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Magnetic Properties of Mn Doped GaN Grown Using Single GaN Precursor via Molecular Beam Epitaxy
김도진,C. X. Gao,F. C. Yu,H. J. Kim,Y. E. Ihm,M. H. Jung,Y. H. Jo,C. G. Kim,C. S. Kim 한국물리학회 2009 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.54 No.2
A series of Mn-doped GaN films are grown on sapphire by using a single GaN precursor via molecular beam epitaxy. Segregated Mn4-xGaxN precipitates with crystalline orientation appear in a homogeneous GaMnN matrix at a high doping concentration of the Mn dopant. This study investigates the magnetic properties of the films by using superconducting quantum interference devices. Temperature-dependent magnetic transitions due to Mn4-xGaxN precipitates are observed in the lm with higher Mn concentrations. The phenomena are discussed for the behavior of the non-collinear component in the magnetic structure of Mn4-xGaxN.
김도진,Kim, Do-Jin 한국과학기술단체총연합회 1995 과학과 기술 Vol.28 No.11
'사람과 사람의 대화'사람은 이러한 정감어린 인간의 정서를 첨단문명 기기에 빼앗기고 있다. 전화자동응답기가 등장한 후 우리의 생활은 달라지고 있다. 그러나 기성세대들은 '기계와의 대화'가 아직은 어색한지 전화녹음을 꺼리고 있는 것이 현실이다.