장세헌,Choo Kwang Yul,Boo Bong Hyun,Chang Sei Hun Se Heon Korean Chemical Society 1978 대한화학회지 Vol.22 No.6
The specific rate constants for the oxidation reactions of carbon monoxide on a unit catalytic surface area were measured. The catalysts used were NiO made from $Ni(NO_3)_2,\;and\;Ni(OH)_2$, and Mn$O_2$ made from Mn$(NO_3)_2$. At low pressure the reaction rate was found to be of second order and the activation energies were 12 kcal/mole (on NiO made from Ni$(NO_3)_2$, 17 kcal/mole (on NiO made from Ni$(OH)_2)$) and 18 kcal/mole (on Mn$O_2$). Plausible reaction mechanisms were proposed from the experimentally determined reaction orders. $Ni(NO_3)_2,\;Ni(OH)_2$ 그리고 Mn$(NO_3)_2$를 진공 속에서 열분해시킨 산화니켈, 이산화망간의 비표면적(단위 : $m^2$/g)을 측정하고 각 촉매의 단위 표면적에서 일산화탄소의 산화반응속도를 여러 온도에서 측정하였다. 낮은 압력에서 일산화탄소의 산화반응은 2차 반응에 따르며 각 촉매 표면에서의 산화반응의 활성화에너지는 $Ni(NO_3)_2,\;Ni(OH)_2$로부터 만든 산화니켈에서 각각 12, 17kcal/mole 그리고 이산화망간에서 18kcal/mole을 얻었다. 같은 제법으로 만들어진 산화니켈 촉매도 그것을 처리하는 방법에 따라 아레니우스 파라미터가 서로 다르게 얻어졌는데, 이것은 생성물인 이산화탄소에 의한 반응의 억제효과를 정량적으로 측정하므로써 설명이 가능하였다. 실험적으로 구한 반응차수로부터 가능한 반응메카니즘을 제안하였다.
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A Direct Kinetic Study of Cl Atom Reactions
주광열,Kwang Yul Choo Korean Chemical Society 1979 대한화학회지 Vol.23 No.6
Flow-discharge-원자흡수선 측정법으로 $Cl(^2P_{1/2})$ 원자의 존재를 확인하였고 $Cl(^2P_{3/2})$ 원자의 여러 물질과의 반응속도를 직접적으로 측정하였다. 본 실험에서 얻은 결과는 간접적인 방법으로 얻은 반응속도와 거의 같음을 보였다. $Cl(^2P_{3/2})$ 원자와 $Cl(^2P_{1/2})$ 원자는 거의 같은 반응성을 가지며, 이러한 반응의 유사성 때문에 Cl(2P1/2) 원자가 Cl원자의 반응속도에는 그다지 큰 영향을 주지 않음을 보인다. A non-Boltzman equilibrium population of $Cl(^2P_{1/2})$ atoms has been observed in a flow discharge-atomic absorpion experiment. The rates of reactions of $Cl(^2P_{3/2})$ atoms with various substrates are in reasonable agreement with reported values determined by competition methods. The similar reactivities of both $Cl(^2P_{1/2})$ and $Cl(^2P_{3/2})$ atoms indicate that the contribution of $Cl(^2P_{1/2})$ atoms to the rate measurements in the competition experiment is small, and this negligible contribution may be the reason why the rate constants obtained by assuming single reactive species (in competition method) agree well with our direct measurement.
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자성 반도체의 개발에 관한 연구(Ⅱ) : 니켈도프된 α형 산화철상에서 CO산화반응메카니즘
김규홍,전종호,주광열 연세대학교 자연과학연구소 1981 學術論文集 Vol.7 No.-
니켈도프된 α-Fe_2O_3의 반도성이 CO산화 반응을 통하여 300℃~450℃에서 연구 되었다. CO의 산화속도는 CO에 대하여 1차이며 O_2에 대하여 0.5차 반응이었다. CO는 산화철의 격자산소에 흡착되고 O_2는 Ni 도프로 생성된 산화철의 산소공위에 흡착됨을 확인하였다. 전기전도도 데이타는 CO의 흡착이 전기전도 전자를 생성하고 O_2의 흡착이 전기전도 전자를 제거한다는 사실을 보여주었다. CO의 흡착과정이 전체반응의 율속단계라는 사실을 밝혔으며 니켈도프된 α형 산화철의 결함구조를 규명하였다. The semiconductivity of Ni-doped α-Fe_2O_3 has been investigated through the oxidation of carbon monoxide at 300 to 450℃. The oxidation rates have been correlated with 1.5-order kinetics; first with respect to CO and 1/2 with respect to O_2. Carbon monoxide absorbs on lattice oxygen of Ni-doped α-Fe_2O_3, while oxygen appears to be adsorbed on oxygen vacancy formed by Ni doping. The conductivities show that adsorption of CO on o-lattice produces conduction electron and adsorption of O_2 on vacancy withdraws the conduction electron from vacancy. The adsorption process of CO on o-lattice is rate-determining step and dominant defect of Ni-doped α-Fe_2O_3 is suggested from the agreement between kinetic and conductivity data.
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LPCVD 장치를 이용한 메탄과 수소 혼합기체로부터 다이아몬드 박막의 제조
김상균,최진호,주광열,Kim Sang Kyun,Choy Jin-Ho,Choo Kwng Yul 대한화학회 1990 대한화학회지 Vol.34 No.5
일반적인 화학증기증착(CVD : Chemical Vapor Deposition)실험에서 반응기작을 연구할 수 있는 LPCVD (Low Pressure CVD) 장치의 설계 및 제작에 관한 것과, 특히 이 장치를 이용하여 메탄, 수소의 혼합기체와 헬륨을 완충(buffer) 가스로 사용하여 p-type (111) Si wafer 위에 다이아몬드 박막(diamond film)을 얻고자 시도한 것에 대하여 기술하였다. 실험은 두 가지 방법으로 나누어서 행하였다. (1) Si wafer를 반응기 안에 있는 heater(약 480$^{\circ}C$)위에 놓고 두 개의 다른 inlet 가스관을 사용하여 실험하였다. Posphoric acid로 coating된 하나의 관은 microwave discharge시킨 수소 기체를 흘려주는데 사용하였고, 다른 관은 discharge시키지 않은 메탄 기체를 흘려주는데 사용하였다. 그 결과로 무정형 탄소 뭉치 화합물(amorphous carbon cluster)을 얻었다. (2) 수소와 메탄을 동시에 discharge시켜 plasma 상태인 discharge tube안에 Si wafer을 넣고 증착시켜, 그 결과로 다이아몬드 구조를 갖은 반응생성물을 얻었다. We describe how to design and construct a LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) apparatus which can be applicable to the study of reaction mechanism in general CVD experiments. With this apparatus we have attempted to make diamond like carbon films on the p-type (111) Si wafer from (H$_2$ + CH$_4$) gas mixtures. Two different methods have been tried to get products. (1)The experiment was carried out in the reactor with two different inlet gas tubes. One coated with phosphoric acid was used for supplying microwave discharged hydrogen gas stream, and methane has been passed through the other tube without the microwave discharge. In this method we got only amorphous carbon cluster products. (2) The gas mixture (H$_2$ + CH$_4$) has been passed through the discharge tube with the Si wafer located in and/or near the microwave plasma. In this case diamond-like carbon products could be obtained.
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