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- 저자 : Joo Young Suh(서주영) (검색결과 5 건)
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Structural and Magnetic Properties of Fe-Diluted Si Alloy Films by Pulsed-Laser Deposition
서주영,이경수,박상우,김은규,Suh, Joo-Young,Lee, Kyung-Su,Pak, Sang-Woo,Kim, Eun-Kyu The Korean Vacuum Society 2012 Applied Science and Convergence Technology Vol.21 No.5
펄스레이저 증착법으로 P형 실리콘(100) 기판위에 증착한 Fe 희석된 Si 합금의 구조와 전기적 및 자기적 물성을 연구하였다. 합금시료에 대한 X-선 회절패턴에서 육방정계에 해당하는 FeSi, $Fe_3Si$, 및 $Fe_5Si_3$와 관련된 여러 개의 회절신호가 관측되었으며, 에너지분산분광 측정에 의한 시료내 Fe 원자의 함량은 1.25~6.49 atm, %로 나타났다. 또한, 온도변화에 따른 전기비저항 값의 측정으로부터 5.21 meV와 7.79 meV 두 개의 활성화에너지를 얻을 수 있었다. 절대온도 10 K에서 측정한 최대 자화는 약 100 emu/cc로 나타났으며, 3,000 Oe의 외부자기장하에서 온도의 함수로 측정한 자화 값으로부터 시료의 강자성 특성은 350 K까지도 유지됨을 알 수 있었다. Fe-diluted Si alloys grown on p-type Si (100) substrates by pulsed-laser deposition method were studied for structural, electrical, and magnetic properties. The X-ray diffraction patterns for these alloy samples showed a few of peaks with cubic structures such as FeSi, $Fe_3Si$, and $Fe_4Si$. The Fe-composition in alloys are confirmed as Fe atomic percent about 1.25~6.49 % from energy dispersive spectroscopy measurement. The resistivity as a function of the reciprocal temperature was indicated an exponential increase with two activation energies of 5.21 and 7.79 meV. The maximum value of the magnetization at 10 K was about 100 emu/cc, and the ferromagnetism was also observed until 350 K from total magnetization as a function of temperature with applied magnetic field of 3,000 Oe.
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Electrical and Magnetic Properties of Tunneling Device with FePt Magnetic Quantum Dots
박상우,서주영,이동욱,김은규,Pak, Sang-Woo,Suh, Joo-Young,Lee, Dong-Uk,Kim, Eun-Kyu The Korean Vacuum Society 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.1
열처리 방식을 통하여 형성된 FePt 나노 입자를 사용하는 자기 양자점 소자를 제작하고, 전기적 및 자기적 특성을 연구하였다. FePt 자기 양자점 터널링 소자는 p 형 Si 기판 상부에 약 20 nm의 $SiO_2$ 터널 절연막을 형성하고 FePt 박막을 3 nm 두께로 증착한 후에 열처리 방식을 이용하여 8~15 nm 크기의 양자점을 갖는 구조이다. 터널링 소자의 전류-전압 특성을 자기장과 온도 변화에 따라 관찰하였고 특히, 저온에서 비선형적인 전류-전압 곡선을 확인하였으며 이러한 단전자 수송현상을 전자의 hopping 모델과 양자점의 터널링 현상을 이용하여 설명하였다. FePt 양자점 터널링 소자는 20 K에서 터널링 현상을 보였으며, 양단에 가해준 전압과 관계없이 외부 자기장이 증가할수록 음의 자기저항이 커지는 현상을 관찰하였고, 9,000 G에서 약 26.2 %의 자기저항 비를 확인하였다. We have studied the electrical and magnetic transport properties of tunneling device with FePt magnetic quantum dots. The FePt nanoparticles with a diameter of 8~15 nm were embedded in a $SiO_2$ layer through thermal annealing process at temperature of $800^{\circ}C$ in $N_2$ gas ambient. The electrical properties of the tunneling device were characterized by current-voltage (I-V) measurements under the perpendicular magnetic fields at various temperatures. The nonlinear I-V curves appeared at 20 K, and then it was explained as a conductance blockade by the electron hopping model and tunneling effect through the quantum dots. It was measured also that the negative magneto-resistance ratio increased about 26.2% as increasing external magnetic field up to 9,000 G without regard for an applied electric voltage.
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Ti/Au 금속과 n-type ZnO 박막의 Ohmic 접합 연구
이경수,서주영,송후영,김은규,Lee, Kyoung-Su,Suh, Joo-Young,Song, Hoo-Young,Kim, Eun-Kyu 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.5
The Ohmic contact of Ti/Au metals on n-type ZnO thin film deposited on c-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition was investigated by TLM (transfer length method) patterns. The Ti/Au metal films with thickness of 35 nm and 90 nm were deposited by electron-beam evaporator and thermal evaporator, respectively. By using the photo-lithography method, the $100{\times}100{\mu}m^2$ TLM patterns with $6{\sim}61{\mu}m$ gaps were formed. To improve the electrical properties as well as to decrease an interface states and stress between metal and semiconductor, the post-annelaing process was done in oxygen ambient by rapid thermal annealing system at temperature of $100{\sim}500^{\circ}C$ for 1 min. In this study, it appeared that the minimum specific contact resistivity shows about $1.1{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm^2$ in $300^{\circ}C$ annealed sample, which may be originated from formation of oxygen vacancies of ZnO during an oxidation of Ti metal at the interface of Ohmic contacts. C-plane 사파이어 기판 위에 펄스 레이저 증착법으로 증착시킨 n-type ZnO 박막에 대한 Ti/Au 금속의 Ohmic 접합특성을 TLM (transfer length method) 패턴 전극을 통하여 연구하였다. 여기서, Ti와 Au 금속박막은 전자빔 증착기와 열 증착기로 각각 35 nm와 90 nm 두께로 증착하였으며, TLM패턴은 광 리소그래피 법으로 면적이 $100{\times}100{\mu}m^2$인 전극패턴을 6~61 ${\mu}m$ 간격으로 형성하였다. Ti/Au 금속박막과 ZnO 반도체 사이의 전기적인 성질을 개선하고 응력과 계면 결함을 감소시키기 위해, 산소 가스 분위기로 $100{\sim}500^{\circ}C$ 온도에서 각각 1분간 급속열처리를 하였다. $300^{\circ}C$의 온도에서 열처리한 시료에서 $1.1{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm^2$의 가장 낮은 비저항 값을 보였는데, 이것은 열처리 동안 티타늄 산화막 형성과정에서 ZnO 박막 표면 근처에 산소빈자리가 형성됨으로써 나타나는 전자농도의 증가가 주된 원인으로 고려되었다.
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Epstein-Barr 바이러스 인사이투 보결합 시행시 양성대조표지로서의 버키트 림프종 세포주 (CCL85 EB-3)의 응용
김성숙,한운섭,서주영,허주령,Kim, Sung-Sook,Han, Woon-Sup,Suh, Joo-Young,Huh, Joo-Ryung 대한세포병리학회 1996 대한세포병리학회지 Vol.7 No.1
Epstein-Barr virus(EBV) is associated with a wide spectrum of benign and malignant disorders including leukoplakia, Hodgkln's lymphoma, central nervous system lymphoma, peripheral T cell lymphoma and nasopharyngeal undifferentiated carcinoma. There are several distinctive aspects of biology of the virus that are important in investigation of virus in clinical specimens. The abundant expression of the EBER mRNA transcripts makes possible the sensitive detection of latent expression in EBV-associated tumors. Although there has been a dramatic increased interest in the direct characterization of EBV in clinical specimens, there have been few studios about the effective and reliable positive controls in performing in situ hybridization technique for EBV, especially on paraffin-em bedded tissue. We applied Burkitts lymphoma ceil line as positive control in EBV in situ hydridization using Oncor Kit. The cell block of Burkitt lymphoma cell line(CCL85 EB-3) showed strong and specific positivity for EBER in situ in nuclei of EBV infected cells.
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Electrical and Magnetic Properties of Tunneling Device with FePt Magnetic Quantum Dots
Sang Woo Pak(박상우),Joo Young Suh(서주영),Dong Uk Lee(이동욱),Eun Kyu Kim(김은규) 한국진공학회(ASCT) 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.1
열처리 방식을 통하여 형성된 FePt 나노 입자를 사용하는 자기 양자점 소자를 제작하고, 전기적 및 자기적 특성을 연구하였다. FePt 자기 양자점 터널링 소자는 p 형 Si 기판 상부에 약 20 ㎚의 SiO2 터널 절연막을 형성하고 FePt 박막을 3 ㎚ 두께로 증착한 후에 열처리 방식을 이용하여 8∼15 ㎚ 크기의 양자점을 갖는 구조이다. 터널링 소자의 전류-전압 특성을 자기장과 온도 변화에 따라 관찰하였고 특히, 저온에서 비선형적인 전류-전압 곡선을 확인하였으며 이러한 단전자 수송현상을 전자의 hopping 모델과 양자점의 터널링 현상을 이용하여 설명하였다. FePt 양자점 터널링 소자는 20 K에서 터널링 현상을 보였으며, 양단에 가해준 전압과 관계없이 외부 자기장이 증가할수록 음의 자기저항이 커지는 현상을 관찰하였고, 9,000 G에서 약 26.2 %의 자기저항 비를 확인하였다. We have studied the electrical and magnetic transport properties of tunneling device with FePt magnetic quantum dots. The FePt nanoparticles with a diameter of 8∼15 ㎚ were embedded in a SiO₂ layer through thermal annealing process at temperature of 800℃ in N₂ gas ambient. The electrical properties of the tunneling device were characterized by current-voltage (Ⅰ-Ⅴ) measurements under the perpendicular magnetic fields at various temperatures. The nonlinear Ⅰ-Ⅴ curves appeared at 20 K, and then it was explained as a conductance blockade by the electron hopping model and tunneling effect through the quantum dots. It was measured also that the negative magneto-resistance ratio increased about 26.2% as increasing external magnetic field up to 9,000 G without regard for an applied electric voltage.
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