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- 저자 : Jahyun Ahn(안자현) (검색결과 8 건)
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Theoretical Analysis of Frequency Dependent Input Resistance in RF MOSFETs
안자현,이성현,Ahn, Jahyun,Lee, Seonghearn The Institute of Electronics and Information Engin 2017 전자공학회논문지 Vol.26 No.8
RF MOSFET에서 관찰된 입력 저항의 주파수 종속 특성이 단순화된 입력 등가회로로부터 유도된 pole과 zero 주파수 수식을 사용하여 자세히 분석되었다. 이러한 이론적 분석을 사용하여 저주파에서 입력저항의 감소현상이 포화영역에서 소스와 pinch-off 영역 사이의 채널저항으로부터 발생되는 것을 발견하였다. 이와 같이 저주파에서 입력저항이 감소하는 채널 저항 효과는 채널저항을 변화시키면서 소신호 등가회로 모델링을 수행하여 물리적으로 입증되었다. The frequency dependent input resistance observed in RF MOSFETs is analyzed in detail by deriving pole and zero frequency equations from a simplified input equivalent circuit. Using this theoretical analysis, we find that the reduction effect of the input resistance in the low frequency region arises from the channel resistance between source and pinch-off region in the saturation region. This channel resistance effect on the low frequency reduction of the input resistance is physically validated by performing small-signal equivalent circuit modeling with varying the channel resistance.
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Measurement and Analysis of Gate Finger Number Dependence of Input Resistance for Sub-micron MOSFETs
안자현,이성현,Ahn, Jahyun,Lee, Seonghearn The Institute of Electronics and Information Engin 2014 전자공학회논문지 Vol.51 No.12
다양한 게이트 핑거 수(Nf)의 MOSFET에 대한 두 종류의 입력 저항이 $S_{11}$-parameter와 $Z_{11}$-parameter으로부터 변환 되어 저주파 영역에서 측정되었다. 본 연구에서 사용된 $Nf{\leq}64$의 범위에서 $S_{11}$-parameter로부터 추출된 1/Nf 종속 입력저항은 $Z_{11}$-parameter로부터 추출된 입력 저항보다 훨씬 낮은 값을 보여주며, 이러한 1/Nf 종속성은 MOSFET의 등가회로로부터 유도된 Nf 종속 비선형 방정식으로부터 이론적으로 증명하였다. Two input resistances converted from $S_{11}$-parameter and $Z_{11}$-parameter of MOSFETs with various gate finger numbers Nf were measured in low frequency region. The 1/Nf dependent input resistance from $S_{11}$-parameter exhibits much lower values than that from $Z_{11}$-parameter in the range of $Nf{\leq}64$. This 1/Nf dependence was theoretically verified by using Nf dependent nonlinear equation derived from a MOSFET equivalent circuit.
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Measurement and Analysis of Gate Finger Number Dependence of Input Resistance for Sub-micron MOSFETs
Jahyun Ahn(안자현),Seonghearn Lee(이성현) 대한전자공학회 2014 전자공학회논문지 Vol.51 No.12
다양한 게이트 핑거 수(Nf)의 MOSFET에 대한 두 종류의 입력 저항이 S11-parameter와 Z11-parameter으로부터 변환되어 저주파 영역에서 측정되었다. 본 연구에서 사용된 Nf ≤ 64의 범위에서 S11-parameter로부터 추출된 1/Nf 종속 입력저항은 Z11-parameter로부터 추출된 입력 저항보다 훨씬 낮은 값을 보여주며, 이러한 1/Nf 종속성은 MOSFET의 등가회로로부터 유도된 Nf 종속 비선형 방정식으로부터 이론적으로 증명하였다. Two input resistances converted from S11-parameter and Z11-parameter of MOSFETs with various gate finger numbers Nf were measured in low frequency region. The 1/Nf dependent input resistance from S11-parameter exhibits much lower values than that from Z11-parameter in the range of Nf ≤ 64. This 1/Nf dependence was theoretically verified by using Nf dependent nonlinear equation derived from a MOSFET equivalent circuit.
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High Resistivity SOI RF CMOS 대칭형 인덕터 모델링을 위한 개선된 Optimization 방법 연구
안자현(Jahyun Ahn),이성현(Seonghearn Lee) 대한전자공학회 2015 전자공학회논문지 Vol.52 No.9
High resistivity(HR) silicon-on-insulator(SOI) RF CMOS 공정 인덕터의 모델 파라미터를 정확히 결정하기 위하여 직접 추출과 simultaneous optimization을 사용한 개선된 방법을 개발하였다. 먼저, 대칭형 인덕터와 센터탭이 접지된 대칭형 인덕터 등가회로들의 Y 및 Z-파라미터 방정식 유도를 통해 일부 모델 파라미터들을 직접 추출하고, 병렬 저항과 전체 인덕턴스 방정식들로 미지 변수들을 줄여 모델링 정확도를 향상시켰다. 또한, 두 등가회로의 동일한 모델 파라미터들을 공통 변수로 두고 S-파라미터 데이터 세트를 동시에 optimization함으로써 optimization 정확도를 크게 향상시켰다. An improved method based on direct extraction and simultaneous optimization is developed to determine model parameters of symmetric inductors fabricated by the high resistivity(HR) silicon-on-insulator(SOI) RF CMOS process. In order to improve modeling accuracy, several model parameters are directly extracted by Y and Z-parameter equations derived from two equivalent circuits of symmetric inductor and grounded center-tap one, and the number of unknown parameters is reduced using parallel resistance and total inductance equations. In order to improve optimization accuracy, two sets of measured S-parameters are simultaneously optimized while same model parameters in two equivalent circuits are set to common variables.
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Multi-Finger MOSFET의 바이어스 종속 S<SUB>11</SUB>-파라미터 분석
안자현(Jahyun Ahn),이성현(Seonghearn Lee) 대한전자공학회 2016 전자공학회논문지 Vol.53 No.12
매우 큰 사이즈를 가진 multi-finger RF MOSFET의 S11-parameter에서 스미스차트의 저항 circle 라인을 벗어나는 kink 현상의 게이트 바이어스 종속 특성이 관찰되었다. 이러한 바이어스 종속성은 S11-parameter의 크기와 위상, 입력저항, 입력 커패시턴스의 주파수 응답곡선을 측정하여 최초로 분석되었다. 그 결과 입력 커패시턴스의 크기와 입력저항의 dominant pole과 zero 주파수에 의해 Vgs 종속 kink 현상이 크게 변하는 것을 알 수 있다. Vgs=0V일 때 매우 적은 S11-parameter 위상차와 입력저항의 높은 pole 주파수에 의해 고주파영역에서 kink 현상이 나타난다. 하지만 Vgs가 높아지면 S11-parameter 위상차가 크게 증가하고 pole 주파수가 낮아져 저주파영역에서 kink 현상이 발생하게 된다. The gate bias dependence of kink phenomenon with a large deviation from the resistance circle in Smith chart is observed in the frequency response of S11-parameter for large multi-finger RF MOSFETs. For the first time, this bias dependence is analyzed by measuring magnitude and phase of S11-parameter, input resistance and input capacitance. As a result, Vgs dependent S11-parameter is largely changed by the magnitude of input capacitance as well as dominant pole and zero frequencies of input resistance. At Vgs=0V, the kink phenomenon occurs in the high frequency region because of very small phase difference of S11-parameter and high pole frequency of input resistance. However, the kink phenomenon at higher Vgs is generated in the low frequency region owing to large phase difference and low pole frequency.
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Theoretical Analysis of Frequency Dependent Input Resistance in RF MOSFETs
Jahyun Ahn(안자현),Seonghearn Lee(이성현) 대한전자공학회 2017 전자공학회논문지 Vol.54 No.5
RF MOSFET에서 관찰된 입력 저항의 주파수 종속 특성이 단순화된 입력 등가회로로부터 유도된 pole과 zero 주파수 수식을 사용하여 자세히 분석되었다. 이러한 이론적 분석을 사용하여 저주파에서 입력저항의 감소현상이 포화영역에서 소스와 pinch-off 영역 사이의 채널저항으로부터 발생되는 것을 발견하였다. 이와 같이 저주파에서 입력저항이 감소하는 채널 저항 효과는 채널저항을 변화시키면서 소신호 등가회로 모델링을 수행하여 물리적으로 입증되었다. The frequency dependent input resistance observed in RF MOSFETs is analyzed in detail by deriving pole and zero frequency equations from a simplified input equivalent circuit. Using this theoretical analysis, we find that the reduction effect of the input resistance in the low frequency region arises from the channel resistance between source and pinch-off region in the saturation region. This channel resistance effect on the low frequency reduction of the input resistance is physically validated by performing small-signal equivalent circuit modeling with varying the channel resistance.
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